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公开(公告)号：CN110416311B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201910634807.3
申请日：2019-07-15
Applicant: 华东师范大学 , 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种非对称沟道介质环场效应晶体管，该晶体管包括源极、漏极、源极扩展区、漏极扩展区、沟道、栅极、衬底以及衬底中绝缘隔离层，设置在靠近漏极扩展区的纳米线沟道外围的绝缘介质环。所设的绝缘介质环结构由于其较大的介电常数和禁带宽度使得载流子在漏端发生隧穿的几率减小，有效减小了栅致漏极泄漏电流，开态电流几乎不会受到影响。并且该结构嵌于栅氧层内部，栅围电容不会增大，其动态特性不会受到影响。因此，在保持环栅器件的动态性能不被损害的前提下，降低器件的GIDL漏电，提高器件的电流开关比，从而提升集成电路性能。
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公开(公告)号：CN111786675A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010708674.2
申请日：2020-07-22
Applicant: 电子科技大学 , 上海华力微电子有限公司
Abstract: 一种基于动态追踪的电荷共享式模数转换器量化方法，本发明通过量化两个采样点之间的码字之差，由比较器的比较结果判定电容切换方向，将以二进制增大或减小的方式寻找采样点所在区间，直到比较结果反转，确定采样点所在区间，得到新的预测码字和最终的输出码字；DAC模块采用电荷分享切换方式，只需一组电容阵列，精简了电容阵列，减少了功耗；在预测不准确时引入两组电容替补阵列，在量化过程中除使用电容替补阵列外最多有1～2个电容进行切换，能够改善微分非线性DNL，从整体上降低了模数转换器的功耗；本发明尤其适用于传感器信号幅度变化缓慢且不会突变的温度传感器信号，可以大大减少比较器的比较次数和DAC的电容阵列切换次数。
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公开(公告)号：CN111145810A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911315992.6
申请日：2019-12-19
Applicant: 华东师范大学 , 上海华力微电子有限公司
IPC: G11C11/418 , G11C11/419
Abstract: 本发明公开了一种基于FDSOI器件背栅结构的静态随机存取存储器（SRAM），该新型静态随机存取存储器上所有的晶体管为FDSOI器件，器件的背栅与字线WL相连。在SRAM进行读写操作时，字线为高电平，使得PMOS阈值电压增大，NMOS阈值电压减小，从而加强了SRAM的写入能力，提高了读取电流；在保持状态下，字线WL为低电平，本发明的SRAM上的器件阈值电压与传统FDSOI SRAM上器件的阈值电压并无差异，因此静态功耗不变。
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公开(公告)号：CN110995159A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911257408.6
申请日：2019-12-10
Applicant: 电子科技大学 , 上海华力微电子有限公司
Abstract: 一种基于电阻式振荡器的数字温度传感器电路，属于数字模拟集成电路技术领域。本发明利用N个第一延时单元首尾相连构成延时链产生第一振荡器输出，利用N个第二延时单元首尾相连构成延时链产生第二振荡器输出，N为正奇数，第二延时单元包括一个第一延时单元串联一个与温度线性度比第一延时单元更好的第一电阻；再利用分频器和计数器获得第一振荡器输出信号的周期和第二振荡器输出信号的周期，根据第一振荡器输出信号和第二振荡器输出信号的周期差获得温度信息。在低电源电压供电条件下降低了数字温度传感器的功耗，实现了数字温度传感器的高线性度。
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公开(公告)号：CN110350918A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910644692.6
申请日：2019-07-17
Applicant: 电子科技大学 , 上海华力微电子有限公司
Abstract: 一种基于最小均方算法的数字后台校正方法，适用于分裂式SAR ADC。首先设置分裂式SAR ADC，并将设置好的分裂式SAR ADC进行基于最小均方算法的数字后台校正；分裂式SAR ADC包括两个ADC模块，每个ADC模块中主DAC电容阵列采用非二进制电容阵列，同时将主DAC冗余电容阵列中最高位电容的权重设置为最小，这样校正DAC电容阵列的随机切换可以有效的校正主DAC电容阵列中包括权重最大的电容在内的每个电容，提升ADC的线性度和动态范围；校正DAC随机切换方式的引入可以有效的解决两个ADC电容失配方向一致导致校正无效的问题；另外主DAC电容阵列引入冗余量，可以弱化系统在量化过程中引入的动态误差，保证了每次切换的正确性，提高迭代的速度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110246899A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910486506.0
