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公开(公告)号：CN110429030B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201910696974.0
申请日：2019-07-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/28
Abstract: 本发明适用于半导体器件技术领域，提供了一种纳米栅的制备方法，包括：根据第一介质层表面沉积的第一光刻胶上的光刻胶图形，对第一介质层表面光刻胶图形以外的区域进行第一次刻蚀，去除第一次刻蚀后的第一介质层表面沉积的第一光刻胶，获得衬底和第一次刻蚀后的第一介质层构成的台阶结构；在台阶结构的水平表面和垂直侧壁上沉积金属层，并在金属层的表面生长第二介质层；对金属层和第二介质层进行第二次刻蚀；在第二次刻蚀后的台阶结构上生长第三介质层，并对第三介质层表面进行抛光，使第三介质层上表面齐平并露出金属层对应的金属，获得纳米栅。本发明利用台阶垂直侧壁的金属层作为纳米栅，可以精确控制纳米栅的尺寸，降低纳米栅的制作难度。
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公开(公告)号：CN113871464A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202110994144.3
申请日：2021-08-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供了一种硅终端金刚石场效应晶体管及其制备方法，属于场效应晶体管器件技术领域，制备方法包括在金刚石衬底的上表面形成氢终端；在氢终端的上表面形成源极和漏极；在源极的上表面、漏极的上表面、源极和漏极之间的氢终端的上表面形成钝化介质层；去除源极和漏极之间的部分钝化介质层，使得对应部分的氢终端的上表面裸露；在其余钝化介质层的上表面、氢终端裸露的上表面形成SiO2介质层，得到对应氢终端裸露部分的硅终端；在SiO2介质层对应硅终端的上表面形成栅极。如此设置，可以得到硅终端金刚石，可以实现常关型金刚石场效应晶体管，实现较低的界面态密度和较高的介质质量，具有良好的直流和射频性能。
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公开(公告)号：CN112331724A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011134697.3
申请日：2020-10-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/028 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种金刚石NV色心光电传感器、阵列及其制备方法，所述光电传感器包括金刚石衬底、外延生长在金刚石衬底表面的掺氮外延层、设置在掺氮外延层上表面的滤光膜和生长在滤光膜表面的光电传感器。所述制备方法为在金刚石衬底上首先制作产生NV色心的金刚石柱，然后进行平面填充后，制作滤光膜和光电传感器，最后将平面填充的的材料去除，得到金刚石NV色心光电传感器阵列。本发明制备的金刚石NV色心光电传感器实现了微小尺寸的集成和批量化生产。
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公开(公告)号：CN109786233B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201910044410.9
申请日：2019-01-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/28 , H01L21/44 , H01L21/34 , H01L21/336 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种非对称表面沟道场效应晶体管的制备方法及功率器件，属于微波功率器件技术领域，包括以下步骤：淀积金属掩膜层；制备第一光刻胶层；形成源区域图形和漏区域图形；在源区域图形和漏区域图形部位淀积源金属层和漏金属层；剥离去除第一光刻胶；涂覆两层光刻胶层；光刻栅腐蚀窗口图形和场板金属窗口图形，并腐蚀对应部位的金属掩膜层，淀积栅金属层和场板金属层，其中，栅金属层的两侧与对应侧未腐蚀的金属掩膜层间距不等，有效栅源间距小于有效栅漏间距的器件。本发明提供的非对称表面沟道场效应晶体管的制备方法，有效栅源间距小于有效栅漏间距的器件，能够兼顾饱和电流，有效提高击穿电压和工作电压，提高器件的功率密度。
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公开(公告)号：CN109437169A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811473682.2
申请日：2018-12-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种制备超低褶皱密度石墨烯材料的方法，其是在绝缘衬底上通过化学气相沉积进行石墨烯材料的生长，以氢气作为载气，通入气态碳源和氮气，通过梯度法控制生长条件制备超低褶皱密度石墨烯材料。所述梯度法是将石墨烯生长过程分为低温阶段、升温阶段和高温阶段，分别控制三个阶段的温度、气体流量和压力等条件，使石墨烯在绝缘衬底上均匀分布，褶皱密度可降低至1×10-5个/μm2以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109399620A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811477126.2
