一种镥铝石榴石基透明陶瓷的制备方法

    公开(公告)号:CN103601484A

    公开(公告)日:2014-02-26

    申请号:CN201310632591.X

    申请日:2013-11-28

    Abstract: 本发明涉及一种镥铝石榴石基透明陶瓷的制备方法,具体地,所述方法包括以下步骤:(a)制备前驱粉体;(b)将前驱粉体喷涂至金属载体片的表面形成层片状的喷涂层;(c)将喷涂层从金属载体片的表面分离,研磨,得到粉体;(d)对步骤(c)得到的粉体进行成型处理,得到素坯;(e)对所获得的素坯进行烧结后,进行热等静压处理,得到陶瓷片;(f)将步骤(e)获得的陶瓷片进行退火处理,得到镥铝石榴石基透明陶瓷。本发明的制备方法,工艺简单易行,成本低廉,商业化前景广阔。并且制得的透明陶瓷具有优异的光学性能。

    一种镥铝石榴石基透明陶瓷的制备方法

    公开(公告)号:CN103601484B

    公开(公告)日:2015-06-17

    申请号:CN201310632591.X

    申请日:2013-11-28

    Abstract: 本发明涉及一种镥铝石榴石基透明陶瓷的制备方法,具体地,所述方法包括以下步骤:(a)制备前驱粉体;(b)将前驱粉体喷涂至金属载体片的表面形成层片状的喷涂层;(c)将喷涂层从金属载体片的表面分离,研磨,得到粉体;(d)对步骤(c)得到的粉体进行成型处理,得到素坯;(e)对所获得的素坯进行烧结后,进行热等静压处理,得到陶瓷片;(f)将步骤(e)获得的陶瓷片进行退火处理,得到镥铝石榴石基透明陶瓷。本发明的制备方法,工艺简单易行,成本低廉,商业化前景广阔。并且制得的透明陶瓷具有优异的光学性能。

    SnSe基热电材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN105047809B

    公开(公告)日:2018-06-05

    申请号:CN201510386988.4

    申请日:2015-06-30

    Abstract: 本发明公开了一种SnSe基热电材料及其制备方法,其中,SnSe基热电材料的制备方法包括以下步骤:S100,按照SnSe基热电材料的化学计量比称取反应原料;S200,利用熔炼法炼制所述反应原料,得到SnSe基热电材料铸锭;S300,将S200中得到的SnSe基热电材料铸锭置于区熔炉中,利用区熔法生长多晶SnSe基热电材料。本发明的制备方法得到的多晶SnSe基热电材料择优取向明显,具有较佳的热电性能;同时,与单晶SnSe基热电材料的制备相比,本发明的制备方法简单,生长周期短,成本低廉,可应用于大规模的工业生产。

    SnSe基热电材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN105047809A

    公开(公告)日:2015-11-11

    申请号:CN201510386988.4

    申请日:2015-06-30

    Abstract: 本发明公开了一种SnSe基热电材料及其制备方法,其中,SnSe基热电材料的制备方法包括以下步骤:S100,按照SnSe基热电材料的化学计量比称取反应原料;S200,利用熔炼法炼制所述反应原料,得到SnSe基热电材料铸锭;S300,将S200中得到的SnSe基热电材料铸锭置于区熔炉中,利用区熔法生长多晶SnSe基热电材料。本发明的制备方法得到的多晶SnSe基热电材料择优取向明显,具有较佳的热电性能;同时,与单晶SnSe基热电材料的制备相比,本发明的制备方法简单,生长周期短,成本低廉,可应用于大规模的工业生产。

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