一种快速、无刻蚀的转移二维材料和制备异质结的方法

    公开(公告)号:CN110828375A

    公开(公告)日:2020-02-21

    申请号:CN201911021313.4

    申请日:2019-10-25

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 一种快速、无刻蚀的转移二维材料和制备异质结的方法,属于人工微结构制备技术领域。所述方法在显微操作台下利用透明柔性非水溶性聚合物薄膜和水蒸气将第一二维材料从第一目标衬底转移至聚合物薄膜,然后将第一二维材料堆叠到衬底为第N目标衬底的第N二维材料上表面,重复相同步骤,依次将第二二维材料、……、第(N-1)二维材料堆叠到转移至第N二维材料上表面的第一二维材料上表面,从而制得二层或多层异质结。解决了现有技术存在的操作复杂问题并尽可能避免材料污染,本发明无刻蚀和去除聚合物步骤,简单高效、用时短、成功率高,可以实现一个或多个二维材料的定点、大面积和大通量转移。二维材料转移前后形状保持完整,光学性质保持较好。

    一种大尺寸六方氮化硼单晶的制备方法

    公开(公告)号:CN109695053A

    公开(公告)日:2019-04-30

    申请号:CN201910116052.8

    申请日:2019-02-15

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 一种大尺寸六方氮化硼单晶的制备方法,属于单晶材料制备技术领域。所述制备方法具体过程如下:在氮气流中,将钴铬合金放在六方氮化硼粉末上,先高温加热使钴铬合金熔融,保持一段时间,令六方氮化硼粉末充分溶于钴铬合金中,达到饱和后,以极低速度降温,晶体会在金属合金表面析出,从而生长出大面积高质量的六方氮化硼单晶。目前研究二维材料六方氮化硼的主要问题就是晶体生长困难,难度大,而该方法结构简单,原理清晰,效果显著,对于六方氮化硼的广泛应用具有很大意义,同时对其他半导体材料或二维材料的研究与发展也有一定的启发。

    一种纳米位移执行器
    23.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107188113B

    公开(公告)日:2019-03-12

    申请号:CN201710413626.9

    申请日:2017-06-05

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明是一种纳米位移执行器,在衬底(3)的上表面依次设有氧化石墨烯薄膜(2)、薄膜上方承载面(1)构成一个位移传动的承载体,其中薄膜上方承载面作为位移传动的承载面;在所述位移传动的承载体的两端分别设有左密封腔体的密闭墙(4)、右密封腔体的密闭墙(5),在左密封腔体的密闭墙的外端设有环境气氛输出控制管道口(6),在右密封腔体的密闭墙的外端设有环境气氛输入控制管道口(7),在左密封腔体的密闭墙的内端与位移传动的承载体之间设有左滑动接触装置(8),在右密封腔体的密闭墙的内端与位移传动的承载体之间设有右滑动接触装置(9),该微位移执行器提供一种新颖、高效、适合多种应用场合的途径。

    一种育种装置及其方法
    24.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105638452B

    公开(公告)日:2018-07-06

    申请号:CN201511021958.X

    申请日:2015-12-29

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 万能

    Abstract: 本发明提供一种育种装置,包括一个可密封的环境腔体,所述环境腔体的上盖为厚度小于500纳米的超薄窗体,所述超薄窗体对高能粒子束透明;所述环境腔体内设置有对高能粒子束透明的培养介质;所述高能粒子束的辐照定位精度在纳米或者微米级别;将待育种生物体的组织或者具有遗传特性的物质置于环境腔体内,通过高能粒子束对生物体组织的特定位点进行辐照,实现纳米或者微米级别的特定位点辐照育种。本发明发挥现代高能粒子束的高空间分辨率和定位精度,实现对生物体组织的特定位点进行辐照;结合使用环境腔体的真空隔绝性,可以保留生物体的生物活性。两者结合可以极大提高辐照育种的成功率和效率。

    一种基于纳米棒结构的按插式键合单元

    公开(公告)号:CN107833839A

    公开(公告)日:2018-03-23

    申请号:CN201710951518.7

    申请日:2017-10-12

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 万能 邵志勇

    Abstract: 本发明公开了一种基于纳米棒结构的按插式键合单元,由相对设置的上衬底层和下衬底层组成;其中,所述上衬底层下表面上生长有上纳米棒电极,所述下衬底层上表面上生长有下纳米棒电极,上纳米棒电极与下纳米棒电极通过相互嵌扣形成载体通路,所述上衬底层通过载体通路与下衬底层电互连。本发明基于纳米棒结构的按插式键合单元能实现快速高效的键合和拆键,可为后续得到一种用于键合的通用型纳米棒结构提供研究基础,有利于实现通用型键合技术。

