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公开(公告)号：CN103601484B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201310632591.X
申请日：2013-11-28
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: C04B35/44 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种镥铝石榴石基透明陶瓷的制备方法，具体地，所述方法包括以下步骤：(a)制备前驱粉体；(b)将前驱粉体喷涂至金属载体片的表面形成层片状的喷涂层；(c)将喷涂层从金属载体片的表面分离，研磨，得到粉体；(d)对步骤(c)得到的粉体进行成型处理，得到素坯；(e)对所获得的素坯进行烧结后，进行热等静压处理，得到陶瓷片；(f)将步骤(e)获得的陶瓷片进行退火处理，得到镥铝石榴石基透明陶瓷。本发明的制备方法，工艺简单易行，成本低廉，商业化前景广阔。并且制得的透明陶瓷具有优异的光学性能。
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公开(公告)号：CN104209524A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410459719.1
申请日：2014-09-11
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: B22F7/02
Abstract: 本发明公开了一种柔性热电薄膜的制备方法，包括以下步骤：合成热电材料铸锭；将合成的热电材料铸锭研磨、过筛后得到热电材料粉体；将粘结剂、分散剂和有机溶剂混合后搅拌均匀，配制成浆料；将所述热电材料粉体和所述浆料均匀混合，得到混合料；利用丝网印刷法或流延法将所述混合料沉积在柔性基底上，得到柔性热电薄膜的前驱体；将所述前驱体做干燥处理，再进行微波烧结后冷却，得到柔性热电薄膜。该方法突破了高熔点的热电材料在低熔点的柔性基底上制备薄膜的工艺瓶颈，可在较短时间和较低烧结温度下得到高质量、热电性能优异的柔性热电薄膜。
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公开(公告)号：CN103436729A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310393941.1
申请日：2013-09-02
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明提供了一种热电材料，包括Sm与Te元素，Sm元素与Te元素的原子比为1:1～1:4，并且该材料具有层状结构。该热电材料具有晶粒取向良好、热导率较低、致密度高、热电性能较好的特点。当在其中掺杂微量元素或者复合第二相时，能够进一步提高其热电转换效果。实验证实，该热电材料制备工艺简单，热电性能良好，因此具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102528055B
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201210031766.7
申请日：2012-02-13
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: B22F9/04 , B22F9/24 , B22F1/00 , H01H1/0237
Abstract: 本发明提供了一种银氧化锡复合粉体的制备方法及其应用。具体地，将银溶于硝酸中形成水溶液，将金属锡粉低温(冰水浴)中溶于去离子水形成硝酸锡溶液，混合上述两溶液，并向其中加入聚合物形成混合溶液，向上述溶液中滴加水合肼，进行氧化还原反应并得到沉淀，将沉淀洗涤、烘干、粉碎、热处理就得到银氧化锡复合粉体，粉体的粒径在纳米级范围。用本发明方法制备的银氧化锡复合粉体可用于烧结制作低压电气用触头。该工艺简单易操作，粉体品质高，生产成本低。
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公开(公告)号：CN103396122A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310346358.5
申请日：2013-08-09
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: C04B35/515 , C04B35/622 , H01L35/16
Abstract: 本发明提供一种新型Cd-Te基热电材料及其制备方法。本发明的热电材料为碲化镉基体内掺杂有卤族元素和/或化合价为+3价的金属元素、和/或复合有导电单质或导电化合物或其组合的碲化镉基热电材料。在真空高温条件下加热碲、镉，以及掺杂原料和/或复合原料得到混合料，冷却后研磨成粉体并进行烧结即可得到本发明的热电材料。本发明首次提供一种新型的热电材料，元素分布均匀，大块多晶，制备工艺简单，制备时间短。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103011801A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110288889.4
