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公开(公告)号：CN103964882A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410178018.0
申请日：2014-04-29
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/524 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种纤维增强超高温陶瓷基复合材料的制备方法，所述制备方法包括：1）采用含有纳米碳化锆和酚醛树脂的浆料浸渍纤维预制体，经固化-裂解或直接裂解后，获得含ZrC的纤维预成型体；2）以有机聚合物作为有机碳源前驱体浸渍含ZrC的纤维预成型体，裂解获得ZrC-C复合多孔中间体；3）以二硅化锆为硅源和锆源于1800-1950℃对所述多孔中间体进行熔渗，获得纤维增强超高温陶瓷基复合材料。
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公开(公告)号：CN101863683B
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN200910049378.X
申请日：2009-04-15
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B41/87
Abstract: 本发明涉及抗氧化性涂层的制备方法属于涂层材料制备领域。本发明以复合材料为基体，涂层主要成分包括SiC相、游离Si相和M相，M相为MoSi2、W Si2、TaSi2单一陶瓷相或几种陶瓷混合相，涂层厚度约为20μm～600μm，涂层采用浆料涂覆-液相渗硅原位反应法制备涂层工艺，涂层体系适用面广，涵盖了整个Si系陶瓷涂层，通过浆料固含量以及浆料涂覆次数对涂层的厚度及组成进行有效控制，进而满足实际使用要求。
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公开(公告)号：CN102050448B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN200910198406.4
申请日：2009-11-06
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明提供一种Ti3SiC2基粉体的制备方法。本发明采用(1)将钛粉和聚碳硅烷按照重量比(0.71～2.48)∶1混合并溶于有机溶剂，搅拌烘干使其均匀混合；(2)对烘干的粉料低温裂解，温度为800℃～1200℃，保温时间0.5～2小时，升温速度2～7℃/min，获得初步反应物；(3)对初步反应物高温处理，温度为1400～1600℃，保温时间0.5～2小时，升温速度2～7℃/min。根据原料组分重量比不同，获得Ti3SiC2基粉体材料。结果显示，钛粉基本转化为Ti3SiC2。相比传统方法，高纯Ti3SiC2粉体纯度较高，粒度较小，结晶度较高。
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公开(公告)号：CN101863683A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200910049378.X
申请日：2009-04-15
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B41/87
Abstract: 本发明涉及抗氧化性涂层的制备方法属于涂层材料制备领域。本发明以复合材料为基体，涂层主要成分包括SiC相、游离Si相和M相，M相为MoSi2、WSi2、TaSi2单一陶瓷相或几种陶瓷混合相，涂层厚度约为20μm～600μm，涂层采用浆料涂覆-液相渗硅原位反应法制备涂层工艺，涂层体系适用面广，涵盖了整个Si系陶瓷涂层，通过浆料固含量以及浆料涂覆次数对涂层的厚度及组成进行有效控制，进而满足实际使用要求。
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公开(公告)号：CN118791321A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202310376884.X
申请日：2023-04-11
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B37/00
Abstract: 本发明涉及一种用于连接碳化硅陶瓷的同质连接材料以及连接方法。所述同质连接材料包括：碳化硅微粉、碳化硅纳米线、分散剂、粘结剂、碳化硅陶瓷前驱体和有机溶剂；所述碳化硅纳米线的长度为50～100μm，直径为50～1000nm、优选为100～600nm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110894164B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201811068099.3
申请日：2018-09-13
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/565 , C04B35/50 , C04B35/16
Abstract: 本发明涉及一种稀土硅酸盐层状分布的碳化硅陶瓷基复合材料及其制备方法，所述稀土硅酸盐层状分布的碳化硅陶瓷基复合材料包括纤维预制体、用于填充纤维预制体的SiC基体、环状分布在纤维预制体中纤维表面和SiC基体之间的至少2层稀土硅酸盐层、以及位于相邻稀土硅酸盐层之间的SiC层；优选地，所述稀土硅酸盐层的层数为2～3层。
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公开(公告)号：CN112898023A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110125659.X
申请日：2021-01-29
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/56 , C04B35/80 , C04B35/622 , C04B35/628
Abstract: 本发明涉及一种Cf/Ta4HfC5‑SiC超高温陶瓷基复合材料及其制备方法，所述Cf/Ta4HfC5‑SiC超高温陶瓷基复合材料包括：碳纤维预制体、填充在碳纤维预制体中的SiC基体，以及分布在SiC基体和碳纤维预制体之间的Ta4HfC5基体。
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公开(公告)号：CN110894164A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201811068099.3
申请日：2018-09-13
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/565 , C04B35/50 , C04B35/16
Abstract: 本发明涉及一种稀土硅酸盐层状分布的碳化硅陶瓷基复合材料及其制备方法，所述稀土硅酸盐层状分布的碳化硅陶瓷基复合材料包括纤维预制体、用于填充纤维预制体的SiC基体、环状分布在纤维预制体中纤维表面和SiC基体之间的至少2层稀土硅酸盐层、以及位于相邻稀土硅酸盐层之间的SiC层；优选地，所述稀土硅酸盐层的层数为2～3层。
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公开(公告)号：CN106588060B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201610990055.0
申请日：2016-11-10
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/573
Abstract: 本发明涉及一种高致密的碳化硅陶瓷基复合材料及其制备方法，包括：采用含有高产碳率树脂、低残碳率有机聚合物的前驱体液浸渍纤维预制体中，裂解后获得纤维/C熔渗预制体；以及将熔融的Si或熔融的Si与金属的合金渗入所述纤维/C熔渗预制体中进行熔渗反应，得到所述碳化硅陶瓷基复合材料。本发明通过添加低残碳率聚合物改变熔渗预制体中树脂裂解形成的碳的结构，促进反应熔渗时硅和碳的接触和反应，熔渗后金属在基体中呈弥散状分布并且有效避免了块状残余碳和块状残余金属的产生，从而显著提高复合材料的力学性能和热导率。
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公开(公告)号：CN106507851B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201318009074.8
申请日：2013-12-25
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C23C16/32 , C04B35/622 , C04B35/80
Abstract: 本发明公开了一种低热膨胀系数的纤维增强陶瓷基复合材料的制备方法，包括：首先、进行纤维预制体结构编织，所述纤维预制体的材料为碳纤维或碳化硅纤维，或二者的组合；其次、在纤维预制体表面制备界面相；第三、先采用化学气相沉积工艺，再采用有机前驱体浸渍裂解工艺对纤维预制体进行致密化处理。通过本发明可以得到热膨胀系数低的纤维增强陶瓷基复合材料。
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