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公开(公告)号：CN113412162A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202080010905.0
申请日：2020-01-17
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社
IPC: B05B17/06
Abstract: 本发明的目的在于提供一种实现了耐久性的提高的超声波雾化装置。而且，在本发明的超声波雾化装置(101)中，分隔杯(12)以及四个超声波振子(2)以满足“四个反射波(W2)不被四个超声波振子(2)中的任一个接收”这一反射波避免条件的方式设置。具体而言，分隔杯(12)的底面(BP1)被设定为设定曲率(K1)比以往的设定曲率(K6)大。而且，四个超声波振子(2)各自的距水槽(10)的底面的中心点(C10)的距离(D1)被设定为比以往的距离(D6)长。
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公开(公告)号：CN108699681B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201680082399.X
申请日：2016-04-26
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社
IPC: C23C14/50 , C23C16/02 , C23C16/44 , H01L21/677
Abstract: 本发明的目的在于提供一种将装置成本抑制到最小限度、并且抑制在成膜对象的基板产生翘曲或裂纹的现象的成膜装置。然后，本发明中，进行向基板装载台(3)的基板投入动作(M5)的吸附抓持器(4A)以及进行从基板装载台(3)的基板取出动作(M6)的吸附抓持器(4B)具有加热机构(42A以及42B)。因此，即使在由各吸附抓持器(4A以及4B)实现的基板(10)的抓持状态下，也能够进行通过加热机构(42A以及42B)对基板(10)进行加热的第一以及第二预加热处理。
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公开(公告)号：CN104755174B
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201280076801.5
申请日：2012-11-05
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社
CPC classification number: C23C16/455 , B05B1/044 , B05B7/0012 , B05B7/0075 , B05B7/0483 , B05B12/18 , B05B14/00 , B05B15/55 , C23C16/4412 , C23C16/4486 , C23C16/46
Abstract: 本发明提供一种成膜装置，其能够在基板上形成膜质良好的膜，能够将溶液有效地用于成膜处理，能够实现装置整体的小型化。因此，在本发明的成膜装置中，具备喷嘴(1)、第一室(2)、第一气体供给口(3a)、第二室(4)、贯通孔(5)以及喷雾口(10)。从喷嘴(1)喷射的液滴化了的溶液收纳于第一室(2)，通过来自第一气体供给口(3a)的气体，在第一室内(2)内使溶液雾化。雾化后的溶液通过贯通孔(5)从第一室(2)向第二室(4)移动，从设置于第二室(4)的喷雾口(10)朝向基板(50)雾状喷射。
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公开(公告)号：CN104203828B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201280071728.2
申请日：2012-03-28
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社
IPC: C23C18/12
CPC classification number: C23C18/1216 , C23C18/1258 , C23C18/1291 , C23C18/1295 , C23C18/14 , H01B1/08 , H01L31/1884 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供能够以低成本制作低电阻的金属氧化膜的金属氧化膜的制造方法。在本发明的金属氧化膜的制造方法中，用含有锌的溶液(7)对非真空下配置的基板(1)进行喷雾，进一步用含有掺杂剂的掺杂剂溶液(5)对基板(1)进行喷雾。然后，对成膜后的金属氧化膜(10)实施低电阻化处理。在此，供给至基板(1)的掺杂剂的摩尔浓度相对于供给至基板(1)的锌的摩尔浓度为规定的值以上。
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公开(公告)号：CN105121699A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201380075709.1
申请日：2013-04-17
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社 , 国立大学法人京都大学 , 高知县公立大学法人
CPC classification number: C23C16/4486 , C23C16/455 , C23C16/50 , C23C18/1216 , C23C18/14
Abstract: 本发明提供一种能够实现所形成的膜密度的提高的成膜方法。对此，在本发明的成膜方法中，通过向基板(10)雾状喷射雾化的溶液，从而在基板上形成膜。接下来，中断成膜工序。接下来，向基板照射等离子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116583719A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202180083210.X