申请日：2011-09-21
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: C04B35/457 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种ATO基PTC材料的制备方法，以磷酸氢二铵、氧化亚锡，或磷酸氢二铵、氯化亚锡为原料制备PS玻璃粉，将PS玻璃粉与锡源物质、锑源物质、掺杂剂按照一质量分数5％～40％，40～90％，1％～30％和0％～25％进行混合，最后将混合后的粉末压制成型后，在300～1200℃处理0.5～48小时既得ATO基PTC材料。本制备方法所采用的原料不含有铅等严重污染环境的原料，对环境勿扰较小，且热处理温度显著降低，能耗下降，制得的ATO材料具有SnO2基材料化学稳定性好的优点。本发明原料易得，流程少，工艺简单，对设备要求不高，成本低，易于产业化，并在酸性、中性和碱性条件下均能够使用，适用面广。
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公开(公告)号：CN103011262A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110288870.X
申请日：2011-09-21
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明涉及一种二氧化锡基导电材料的制备方法，其特征在于以亚锡盐为原料、聚丙烯酸铵溶液作为络合剂，在搅拌条件下，将适量亚锡盐加入水中，再缓慢滴加聚丙烯酸铵溶液至获得澄清溶液或溶胶；再缓慢滴加施主掺杂剂，控制温度在40～60℃下搅拌50～70分钟，获得透明、稳定的前驱液；最后将上述前驱液经过高温喷涂、溶胶凝胶、共沉淀、水热方法或丝网印刷制备SnO2基导电材料。在整个过程中没有添加含氯的原料，且整个制备过程中不会对环境造成污染，同时本制备方法所采用的原料易得，流程少，工艺简单，对设备要求不高，成本低，易于产业化，并且在酸性、中性和碱性条件下均能够实施，适用面广。
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公开(公告)号：CN102154692B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110046031.7
申请日：2011-02-25
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: C30B28/08
Abstract: 本发明公开了一种In-Se基热电材料的制备方法，该方法首先采用熔炼法合成In-Se材料，得到元素分布均匀的In-Se化合物，然后采用区熔生长法，通过优化熔融温度、熔区宽度、生长速度等工艺参数，制备具有良好晶粒取向性的In-Se基大块多晶材料。与现有的熔炼、球磨结合热压或放电等离子烧结制备工艺相比，本发明的制备方法能够得到晶粒取向性好、热电性能高的In-Se基热电材料，同时能够缩短制备时间、降低能耗。
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公开(公告)号：CN102269471A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201010192405.1
申请日：2010-06-03
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 , 宁波飞科电子制造有限公司
Abstract: 本发明公布了一种厚膜加热的即热式饮水装置，其加热部分采用厚膜电阻加热，加热桶为中空桶装结构，水流通过柱状导流体与加热桶内壁的不锈钢基体直接接触。相对传统电热管加热而言，本装置具有加热速度快、加热效率高和节能环保的优点；同时本发明还解决了传统平板厚膜受热不均的问题；另外，水流不与厚膜加热桶外表面的低温玻璃绝缘层直接接触，可以防止重金属离子中毒以及溶蚀造成的漏电事故，安全性能显著提高。本发明装置制造工艺简单，对设备要求低，原料易得，易于产业化。
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公开(公告)号：CN1962416A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610154816.5
申请日：2006-11-23
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种区熔生长结合热压法制备碲化铋基热电材料的工艺，其特征在于将晶体材料进行粉碎与过筛，以获得具有一定粒度分布的初始粉体材料，然后在热压炉中对粉料进行烧结，利用热压法制备相应的块体材料。由它制备的碲化铋(Bi2Te3)基热电材料具有良好的晶粒取向性与力学性能。该工艺通过控制材料的显微结构即晶粒取向性，在维持热电性能的基础上大幅度改善了其力学性能，使材料的利用率、可加工性、以及元器件的稳定性与可靠性等均得以大大提高。该工艺所需要的设备成本低，就设备价格而言，相同产能的热压设备只是SPS设备的十分之一，制备过程简单，从而具有良好的产业化前景。
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