申请日：2018-12-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种制备高迁移率碳化硅基石墨烯材料的方法，其是在碳化硅衬底上通过化学气相沉积进行石墨烯材料的生长，以氢气和氩气作为载气，通入气态碳源、氮气和气态乙醇，在1400-1800℃、500-1000mbar压力下生长1-100min，制得所述高迁移率碳化硅基石墨烯材料。本发明方法制得的石墨烯材料表面褶皱密度低，载流子迁移率高，方块电阻不均匀性低。
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公开(公告)号：CN107731916A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710948671.4
申请日：2017-10-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/10 , H01L29/16 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/1029 , H01L29/1602 , H01L29/66045
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及利用异质结形成金刚石n型导电沟道的方法，涉及半导体器件的制作方法技术领域。所述方法包括：在衬底上形成高阻金刚石层；在所述高阻金刚石层的上表面沉积具有施主特性且组分缓变的三元化合物形成第一施主层，在所述金刚石层与第一施主层的界面处形成一个缓变异质结，在金刚石一侧，近结处形成二维电子气，利用二维电子气作为n型导电沟道。所述方法可使n型金刚石材料沟道内的载流子浓度和迁移率分别达到1013cm-2和2000cm2/Vs。
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公开(公告)号：CN107481935A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710632626.8
申请日：2017-07-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种金刚石基场效应晶体管的制备方法，涉及半导体技术领域。该方法包括以下步骤：在金刚石层的上表面形成导电层；在所述导电层的上表面覆盖掩膜层；去除无源区域对应的掩膜层和导电层；分别去除源区对应的掩膜层和漏区对应的掩膜层；分别在所述源区和所述漏区形成源区高掺杂区和漏区高掺杂区；分别激活所述源区高掺杂区、所述漏区高掺杂区和所述导电层的载流子；分别在所述源区高掺杂区的上表面和所述漏区高掺杂区的上表面覆盖第一金属层，形成源极和漏极；在栅区对应的掩膜层的上表面覆盖第二金属层，形成栅极。本发明能够提高器件的耐击穿特性，降低器件的欧姆接触电阻。
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公开(公告)号：CN118910738A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411038981.9
申请日：2024-07-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种金刚石表面抛光损伤层的去除方法，属于金刚石技术领域，包括步骤依次为：对金刚石表面进行精抛光处理；将抛光后的金刚石使用电感耦合等离子体刻蚀机进行处理，其中使用的刻蚀气体为Cl2与Ar的混合气体；将处理后的金刚石送入MPCVD设备的腔体内部，利用氢等离子体进行刻蚀；使用显微镜观察金刚石表面形貌，分析金刚石表面缺陷情况。本发明提供的金刚石表面抛光损伤层的去除方法，解决了金刚石表面抛光损伤层不易去除，导致其物理特性下降，限制了金刚石器件性能的提升的技术问题，能够有效去除金刚石抛光工艺引入的表面应力损伤，最后提高金刚石表面层的晶体质量，从而进一步为金刚石器件提供高质量衬底材料。
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公开(公告)号：CN118311486A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410374558.X
申请日：2024-03-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R33/24
Abstract: 本发明适用于金刚石色心量子传感技术领域，提供了一种金刚石NV色心磁强测量方法及系统，该方法包括：控制系统中的微波信号源进行扫频，并获取扫频过程中系统的锁相放大器输出的电压信号；根据电压信号，确定当前磁场强度下的光探测磁共振谱线；根据光探测磁共振谱线，确定金刚石NV色心的NV轴方向对应的微波共振频率；基于金刚石NV色心的NV轴方向对应的微波共振频率对微波信号源进行锁频，以使系统测量磁场强度。本发明能够解决基于磁通量聚集器技术的磁测量方法测量量程低的问题。
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