申请日：2019-06-05
Applicant: 华东师范大学 , 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/08 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种具有双层侧墙结构的纳米片环栅场效应晶体管，该器件具有两层侧墙，靠近纳米片沟道的侧墙使用低介电常数（简称为low-k）和高热导率的材料，远离纳米片沟道的侧墙使用介电常数较高（简称为high-k）的材料。low-k材料构成的侧墙有利于器件的散热，high-k材料沟道的侧墙有利于加强器件栅极和沟道之间耦合作用，从而保证器件在较大的开态电流下仍然具有较好的散热作用。此外，通过改变low-k材料与high-k材料的厚度比例，可以灵活调控器件的散热能力和直流性能。
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公开(公告)号：CN110212886A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910644932.2
申请日：2019-07-17
Applicant: 电子科技大学 , 上海华力微电子有限公司
Abstract: 一种基于电流舵技术的二阶低通滤波器电路，第一电阻的输入端作为二阶低通滤波器电路的输入端，输出端连接第三电阻的输入端；第二电容的下极板连接第三电阻的输出端和运算放大器的输出端并作为二阶低通滤波器电路的输出端，上极板连接运算放大器的负向输入端；第一电容的上极板连接第二电阻的输入端，下极板连接运算放大器的正向输入端并连接共模电平；第一电流舵模块用于将第一电阻的输出端电流分流后流入第二电阻的输入端和流出二阶低通滤波器电路的信号通路；第二电流舵模块用于将第二电阻的输出端电流分流为两部分电流后流入第二电容和流出二阶低通滤波器电路的信号通路。本发明减小了低通滤波器对大的无源器件的需求，便于片上集成。
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公开(公告)号：CN110164958A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910337000.3
申请日：2019-04-25
Applicant: 华东师范大学 , 上海华力微电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种非对称型的可重构场效应晶体管，该晶体管包括沟道、设置在沟道一端的漏极和沟道另一端并向沟道内部延伸的源极、设置在沟道外侧的栅极氧化物、分别设置在源极和漏极端且栅极氧化物外侧的控制栅极和极性栅极、分别设置于沟道两端外侧、用于控制栅极、极性栅极和源极、漏极电学隔离的边墙以及设置于栅极氧化物外侧、用于隔离控制栅极与极性栅极的栅极隔离。本发明向沟道中延伸的源端与纳米线沟道的接触面积更大，提高了载流子的隧穿面积，增大开启电流。在关断时，漏极结构与一般性RFET漏极结构非交叠区域相同，泄漏电流基本保持不变，因此提升了电流开关比，在保证静态功耗不变的情况下，缩短逻辑门电流的运算延迟时间。
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公开(公告)号：CN106449761B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201611075479.0
申请日：2016-11-30
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的形成方法，所述半导体器件中，其有源区的表面为弧形表面，进而可在不改变有源区横向尺寸的基础上，提高所述半导体器件的沟道宽长比，改善器件的驱动电流。并且，还可在保证器件的驱动电流的基础上，进一步缩减有源区的尺寸，提高器件的集成度。此外，在本发明提供的半导体器件的形成方法中，通过结合传统的工艺制程，形成具有弧形表面的有源区，其工艺更为简单，在实际制作过程中，可维持更高的产品良率。
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公开(公告)号：CN106449761A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201611075479.0
申请日：2016-11-30
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/785 , H01L29/0692 , H01L29/66795
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其形成方法，所述半导体器件中，其有源区的表面为弧形表面，进而可在不改变有源区横向尺寸的基础上，提高所述半导体器件的沟道宽长比，改善器件的驱动电流。并且，还可在保证器件的驱动电流的基础上，进一步缩减有源区的尺寸，提高器件的集成度。此外，在本发明提供的半导体器件的形成方法中，通过结合传统的工艺制程，形成具有弧形表面的有源区，其工艺更为简单，在实际制作过程中，可维持更高的产品良率。
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