公开(公告)号：CN214336728U

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202022023610.7

申请日：2020-09-15

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 胡伟达 ,  陈允枫 ,  王芳 ,  王振 ,  王鹏 ,  汪洋 ,  李庆 ,  何家乐 ,  谢润章 ,  张莉丽 ,  陈效双 ,  陆卫

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/102 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0216

Abstract: 本专利公开了一种范德瓦尔斯非对称势垒结构的红外探测器。所述探测器结构包括衬底、介质层、石墨烯层、二硫化钼层、黑磷层和金属源、漏电极。器件制备步骤是将机械剥离的石墨烯、二硫化钼和黑磷依次转移到具有介质层的衬底上，运用电子束曝光和热蒸发等工艺分别在黑磷和石墨烯上制作金属源、漏电极，形成了垂直结构的范德瓦尔斯单载流子红外光电探测器。利用二维材料丰富的能带结构和独特的物理特性，设计了多子阻挡的非对称势垒能带结构，可以对暗电流进行有效的抑制，进而实现了中波红外的室温黑体探测、偏振探测和红外成像。该探测器具有室温工作、多子阻挡、中波红外响应、灵敏度高、响应快及黑体探测等特点。

公开(公告)号：CN214797435U

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202120744682.2

申请日：2021-04-13

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 胡伟达 ,  彭孟 ,  王振 ,  谢润章 ,  余弈叶 ,  王鹏 ,  张莉丽 ,  王芳 ,  陈效双 ,  陆卫

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0272 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

Abstract: 本专利公开了一种黑体灵敏的室温低维碲红外光电探测器。其器件结构自下而上依次为是衬底、低维的纳米半导体，覆盖在器件两端的金属源漏电极。器件制备步骤是将CVD生长的碲(Te)纳米线或者纳米片转移到具有氧化物层的硅衬底上，运用激光直写或者电子束光刻的方法，结合热蒸发工艺制备金属电极作为半导体沟道的源极和漏极，形成纳米线半导体场效应晶体管结构，成为低维纳米光电探测器。器件首先需要在源极和漏极间施加一小电压，通过黑体光源光照下的电流信号变化，进而实现黑体探测。该黑体灵敏探测器具有室温工作、黑体灵敏、响应快、稳定性好及低功耗等特点。

公开(公告)号：CN209691770U

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201920414457.5

申请日：2019-03-29

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 王鹏 ,  彭孟 ,  胡伟达 ,  吴峰 ,  张莉丽 ,  陈效双 ,  陆卫

IPC: H01L31/112 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

Abstract: 本专利公开了一种利用二氧化铪钝化增强型低维纳米探测器，器件结构衬底自下而上依次为氧化物层、纳米半导体层、源电极，漏电极分别在纳米半导体层两侧，纳米半导体层其余部分被钝化介质层覆盖。器件制备步骤是将用CVD方法生长出的超薄硫化镉纳米带转移到具有氧化物层的硅衬底上，利用电子束曝光和热蒸发等工艺制作源、漏电极，然后再利用电子束曝光和原子层沉积等工艺制作二氧化铪钝化介质层，制备成低维纳米光电探测器。该探测器具有高灵敏、暗电流小、稳定性好、低功耗及宽光谱探测等特点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利