公开(公告)号：CN102879609B

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201210418979.5

申请日：2012-10-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 车录锋 ,  周晓峰 ,  熊斌 ,  王跃林

IPC: G01P15/125 ,  B81C1/00

CPC classification number: G01P15/125 ,  B32B37/16 ,  B32B38/0008 ,  B32B38/10 ,  B32B2307/20 ,  B32B2307/202 ,  B32B2307/206 ,  B32B2310/0881 ,  B32B2310/14 ,  B32B2457/16 ,  G01P1/00 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0822

Abstract: 本发明提供一种“H”形梁的电容式加速度传感器及制备方法。该传感器至少包括：第一电极结构层、中间结构层及第二电极结构层；其中，第一电极结构层与第二电极结构层分别设置有电极引出通孔；所述中间结构层包括：形成在具有双器件层的含氧硅基片的边框、双面对称的质量块、及一根梁连接边框、另一根梁连接质量块且双面对称的“H”形弹性梁，在两质量块的两面对称地设有防过载凸点及阻尼调节槽，且“H”形弹性梁与含氧硅基片的体硅层间满足条件： a和c为两根梁的宽度，b为两根梁之间的间隙，d为梁与质量块连接处的连接宽度，h为体硅层厚度。本发明的制备方法简单，成品率高；形成的器件具有高度法向的对称性，抗侧向冲击和扭转冲击的能力强，交叉灵敏度低。

公开(公告)号：CN103063876A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201310002407.3

申请日：2013-01-05

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 车录锋 ,  周晓峰 ,  陶若杰 ,  王跃林

IPC: G01P15/125 ,  B81C3/00 ,  B81B7/02

CPC classification number: G01P15/125 ,  B81C1/00341 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0814 ,  G01P2015/0871 ,  Y10T29/417

Abstract: 本发明提供一种变面积型电容式横向加速度传感器及制备方法。该加速度传感器至少包括：由相互电性隔离的第一基底、第二基底及第三基底键合成的三层层叠结构，其中，第二基底包括可动质量块、围绕可动质量块的边框、连接可动质量块及边框的弹性梁、处于可动质量块两表面的多个第二栅状电极、设于所述可动质量块的防过载结构等；第一基底的多个第一栅状电极与第二基底的多个第二栅状电极分别对应成电容结构，第三基底的多个第三栅状电极与第二基底的多个第二栅状电极分别对应成电容结构，并且此两组电容形成差分电容结构。本发明的优点包括灵敏度高、线性度好，且可基于需要来设计不同梁形状，故能制备不同灵敏度的电容式加速度传感器，灵活性大。