申请日：2021-11-26
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社
Abstract: 本公开的目的是提供一种能够精度良好地求出原料雾的流量的雾流量测量装置。并且，在本公开的雾流量测量装置，摄像机(5)在透明配管(10)内执行将流过含雾气体(G3)的雾流通区域的至少一部分作为摄像对象区域的反射光(L2)的摄像处理，取得摄像信息(S5)。雾流量运算部(16)基于摄像信息(S5)执行雾流量运算处理。雾流量运算处理包含求出摄像信息(S5)表示的多个亮度值的总和即亮度总和值的总和值运算处理，和根据上述亮度总和值导出原料雾(3)的流量的流量导出处理。
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公开(公告)号：CN111868297A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201980017252.6
申请日：2019-02-28
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社
IPC: C23C16/455 , B05D3/02
Abstract: 本发明的目的在于提供一种成膜装置，能够不使成膜品质、成膜速度降低地在基板上成膜出薄膜，且实现成膜处理的生产率的提高。本发明中，在加热室(H1)的加热空间(91)内执行通过输送机(33)使基板(10)沿着基板移动方向(D1)移动的第一加热处理。然后，执行通过输送机(13)使基板(10)沿着搬运方向(D3)移动的第一搬运处理。此时，通过薄膜形成喷嘴(11H，11L)向基板(10)喷射原料雾(MT)。接着，执行基于输送机(43)的第二加热处理。然后，执行基于输送机(23)的第二搬运处理。此时，通过薄膜形成喷嘴(12H，12L)向基板(10)喷射原料雾(MT)。
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公开(公告)号：CN107683346B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201580080986.0
申请日：2015-06-18
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社 , 国立大学法人京都大学 , 高知县公立大学法人
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/44 , H01L21/31 , H01L21/316
Abstract: 本发明的目的在于提供一种提高生产效率且得到高品质的金属氧化膜的金属氧化膜的成膜方法。并且，本发明的成膜方法实施以下的处理。在溶液容器(15)内，使含有金属元素即铝的原料溶液(14)雾化而得到原料溶液雾(M1)。在独立于溶液容器(15)的溶液容器(25)内，使含有氧化铝形成用的反应助剂的反应辅助溶液(24)雾化而得到助剂雾(M2)。并且，经由路径(L1)和(L2)向设置于反应容器(11)内的喷嘴(12)供给原料溶液雾(M1)和助剂雾(M2)。然后，在喷嘴(12)内使原料溶液雾(M1)和助剂雾(M2)混合而得到混合雾(M3)，向处于加热状态的P型硅基板(4)的背面上供给混合雾(M3)。
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公开(公告)号：CN107683347B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201580080989.4
申请日：2015-06-18
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社 , 高知县公立大学法人 , 国立大学法人京都大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/44 , H01L21/31 , H01L21/316
Abstract: 本发明的目的在于提供一种提高生产效率且得到高品质的金属氧化膜的金属氧化膜的成膜方法。并且，本发明的成膜方法实施以下的处理。在溶液容器(15)内，使含有金属元素即铝的原料溶液(14)雾化而得到原料溶液雾(M1)。在独立于溶液容器(15)的溶液容器(25)内，使反应辅助溶液(24)雾化而得到助剂雾(M2)。经由相互独立的路径L1和L2将得到的原料溶液雾(M1)和助剂雾(M2)供给到混合容器(8)中后，在混合容器(8)内，将原料溶液雾(M1)和助剂雾(M2)混合而得到混合雾(M3)。并且，在与混合容器(8)独立地设置的反应容器(11)内，向在大气压下处于加热状态的P型硅基板(4)的背面上供给混合雾(M3)。
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公开(公告)号：CN108699692A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201680082592.3
申请日：2016-04-26
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供将装置成本抑制为最低限，且有效地抑制在成膜对象的基板产生翘曲、破裂的现象且能够发挥高处理能力的成膜装置。并且，本发明具有基板堆叠工作台(3A以及3B)，其分别载置基板(10)，并具有对载置的基板进行吸附的吸附机构(31)以及对载置的基板进行加热的加热机构(32)。利用基板移载机构(8)对基板堆叠工作台(3A以及3B)执行以速度(V0)依次穿过薄膜形成喷嘴(1)的喷射区域(R1)内的搬运动作。上述搬运动作包括巡回搬运处理，该巡回搬运处理将基板堆叠工作台(3A以及3B)中的、作为所载置的全部基板(10)穿过了喷射区域(R1)的一方基板载置工作台(3)，以巡回速度向另一方基板载置工作台(3)的后方巡回配置。
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