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公开(公告)号：CN103199054B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201210006254.5
申请日：2012-01-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及一种制作穿硅通孔(Through Silicon Via，TSV)时采用的二次湿法腐蚀晶圆的分离工艺，其特点在于首先将裸支撑晶圆进行第一次KOH湿法腐蚀到一定厚度后，通过溅射TiW和Au层，与TSV晶圆进行Au‑Au键合。待TSV晶圆完成TSV电镀填充后，对裸支撑晶圆进行第二次KOH湿法腐蚀去除，最后放入Au腐蚀液去掉键合介质，获得完整的TSV晶圆。该方法操作简便，成本低，具有较高的可靠性和实用性。
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公开(公告)号：CN103203925B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201210013248.2
申请日：2012-01-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: G03F7/027 , H01L21/311 , H01L23/3171 , H01L23/49894 , H01L23/5329 , H01L23/562 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种提升光敏BCB薄膜可靠性的方法，该方法首先提供一衬底，在所述衬底表面涂覆一层粘附剂；而后在所述粘附剂的表面涂覆光敏BCB，并光刻所述光敏BCB直至暴露出衬底，按前述相同手段并根据所需层数制备出至少一层的多个光敏BCB单元，形成作为介质层的BCB薄膜。本发明一方面减少升温降温过程中出现的热应力，降低了热应力对整片衬底的翘曲影响，同时由于光敏BCB单元间的热应力减少，从而单个光敏BCB单元产生的裂纹或其它可靠性问题不会蔓延到所有光敏BCB单元；另一方面，光刻形成的无BCB覆盖的槽，可作为划片道使用，以减少在划片时出现的BCB脱落的情况，即在不增加成本的前提下，有效地提升了可靠性。
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公开(公告)号：CN102110673B
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201010523659.7
申请日：2010-10-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L25/00 , H01L23/31 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L21/50 , H01L21/768
CPC classification number: H01L24/19 , H01L2224/04105 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2924/1423 , H01L2924/15153 , H01L2924/3025
Abstract: 本发明涉及一种光敏BCB为介质层的圆片级MMCM封装结构及方法，其特征在于：1)在硅基板上制作出带有埋置腔体和金属地屏蔽层；2)使用光敏BCB作为介质层，利用光刻显影工艺在BCB形成互连通孔结构；3)金属层和介质层交替出现形成多层互连封装结构。所述的方法是在硅基板上腐蚀或刻蚀出埋置用腔体，溅射金属种子层并电镀形成GND，埋入MMIC芯片，使用导电胶粘结芯片与基板，涂敷光敏BCB并光刻显影出互连通孔图形，固化等工艺步骤，实现多层MMCM封装。所述的介质层厚度为20-35μm。在多层互连结构中还可集成电容、电阻、电感、功分器和天线无源器件，或者通过表面贴装工艺集成分立元器件，实现模块的功能化。
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公开(公告)号：CN103199054A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201210006254.5
申请日：2012-01-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及一种制作穿硅通孔(Through Silicon Via，TSV)时采用的二次湿法腐蚀晶圆的分离工艺，其特点在于首先将裸支撑晶圆进行第一次KOH湿法腐蚀到一定厚度后，通过溅射TiW和Au层，与TSV晶圆进行Au-Au键合。待TSV晶圆完成TSV电镀填充后，对裸支撑晶圆进行第二次KOH湿法腐蚀去除，最后放入Au腐蚀液去掉键合介质，获得完整的TSV晶圆。该方法操作简便，成本低，具有较高的可靠性和实用性。
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