    一种纳米位移执行器
    26.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107188113A

    公开(公告)日:2017-09-22

    申请号:CN201710413626.9

    申请日:2017-06-05

    Applicant: 东南大学

    CPC classification number: B81B7/02 B81B2201/03 B81B2203/06 B81C1/0038

    Abstract: 本发明是一种纳米位移执行器,在衬底(3)的上表面依次设有氧化石墨烯薄膜(2)、薄膜上方承载面(1)构成一个位移传动的承载体,其中薄膜上方承载面作为位移传动的承载面;在所述位移传动的承载体的两端分别设有左密封腔体的密闭墙(4)、右密封腔体的密闭墙(5),在左密封腔体的密闭墙的外端设有环境气氛输出控制管道口(6),在右密封腔体的密闭墙的外端设有环境气氛输入控制管道口(7),在左密封腔体的密闭墙的内端与位移传动的承载体之间设有左滑动接触装置(8),在右密封腔体的密闭墙的内端与位移传动的承载体之间设有右滑动接触装置(9),该微位移执行器提供一种新颖、高效、适合多种应用场合的途径。

    一种制备富勒烯/半导体异质结的方法

    公开(公告)号:CN107128900A

    公开(公告)日:2017-09-05

    申请号:CN201710372131.6

    申请日:2017-05-24

    Applicant: 东南大学

    CPC classification number: B82Y40/00 C01P2004/04

    Abstract: 一种制备富勒烯/半导体异质结的方法,属于半导体材料制备技术领域。所述方法包括:以溅射或蒸发的方法在半导体表面制备一层非晶碳薄膜;将带有非晶碳薄膜的半导体放入电子显微镜的真空腔体内;用电子显微镜定位后,以定位位置为中心,在周围设置刻蚀保护区,然后开启电子显微镜的高能电子束,将刻蚀保护区外的区域刻蚀;刻蚀完毕后,将高能电子束定位至刻蚀保护区,开启高能电子束对刻蚀保护区进行辐照,形成富勒烯结构后停止辐照,完成制备过程。本发明所述方法利用电子显微镜在纳米尺度下定点、单个以及可控尺寸和结构制备富勒烯/半导体异质结,可以在小于10 nm定位精度的情况下制备尺寸小于10 nm的单层、双层和三层等不同层数的富勒烯结构。

    一种制备纳米线的方法
    28.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104555911B

    公开(公告)日:2016-02-10

    申请号:CN201510028655.4

    申请日:2015-01-20

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 万能 卜新阳

    Abstract: 本发明提出一种使用有机物气体或者金属化合物作为气源为原料,使用宽束电子束,基于电子束诱导沉积原理加工制备小尺寸纳米线的方法。利用宽束电子束束斑内强度分布的梯度效应以及其边缘效应,通过控制电子束位置的方法,实现纳米线材料在制定位置进行制定长度和直径的直接读写方式的制备。

    一种测试气体传感器件快速响应特性的方法和装置

    公开(公告)号:CN104330531B

    公开(公告)日:2015-11-11

    申请号:CN201410594648.6

    申请日:2014-10-29

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 万能 黄见秋

    Abstract: 本发明公开了一种测试气体传感器件快速响应特性的方法和装置,采用活塞控制系统,按照气体压缩比alpha和拉伸比beta,控制活塞的往复运动,对气缸中的目标气体进行气体的压缩和膨胀,在气体压缩和拉伸的过程中对待测气体传感传感器件的响应特性进行测试。本发明克服了常规手段中通过缩小腔体体积来获得高传感响应速度的方法存在的问题和缺陷,具有明显的优点和可实现性。

    一种制备垂直取向氧化石墨烯薄膜的方法

    公开(公告)号:CN104451828A

    公开(公告)日:2015-03-25

    申请号:CN201410650520.7

    申请日:2014-11-14

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 万能 董辉

    Abstract: 本发明提供一种制备垂直取向氧化石墨烯薄膜的方法,具体步骤如下:配置氧化石墨烯分散液;选取两块绝缘电极板,平行放置,相背面制备导电电极,导电电极导线连接外部电压;在所述的电极板之间注入氧化石墨烯分散液,静置,使得溶液完好的浸润电极板内壁;随后开启外部电压,控制所述电压在两块绝缘电极板之间产生的场强小于介质的击穿场强而大于能够使氧化石墨烯产生取向的最小场强;进行氧化石墨烯分散液中氧化石墨烯片的重定向,完成氧化石墨烯片层的取向;在保持外部电压开启的情况下进行溶液挥发,使得氧化石墨烯干燥成膜;取下电极板,获得自支持的垂直取向的氧化石墨烯薄膜。

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