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公开(公告)号：CN102086021B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201010620619.4
申请日：2010-12-31
Applicant: 东南大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开一种跨微纳尺度集成流道的制备方法，属于微纳制造领域，具体步骤为：第一步，在硼硅玻璃微流道之间制备硼硅玻璃隔膜，第二步，对硼硅玻璃隔膜进行热处理使玻璃分相，第三步，采用腐蚀液对硼硅玻璃隔膜进行腐蚀形成纳米孔洞，使得硼硅玻璃微流道之间连通，从而得到跨微纳尺度集成流道。本发明通过硼硅玻璃流道在热成型过程中腔壁互相挤压过程中形成厚度为微米至亚微米甚至更薄的硼硅玻璃隔膜，对其进行热处理使硼硅玻璃分相，再利用腐蚀液去处富硼相，可以使得玻璃隔膜在最薄处导通，形成纳米尺度的连通孔。该方法过程简单，不需要特别的设备，成本较低，流道可重复使用。
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公开(公告)号：CN103604535B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201310612238.5
申请日：2013-11-27
Applicant: 东南大学
IPC: G01L1/14
Abstract: 一种基于差分电容电桥的残余应力测试结构，包括衬底、两组下极板、测试机构和置于衬底上的四个锚区；所述两组下极板沉积于衬底上表面，两组测试机构为尺寸材料完全相同的两组机构，通过测试机构的上极板覆盖下极板形成四个电容，利用电容之间连接形成的桥式电容，其中两个电容随应力大小会变化，另两个始终固定不变，构成检测差分电容的电容桥，使应力检测更加方便、精确。与普通的光学方法相比，检测无需大型设备，简单易行。
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公开(公告)号：CN103604534B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310611767.3
申请日：2013-11-27
Applicant: 东南大学
IPC: G01L1/14
Abstract: 一种增强型偏转电容式表面微机械加工残余应力测试结构，包括衬底、沉积于衬底上表面的下极板、悬置在下极板上方的上极板以及置于衬底上的锚区；还有两个完全相同的辅助旋转结构；辅助旋转结构包括横梁、纵梁和两个辅助横梁；横梁的一端连接上极板，另一端连接纵梁；在应力作用下各个梁产生形变，使得电容值发生变化，测量电容值即可得到应力变化。旋转结构的设计加大了主纵梁的旋转幅度，显著增大测量电容的变化量，该测试结构简单，易于加工，对测试仪器无特殊要求，为残余应力的测试提供了一种很好地途径。
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公开(公告)号：CN103604533A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310611720.7
申请日：2013-11-27
Applicant: 东南大学
IPC: G01L1/14
Abstract: 一种偏转电容式表面微机械加工残余应力测试结构，包括衬底、两块下极板和上极板、左横梁、右横梁和两个锚区；下极板沉积于衬底上表面；两个锚区置于衬底上；上极板悬置在下极板上方；左横梁和右横梁完全相同，分别位于上极板的横向中轴线L两侧，且相距中轴线L的距离相等；左横梁的右侧连接上极板左侧，左横梁的左侧固定在一个锚区侧面；右横梁的左侧连接上极板右侧，右横梁的右侧固定在另一个锚区侧面；上极板与左横梁和右横梁位于同一平面。该发明结构简单，易于加工且测试设备简单、精度高，通过增加测试结构中电容上、下极板的面积可以提高测量精度，且发明中采用的上极板旋转方法比平移方法易于获得更大的电容变化。
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公开(公告)号：CN103552974A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310565414.4
申请日：2013-11-14
Applicant: 东南大学
IPC: B81B3/00
Abstract: 本发明涉及一种带有弯梁电热执行器的MEMS静电驱动式悬臂梁结构，包括衬底、悬臂梁的锚区、悬臂粱、涂覆于衬底表面的静电下拉电极和接触电极以及弯梁电热执行器。所述弯梁电热执行器由锚区和通电可膨胀的两个弯梁分支组成；所述弯梁通过连接在分支末端的两个锚区的支撑，悬浮在衬底的上方和悬臂梁末端附近的下方，通电加热后，弯折端可向前延伸。本发明提供一种可以有效解决粘附失效问题的悬臂梁结构，从结构设计上增加弯梁电热执行器消除粘附，改善了因粘附而导致的故障率高、维护难、效率低的缺陷，提高运作的稳定性和可靠性，具有重要的实用价值。
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公开(公告)号：CN102608153B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201210005598.4
申请日：2012-01-10
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅-金属热电偶塞贝克系数的在线测试结构，该技术利用两个测温电阻分别测量热稳态时热电偶冷、热端的实际温差，测量热电偶堆的开路电压，并通过简单计算得到多晶硅-金属热电偶的塞贝克系数。本发明的测试结构的结构简单，制作方便，采用普通的MEMS表面加工工艺即可得到，避免了复杂的悬空结构和体加工工艺，测量温度为热稳定时热电偶堆的热端与冷端的实际温度值，不需要考虑辐射、对流等因素的影响，测试要求低，测试方法及测试参数值稳定，计算简单可靠。
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公开(公告)号：CN102944515A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210516342.X
申请日：2012-12-05
Applicant: 东南大学
IPC: G01N19/04
Abstract: 本发明公开了一种微机械系统中微悬臂梁粘附力的测量结构，包括衬底、被测十字梁、参考十字梁、下拉电极、拉动电极、衬底接触电极和窄条电极组；被测十字梁由第一横梁和第一扭转支撑梁组成，参考十字梁由第二横梁和第二扭转支撑梁组成，第一扭转支撑梁和第二扭转支撑梁分别通过锚区连接在衬底上；衬底接触电极和下拉电极位于第一横梁同一侧下方；窄条电极组位于第二横梁一侧端部的下方；拉动电极位于第一横梁另一侧和第二横梁另一侧的下方；所述的窄条电极组包括至少三根相互平行布置的窄条电极，每根窄条电极的末端均连接一个压焊块。利用该测量结构能够获取被测十字梁的粘附力性能。本发明还公开了该测量结构的测量方法，方便易行。
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公开(公告)号：CN102070120B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201010617889.X
申请日：2010-12-31
Applicant: 东南大学
IPC: H01L21/768 , B81C1/00
Abstract: 本发明公开一种用于微电子系统级封装的高密度转接板的制备方法，包括以下步骤：第一步，制备定向生长的碳纳米管束阵列，碳纳米管束的直径为0.5-30微米，间距为0.8-100微米，长度为40-500微米；第二步，在上述的定向生长碳纳米管束表面沉积金属钨形成导体阵列；第三步，使得硼硅玻璃与导体阵列在硼硅玻璃熔融状态下形成复合体，第四步，对于形成的复合体的上下表面进行磨抛使得沉积金属钨的碳纳米管束端部暴露，从而得到用于系统级封装的高密度转接板。该发明采用的材料的热膨胀系数低，工艺方法耗时短，因而具有高密度、可靠性高、低成本的优点。
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公开(公告)号：CN102608153A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210005598.4
申请日：2012-01-10
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅-金属热电偶塞贝克系数的在线测试结构，该技术利用两个测温电阻分别测量热稳态时热电偶冷、热端的实际温差，测量热电偶堆的开路电压，并通过简单计算得到多晶硅-金属热电偶的塞贝克系数。本发明的测试结构的结构简单，制作方便，采用普通的MEMS表面加工工艺即可得到，避免了复杂的悬空结构和体加工工艺，测量温度为热稳定时热电偶堆的热端与冷端的实际温度值，不需要考虑辐射、对流等因素的影响，测试要求低，测试方法及测试参数值稳定，计算简单可靠。
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