公开(公告)号：CN106209003A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610527875.6

申请日：2016-07-06

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  黄凯 ,  贾棋 ,  张师斌 ,  游天桂 ,  王曦

IPC: H03H3/02 ,  H03H9/02

CPC classification number: H03H3/02 ,  H03H9/02015 ,  H03H2003/023

Abstract: 本发明提供一种利用薄膜转移技术制备薄膜体声波器件的方法，包括：1）提供氧化物单晶衬底；2）自注入面向所述氧化物单晶衬底内进行离子注入，而后在注入面形成下电极；或在注入面形成下电极，而后自注入面向氧化物单晶衬底内进行离子注入；3）提供支撑衬底，将步骤2）得到的结构与支撑衬底键合；4）沿缺陷层剥离部分氧化物单晶衬底，得到氧化物单晶薄膜，氧化物单晶薄膜及下电极转移至支撑衬底上；5）腐蚀支撑衬底以形成空腔；6）在氧化物单晶薄膜表面形成上电极。本发明提供一种新的方法制备金属电极-单晶氧化物-金属电极的薄膜体声波滤波器核心结构，有效解决金属电极间无法制备单晶氧化物的问题。

公开(公告)号：CN105895576A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610527885.X

申请日：2016-07-06

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  黄凯 ,  贾棋 ,  游天桂 ,  王曦

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明提供一种离子注入剥离制备半导体材料厚膜的方法，包括以下步骤：提供衬底，在所述衬底内进行离子注入，离子注入的能量足以使注入离子到达所述衬底内的预设深度，并在所述预设深度处形成缺陷层；沿所述缺陷层剥离部分所述衬底，以得到厚度足以自支撑的厚膜。本发明通过高能量的离子注入，可以形成厚度足以自支撑的厚膜，不需要支撑衬底，可以从一块半导体材料上分离出多片厚膜，从而提高半导体材料的利用率，降低生产成本；同时，本发明制备的厚膜不需要键合工艺，简化了剥离制备工艺，提高了应用的可靠性。

公开(公告)号：CN204529301U

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201520177296.4

申请日：2015-03-26

Applicant: 江苏尚飞光电科技有限公司 ,  中科院南通光电工程中心 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李伟 ,  甘甫烷 ,  李明 ,  贾棋 ,  武爱民 ,  盛振 ,  王曦

IPC: B81B1/00 ,  B81C99/00 ,  H01S3/08

Abstract: 本实用新型提供一种光学微纳谐振腔结构，所述光学微纳谐振腔结构包括两个对工作电磁波具有全反射功能的单排粒子链，所述单排粒子链由多个间隔排列的粒子组成，所述两个单排粒子链之间的间隔距离使得所述光学微纳谐振腔结构的共振波长为工作电磁波的波长。本实用新型利用了单排粒子链对于特定偏振光的全反射特性，通过优化单排粒子链的结构以及两个单排粒子链之间的距离，获得了一种新型的高品质因子光学微纳谐振腔。本实用新型利用两个单排粒子链的全反射所设计的谐振腔，具有低损耗、高品质因子和小尺寸的特点，在集成光学领域具有很好的应用前景。