公开(公告)号：CN102988041A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210465494.1

申请日：2012-11-16

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 刘明 ,  张树林 ,  曾佳 ,  邱阳 ,  李华 ,  王永良 ,  孔祥燕 ,  谢晓明

IPC: A61B5/0402

Abstract: 本发明涉及一种心磁信号噪声抑制中的信号选择性平均方法，其特征在于所述的方法基于模版匹配的方式，通过计算模版信号与被检信号之间的相似系数，经阀值判断剔除部分干扰周波进行平均，以实现可选择信号平均。本方法的特点是利用模版匹配剔除信号中存在噪声干扰或异常信号的周波，避免对平均信号结果引入不必要的噪声引发信号失真，灵活度大，适用于实际采集心磁信号过程中遇到的各种干扰问题。

公开(公告)号：CN102988038A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210546676.1

申请日：2012-12-14

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 曾佳 ,  邱阳 ,  张树林 ,  王永良 ,  孔祥燕 ,  刘明 ,  李华

IPC: A61B5/04

Abstract: 本发明涉及一种用于无屏蔽的心磁图仪的一阶梯度补偿模块及方法，其特征在于所述的一阶梯度补偿模块式以引入的3个z方向参考磁强计与已知的三轴模块中的z方向参考磁强计共同构筑而成的；所述引入的3个z方向参考磁强计分别为SQz1、SQz2和SQz3，其中SQz1和SQz2与三轴模块的SQz在同一平面内，SQz3和SQz为同一轴线。所述的补偿方法1）首先，构筑一阶梯度补偿模块，模块与梯度计相对位置保持一定；2）进行低温测试并在软件算法上优化；3）采集真实心磁信号。本发明不局限于无屏蔽心磁图仪而且适用于多通道无屏蔽或有屏蔽的心磁图仪。

公开(公告)号：CN1731637A

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN200510029274.4

申请日：2005-08-31

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李爱珍 ,  林春 ,  李华 ,  李存才 ,  胡建 ,  顾溢 ,  张永刚 ,  徐刚毅

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01S5/00

Abstract: 本发明涉及用气态源分子束外延技术生长含砷含磷量子级联激光器结构原子层尺度外延材料质量控制方法。包括：(1)外延层原子层界面砷/磷原子混凝控制方法；(2)外延层的组份均匀性的控制；(3)外延层厚度的控制以及(4)外延层施主掺杂的控制方法。上述四方面质量控制已成功地用气态源分子束外延一步生长方法制备出一系列25级至100级含400－2200层的中红外波段InP基含砷含磷InP/InAlAs/InGaAs量子级联激光器结构材料。所制备的400－2200层的QCL结构都能做出优质器件，表明本发明的QCL原子层尺度外延材料质量控制方法是成功的。其思路也适合于其它III－V族化合物半导体材料与器件。