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发明公开
基于Si/SiGe/Si量子阱MOSFET的生物传感器及其制备方法无效

公开(公告)号：CN104730111A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201510141251.6

申请日：2015-03-27

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 文娇 , 俞文杰 , 刘畅 , 赵清太 , 王曦

IPC: G01N27/00

Abstract: 本发明提供一种基于Si/SiGe/Si量子阱MOSFET的生物传感器及其制备方法，所述制备方法包括：1）提供一Si/SiGe/SOI衬底；2）于所述Si/SiGe/SOI衬底表面制作出器件区域；3）于Si/SiGe/Si顶层两侧中注入P型离子，形成P+源区及P+漏区；4）于所述Si/SiGe/SOI衬底表面形成介质层；5）于与所述P+源区及P+漏区对应的介质层中形成金属接触开孔，并制作金属接触电极；6）制作电极保护层，并露出栅极传感区域；7）制作背栅；8）对栅极传感区域表面进行表面活化修饰。本发明采用高迁移率材料的SiGe材料作为沟道，且Si/SiGe/Si的量子阱的结构，在同样工艺下将得到更高信噪比的信息，从而与常规硅器件相比具有更高的灵敏度，可以对生物分子进行高灵敏的检测。

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