公开(公告)号：CN111826710A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201910329242.8

申请日：2019-04-23

Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司

Inventor： 黄瀚艺 ,  沈伟民 ,  王刚

IPC: C30B15/20 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明提供一种控制硅熔体坩埚安全升降的方法和装置，所述方法包括：获取所述坩埚的初始位置高度POS0、所述坩埚中硅熔体的初始液面高度D0以及所述坩埚中硅熔体液面与导流筒之间的初始距离MG0；获取当前生长的硅晶棒长度为L时的所述坩埚的当前位置高度POSL和所述坩埚中硅熔体的当前液面高度DL；根据所述初始位置高度POS0、所述当前位置高度POSL、所述初始液面高度D0和所述当前液面高度DL判断当前生长的硅晶棒长度为L时所述坩埚的当前位置高度是否安全。根据本发明的控制硅熔体坩埚安全升降的方法和装置，避免了拉晶过程中因为坩埚的上下移动超出限度而发生毁损，同时保证了在坩埚上下移动过程中其中的硅熔体液面的稳定性，保证了硅晶棒的稳定生长。

公开(公告)号：CN111270301A

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN201811472539.1

申请日：2018-12-04

Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司

Inventor： 沈伟民 ,  王刚 ,  邓先亮 ,  陈伟德 ,  黄瀚艺

IPC: C30B15/00 ,  C30B29/06

Abstract: 一种晶体生长炉的导流筒和晶体生长炉，所述导流筒包括内筒、外筒和设置在所述内筒和所述外筒之间的隔热材料，其中所述内筒的热阻较所述外筒的热阻低。根据本发明的晶体生长炉的导流筒和晶体生长炉，将导流筒设置成包括内筒、外筒和设置在内筒和外筒之间的隔热材料，使外筒的热阻高于内筒的热阻，降低了导流筒上外筒对内筒的传热，从而使内筒的温度降低，有效增加了晶棒表面到导流筒内筒的辐射热传导，从而提升了晶棒的纵向温度梯度；同时，使外筒的温度上升，减少了硅熔体液面蒸发的硅氧化蒸汽(SiOx)在导流筒外筒上凝聚，从而减少了氧化物(SiOx)落入硅液产生杂质而发生多晶化(Dislocation)的现象。