-
-
公开(公告)号：CN115664370A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211243754.0
申请日：2022-10-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及器件制备技术领域，提供了一种多传输零点的板波滤波器及信号处理电路，多传输零点的板波滤波器包括依次级联的并联谐振器和串联谐振器，并联谐振器和串联谐振器中存在至少两个谐振器的板波模式的面内传输方向不同，串联谐振器的反谐振点与并联谐振器的谐振点构成多个零点位置；面内传输方向为谐振器中叉指电极的法线方向；谐振器自上而下依次包括电极组件、压电薄膜和支撑衬底；压电薄膜与支撑衬底之间具有用于将谐振器的板波模式的能量约束在板波滤波器内的悬空结构，并联谐振器和串联谐振器所激发的声波模式均相同。通过设置不同面内传输方向的谐振器，可以大幅度调整谐振器的机电耦合系数，进而更灵活地实现多传输零点的板波滤波器。
-
公开(公告)号：CN115296636A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210308897.9
申请日：2022-03-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及谐振器制备领域，提供了一种声波谐振器的制备方法及其结构、滤波器，包括获取支撑衬底，在支撑衬底上制备第一电极层，该第一电极层的材料为碳化硅，对第一电极层进行区域化处理，使得第一电极层被划分为导电区域和绝缘区域，在第一电极层上制备压电薄膜，在压电薄膜上导电区域对应的区域制备第二电极层，得到声波谐振器。本申请在支撑衬底制备区域化导电碳化硅层作为底电极，并处于悬浮电位状态，器件在工作时仅需在顶电极上施加合适的激励信号，相较于传统FBAR结构无需将压电薄膜刻蚀出通孔以引出底电极，制造版图更加简单，且可以获得更高的谐振频率、更大的机电耦合系数、更小的损耗，可以提高器件的散热性能，提升器件的功率容量。
-
公开(公告)号：CN114362710A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111467179.8
申请日：2021-12-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03H9/02
Abstract: 本申请涉及微电子器件技术领域，特别是涉及一种声波谐振器，包括：支撑衬底、单晶压电层和图案化电极组件；单晶压电层位于支撑衬底的上表面；图案化电极组件位于单晶压电层远离支撑衬底的表面或嵌入单晶压电层远离支撑衬底的表面；图案化电极组件用于连接第一信号源；第一信号源用于在声波谐振器的工作过程中，对图案化电极组件输入第一电信号；图案化电极组件在接收到第一电信号的情况下，能够在声波谐振器内形成第一电场，以调节声波谐振器的电容；所述第一信号源包括直流信号源或交流信号源。本申请通过输入第一电信号，引入外加电场，通过外加电场调节器件的电容，从而使得声波谐振器的机电耦合系数变大，进而增大声波谐振器的工作带宽。
-
公开(公告)号：CN113922784A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111218430.7
申请日：2021-10-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请实施例所公开的一种声波谐振器及其制备方法，声波谐振器包括衬底、压电膜和多个叉指电极，其中，衬底具有空气腔，压电膜设置在衬底的上表面，多个叉指电极设置在压电膜的上表面，多个叉指电极包括第一叉指电极集合，第一叉指电极集合中每个第一叉指电极上开设有刻蚀通孔，刻蚀通孔贯穿第一叉指电极和压电膜，刻蚀通孔与空气腔连通。基于本申请实施例通过在第一叉指电极上开设刻蚀通孔，利用各向同性的刻蚀和释放工艺，可以控制多余的悬空区域的大小，在不影响器件性能的前提下，可以提高器件的功率容量，并且通过减小悬空区域可以提升器件机械稳定性，此外还可以抑制部分杂散波模式。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113676152A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110987487.7
申请日：2021-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子器件技术领域，本发明公开了一种弹性波谐振器及其制备方法。该弹性波谐振器包括由下至上依次设置的支撑衬底、压电薄膜和叉指电极结构；该支撑衬底上设有孔；该叉指电极结构包括第一总线、第二总线、第一叉指电极和第二叉指电极；该第一总线的第一端与该第二总线的第一端相对，且存在预设距离；该第一叉指电极设于该第一总线上；该第二叉指电极设于该第二总线上；该第一叉指电极的形状和该第二叉指电极的形状为弧形。从而使得该弹性波谐振器不仅能够有效获得高阶兰姆波的模式，且有效抑制其他杂散模式的基础上，提高器件的功率容量。
-
公开(公告)号：CN113381724A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110750879.1
申请日：2021-07-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种体声波谐振器及其制备方法，所述体声波谐振器包括：支撑衬底；压电层，形成于所述支撑衬底的上表面，所述压电层中形成有基于刻蚀孔定义的图案化有源区，所述刻蚀孔暴露出所述支撑衬底的上表面；一对顶电极，形成于所述压电层的上表面，且至少形成于所述图案化有源区的相对两侧。通过本发明提供的体声波谐振器及其制备方法，解决了现有体声波谐振器在激发主模的同时存在其他杂波的问题。
-
公开(公告)号：CN113114158A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110512905.7
申请日：2021-05-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种兰姆波谐振器及弹性波装置，所述兰姆波谐振器包括：支撑衬底；压电薄膜，形成于所述支撑衬底的上表面；叉指电极，形成于所述压电薄膜的上表面；高热导率薄膜，至少形成于所述叉指电极未覆盖的所述压电薄膜的上表面，及/或，形成于所述支撑衬底和所述压电薄膜之间；空气腔，形成于所述支撑衬底中，并使叉指电极所在区域的压电薄膜和高热导率薄膜悬空于所述支撑衬底上方。通过本发明提供的兰姆波谐振器及弹性波装置，解决了现有器件功率容量低的问题。
-
公开(公告)号：CN111865257A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010627339.X
申请日：2020-07-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及一种声波谐振器及其制备方法，制备方法包括：获取支撑衬底；在支撑衬底上通过离子束剥离和键合法形成单晶薄膜层；在单晶薄膜层上外延形成高声速层；在高声速层上形成压电层；在压电层上形成图案化电极；其中，高声速层中传播的体波声速大于压电层中传播的目标弹性波声速。本申请通过在压电层下设置高声速层，可以有效提高器件的工作频率和品质因子；且利用离子束剥离和键合技术可重复转移价格昂贵或无法直接在衬底上外延得到的单晶薄膜层，如此，可以降低制备成本；同时利用外延技术在单晶薄膜层上沉积高声速层，得到约束声波能量的最佳厚度的高声速层，如此，可以提高声波谐振器的带宽和品质因子。
-
公开(公告)号：CN111817678A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010631496.8
申请日：2020-07-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及一种单片式混合集成声波谐振器阵列及其制备方法，声波谐振器阵列包括支撑衬底；位于支撑衬底上表面的压电层；压电层包括多个厚度不相同的区域；压电层与支撑衬底接触的一面平整或压电层远离支撑衬底的一面平整；位于压电层上表面的叉指电极阵列；叉指电极阵列中几何特征相同的多个叉指电极与多个厚度不相同的区域一一对应；叉指电极阵列中几何特征不同的多个叉指电极在压电层上的对应区域的厚度相同；且几何特征不同的多个叉指电极对应的多个目标声波模式不同。本申请中声波谐振器阵列的工作频率可以同时覆盖低频、中频和高频频段，如此，可以解决实际应用中需要将分立声波谐振器进行系统级集成导致的工艺、设计复杂等问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
80
records
(took 0.043 seconds)
