一种高硬度耐磨损的硼化钒涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN104498872A

    公开(公告)日:2015-04-08

    申请号:CN201410647741.9

    申请日:2014-11-14

    CPC classification number: C23C14/067 C23C14/35

    Abstract: 本发明公开了一种高硬度耐磨损的硼化钒涂层,所述的涂层组成为VxBy,其中y/x=1.5~2.4;所述的涂层由长短不一的柱状晶组成,柱状晶宽度为50nm~300nm,柱状晶长宽比为5~30;涂层密度在4.0g/cm3~4.9g/cm3;所述的涂层利用X射线衍射(XRD)检测,具有高度(001)择优取向。本发明还公开了高硬度耐磨损的硼化钒涂层的制备方法,制备的硼化钒涂层具有高硬度H≥35GPa,摩擦系数为0.4~0.6,对直径6mm的Al2O3研磨球在5N的作用力下,涂层的磨损率为~10-16m3/N·m数量级。该涂层适合高温、高压下用来增强器件表面的耐磨性,延长器件的使用寿命。

    一种铜掺氧化锌透明导电薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN114107917A

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN202111332943.0

    申请日:2021-11-11

    Abstract: 本发明公开一种CZO透明导电薄膜,成分组成为:Cu(1at.%~2at.%),Zn(48at.%~50at.%),O(50at.%~52at.%),呈纤维状生长结构,包括多条被阻断的柱状晶,相邻柱状晶之间无微裂纹或微孔洞,密度为5.3~5.5g/cm3。该导电薄膜具有较低的电阻率,较好的透光率。本发明还提供了一种CZO透明导电薄膜的制备方法,包括:向镀膜腔室抽真空,持续通入惰性气体,设置靶电源参数,采用纯CZO陶瓷靶在基体上进行单靶溅射、以ZnO陶瓷靶和金属Cu靶在基体上进行双靶共溅射或以ZnCu合金靶在基体上进行反应溅射以形成CZO透明导电薄膜。该方法制备简单、高效。

    一种具有长时间耐高温水蒸汽氧化的Fe-Cr-Al基防护涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN112853288A

    公开(公告)日:2021-05-28

    申请号:CN202011623564.2

    申请日:2020-12-31

    Abstract: 本发明属于合金涂层防护领域,公开一种具有长时间耐高温水蒸汽氧化的Fe‑Cr‑Al基防护涂层及其制备方法,该涂层的组成表示为FexCryAlzMemSinYp,Me选自Mo、Nb、Ni中的一种或两种,其中x,y,z,m,n,p为原子比,30.5≤x≤34.9,20.6≤y≤23.2,11.6≤z≤16.1,13.4≤m≤14.9,13.6≤n≤17.4,1.6≤p≤2.6;所述的Fe‑Cr‑Al基防护涂层为非晶结构或非晶中弥散分布纳米晶的两相结构,涂层呈非柱状晶生长,沿涂层生长方向无贯穿性空隙或裂纹。该防护涂层应用于Zr合金包壳管上,可提高锆合金抵抗高温水蒸汽(1000~1200℃)氧化的能力,一方面为事故留下更多的容错时间,另一方面可显著延长核电用包壳管的使用寿命。

    一种具有长时间耐高温水蒸汽氧化的防护涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN112853287A

    公开(公告)日:2021-05-28

    申请号:CN202011618645.3

    申请日:2020-12-31

    Abstract: 本发明涉及核电防护涂层领域,公开了一种具有长时间耐高温水蒸汽氧化的防护涂层及其制备方法,该防护涂层包括陶瓷层和合金层,所述的合金层组成表示为CraMe100‑a,Me为Al、Ni中的一种,84.6≤a≤100;陶瓷层组成表示为(CrxAlySi100‑x‑y)zT100‑z,T选自C、N中的一种,其中40.7≤x≤61.2,29.8≤y≤45.3,78.5≤z≤89.5;其中a、x、y、z都为原子比。该防护涂层通过物理气相磁控溅射法制备,在高温水蒸气(1200℃)氧化过程中可形成连续、致密且无开裂、拱起等缺陷的Cr2O3防护层,进而显著提高耐高温水蒸气氧化时间(8~12h),可用于核电中锆合金包壳管的防护。

    一种MAX相陶瓷涂层及其制备方法和制备装置

    公开(公告)号:CN106567049B

    公开(公告)日:2019-01-15

    申请号:CN201610882869.2

    申请日:2016-10-10

    Abstract: 本发明公开了一种MAX相陶瓷涂层,此涂层组成为V2AlxC2‑x,x=0.7~1.5,涂层为柱状晶生长结构,每一个柱状晶由一层Al原子层和两层V原子层交替排列形成,且C原子层位于两层V原子层之间,涂层密度为4.5~5.2g/cm3。本发明还公开了所述MAX相陶瓷涂层的制备方法,采用双靶磁控溅射法并辅助射频叠加中频的电源施加方式,在制备温度为550~650℃的情况下,在非晶基体上非外延生长出所述MAX相陶瓷涂层。该制备条件下获得的V2AlxC2‑x涂层纯度达到了99.9%,涂层硬度在13~16GPa。此方法一步合成,成本较低,可控制性强,有利于MAX相涂层低温制备和多领域应用。

    利用磁控溅射法制备电阻率分布均匀的AZO薄膜的方法

    公开(公告)号:CN105063560B

    公开(公告)日:2017-11-24

    申请号:CN201510424508.9

    申请日:2015-07-17

    Inventor: 黄峰 孟凡平 李朋

    Abstract: 本发明公开了一种利用磁控溅射法制备电阻率分布均匀的AZO薄膜的方法,采用射频电源辅助直流电源的方式沉积AZO薄膜,设置射频电源功率PRF为50~400W,直流电源功率PDC为10~150W,并调节射频电源功率的比值fRF为0.38~0.98,以控制靶电压为60~150V,AZO薄膜的沉积速率不低于35nm/min,在常温下制备得到电阻率分布均匀的AZO薄膜。本制备方法,采用射频辅助直流的电源设备,通过调节射频电源与直流电源的功率,使得在靶电压小于150V的情况下,仍以较高的沉积速率(~40nm/min)沉积得到AZO薄膜;制备得到的AZO薄膜的电阻率较低,且分布均匀。

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