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公开(公告)号：CN103439031B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201310401239.5
申请日：2013-09-05
Applicant: 东南大学
IPC: G01L1/06
Abstract: 本发明提出了一种双层薄膜材料残余应力的测试结构，其中测量单元为圆柱支撑的第一层薄膜圆盘结构，在第一层薄膜圆盘平面上覆盖有另一层薄膜材料形成双层薄膜圆盘结构，在第一层薄膜圆盘边缘直径方向上延伸出一个直梁，直梁末端有一投影游标。利用简单双层薄膜圆盘结构并配合投影游标，可以获得MEMS常用薄膜材料的残余应力，并且可以推广到更多层薄膜材料情况下的各层薄膜残余应力测试，测量方法和参数提取的计算方法极其简单。
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公开(公告)号：CN103438783A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310401202.2
申请日：2013-09-05
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种用于测量一维位移量的双向游标尺结构，该结构既可以测量正位移，也可以测量负位移。双向游标由左右两部分组成，其中左半部分的核心结构为“T”型头，右半部分的核心结构为“凸”型头，“T”型头和“凸”型头相对放置，并呈一定的偏移位置关系。“T”型结构的“—”所对应的矩形结构的两条长边是对准用的两根基线，“凸”型结构上的4条直线是另一组对准基线。当两个部分发生水平相向移动或相离移动时，“T”型头和“凸”型头的对准位置发生变化。通过该结构可以测量微机电器件在驱动作用下所产生的位移大小以及因微机电结构释放产生的形变位移大小。
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公开(公告)号：CN103438837B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201310399032.9
申请日：2013-09-05
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供了一种用于测量微机电结构偏转角的双向指针结构。微机电双向偏转指针由四个部分组成：一维双向移动测量游标尺；偏转指针；双向移动电热执行器；连接一维双向移动测量游标尺和双向移动电热执行器的水平直梁，以及连接偏转指针与双向移动电热执行器的水平直梁。该双向指针结构可以测量顺时针偏转角和逆时针偏转角，通过该双向偏转指针既可以测量微机电器件受驱动所产生的偏转角，也可以测量结构释放时因残余应力而产生的偏转角。
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公开(公告)号：CN103438837A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310399032.9
申请日：2013-09-05
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供了一种用于测量微机电结构偏转角的双向指针结构。微机电双向偏转指针由四个部分组成：一维双向移动测量游标尺；偏转指针；双向移动电热执行器；连接一维双向移动测量游标尺和双向移动电热执行器的水平直梁，以及连接偏转指针与双向移动电热执行器的水平直梁。该双向指针结构可以测量顺时针偏转角和逆时针偏转角，通过该双向偏转指针既可以测量微机电器件受驱动所产生的偏转角，也可以测量结构释放时因残余应力而产生的偏转角。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102608153B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201210005598.4
申请日：2012-01-10
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅-金属热电偶塞贝克系数的在线测试结构，该技术利用两个测温电阻分别测量热稳态时热电偶冷、热端的实际温差，测量热电偶堆的开路电压，并通过简单计算得到多晶硅-金属热电偶的塞贝克系数。本发明的测试结构的结构简单，制作方便，采用普通的MEMS表面加工工艺即可得到，避免了复杂的悬空结构和体加工工艺，测量温度为热稳定时热电偶堆的热端与冷端的实际温度值，不需要考虑辐射、对流等因素的影响，测试要求低，测试方法及测试参数值稳定，计算简单可靠。
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公开(公告)号：CN102608153A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210005598.4
申请日：2012-01-10
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅-金属热电偶塞贝克系数的在线测试结构，该技术利用两个测温电阻分别测量热稳态时热电偶冷、热端的实际温差，测量热电偶堆的开路电压，并通过简单计算得到多晶硅-金属热电偶的塞贝克系数。本发明的测试结构的结构简单，制作方便，采用普通的MEMS表面加工工艺即可得到，避免了复杂的悬空结构和体加工工艺，测量温度为热稳定时热电偶堆的热端与冷端的实际温度值，不需要考虑辐射、对流等因素的影响，测试要求低，测试方法及测试参数值稳定，计算简单可靠。
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公开(公告)号：CN102590282A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210007367.7
申请日：2012-01-11
Applicant: 东南大学
IPC: G01N27/04
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅断裂强度的在线测试结构及其测试方法，对测试结构进行简单的电流激励并测量相关电阻，将测量得到的相关电阻值代入计算公式，利用多个计算方程消去热膨胀系数，最终得到多晶硅的断裂强度。本发明的测试方法简单，测试设备要求低，测试结构的加工过程与微机电器件MEMS同步，没有特殊加工要求，符合在线测试的要求，计算方法仅限于简单数学方程，测试与计算过程稳定，输出结果可靠。
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公开(公告)号：CN103438783B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201310401202.2
申请日：2013-09-05
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种用于测量一维位移量的双向游标尺结构，该结构既可以测量正位移，也可以测量负位移。双向游标由左右两部分组成，其中左半部分的核心结构为“T”型头，右半部分的核心结构为“凸”型头，“T”型头和“凸”型头相对放置，并呈一定的偏移位置关系。“T”型结构的“—”所对应的矩形结构的两条长边是对准用的两根基线，“凸”型结构上的4条直线是另一组对准基线。当两个部分发生水平相向移动或相离移动时，“T”型头和“凸”型头的对准位置发生变化。通过该结构可以测量微机电器件在驱动作用下所产生的位移大小以及因微机电结构释放产生的形变位移大小。
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