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公开(公告)号：CN1300635C
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200410089276.8
申请日：2004-12-09
Applicant: 上海交通大学
IPC: G03F7/00 , H01L21/027
Abstract: 一种用于纳米加工技术技术领域的真空负压纳米压印方法。具体步骤如下：(1)真空负压发生方法，通过真空负压工作室产生真空负压；(2)真空负压传递方法，真空负压工作室的真空达到负压；(3)真空负压柔性传递方法，通过柔性绞链密封连接；(4)压强倍增方法，圆形石英片同心紧密结合；(5)压力施加方法，通过压印基板与工作台之间的均匀的聚四氟乙烯弹性垫，使得模仁和基板两面同时施加平衡、均匀、与表面垂直的压力，完成纳米压印模仁和基板紧密压合工艺过程。本发明够根据紫外敏感胶和其它纳米压印光刻胶的黏度实现不同压强倍增，较高精密压力平衡控制机械方法极大降低了设备的成本。在纳米结构的制造领域具有广泛的应用。
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公开(公告)号：CN1624585A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN200410089275.3
申请日：2004-12-09
Applicant: 上海交通大学
IPC: G03F7/00 , H01L21/027
Abstract: 一种真空负压纳米压印装置。用于纳米加工技术技术领域。本发明主体是一个真空负压工作室，真空负压工作室底部密封，顶部有圆形石英片窗口，而圆形石英片窗口与真空负压工作室通过两个小法兰、一个大法兰、环形橡胶柔性绞链圆片、环形橡胶柔性衬垫圆片密封连接。圆形石英片和环形橡胶柔性绞链圆片密封连接，夹紧在二个小法兰、环形橡胶柔性衬垫圆片和环形橡胶柔性绞链圆片之间，工作室上盖和工作室底座通过密封圈密封连接；真空计和抽气管分别与抽气均衡环通过密封管道密封连接；真空闸门密封连接在抽气管上；减压闸门通过密封管道与真空负压工作室密封连接。本发明极大降低了设备的成本。在亚微米结构的制造具有广泛的应用。
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公开(公告)号：CN1402423A
公开(公告)日：2003-03-12
申请号：CN02137256.X
申请日：2002-09-29
Applicant: 上海交通大学
Inventor： 王庆康
IPC: H02N2/04
Abstract: 一种微动量驱动连续纳米往复位移驱动器属于纳米技术领域。主要包括：运动杆、固定支架、压电晶体、弹簧压缩盘、弹簧、质量块、电磁阀、动量驱动杆、支架轴承、动量接受器，其连接方式为：固定支架固定在底座上，运动杆的两端分别设置动量接受器，两动量接受器之间设置支架轴承，支架轴承上设置电磁阀，固定支架上搁置动量驱动杆，动量驱动杆上设置压电晶体、弹簧压缩盘、弹簧、质量块。本发明采用把弹性势能逐步释放，不受空间限制，采用把微势能转化为微动量，驱动运动杆产生纳米位移，不存在运动杆回复的因素，采用可控的均匀摩擦力，控制运动杆的自由随机滑动，不存在横向振动，可广泛应用纳米加工、光通信、航海、航天、天文、光学等领域。
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公开(公告)号：CN1402422A
公开(公告)日：2003-03-12
申请号：CN02137255.1
申请日：2002-09-29
Applicant: 上海交通大学
Inventor： 王庆康
IPC: H02N2/04
Abstract: 一种连续纳米往复位移微动量驱动方法属于纳米技术领域。本发明具体如下：动量接受器连续接受动量驱动杆其产生的定向冲量；把驱动杆上的微小动量通过与运动杆一体的动量接受杆传递给运动杆获得初速度；控制摩擦力，运动杆相对静止；确定运动杆和驱动杆分体的结构；必须在一个脉冲作用后，第二脉冲作用前，驱动杆跟进到与运动杆一体的动量接受杆初始的相对位置；采用以运动杆两端为对称的驱动方法。本发明的应用不受空间方向限制，驱动运动杆产生纳米位移，不存在运动杆回复的因素，控制运动杆的自由随机滑动，不存在横向振动。本发明在纳米加工、光通信、航海、航天、天文、光学等涉及精密定位的领域有广泛应用。
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公开(公告)号：CN1039956C
公开(公告)日：1998-09-23
申请号：CN93112365.8
申请日：1993-03-13
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 铟镓砷光电探测器，属于微电子学光电子技术领域。本发明是由衬底、缓冲层、吸收层、InP增强层、薄P型InP增强层、金属电极组成。本发明可获得比仅用InP势垒增强层更为高的势垒高度，仍然保持其晶格匹配，高速、低暗电流，工艺简单的优点，是一种广泛应用于光纤通讯领域中的更为理想的光电探测器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103633193A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310544960.X
申请日：2013-11-05
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/02327 , H01L31/02167
Abstract: 本发明涉及一种用于硅基薄膜太阳电池的微结构陷光方法，利用微米尺度周期结构作为电池陷光部分，或微米尺度周期结构与绒面织构共同做为电池陷光部分。陷光结构制备在衬底材料上，薄膜电池可直接沉积在陷光衬底上，也可把陷光玻璃片覆盖在电池上，可有效提高电池的陷光能力，从而提高光子吸收，增加薄膜太阳电池光电转化效率。光电效率测试表明，本陷光技术可使双结非晶硅/微晶硅电池相对效率提高9.95%。本发明与现有薄膜电池制备技术兼容，不改变工艺参数情况下有效提高薄膜电池效率，并适合大面积量产。
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公开(公告)号：CN102227002B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201110143760.4
申请日：2011-05-31
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/02 , H01L31/04 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种太阳能电池技术领域的多晶硅纳米线太阳能电池及其制备方法，该多晶硅纳米线太阳能电池包括：由上而下依次设置的复合层栅电极、透明ITO导电薄膜层、氮化硅钝化抗反射层、n型硅纳米线阵列、p型硅基底和金属背电极，透明ITO导电薄膜层、氮化硅钝化抗反射层和n型硅纳米线阵列均为方波结构。本发明通过伽伐尼置换方法，采用多晶硅纳米线阵列作为太阳能电池的吸收层，并通过沉积氮化硅钝化抗反射层和ITO薄膜，在常温常压下，制备大面积多晶硅纳米线，制备得到的多晶硅纳米线太阳能电池，提高了太阳能电池光电转换效率。
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公开(公告)号：CN101846880A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010171072.4
申请日：2010-05-12
Applicant: 上海交通大学
IPC: G03F7/00
Abstract: 一种半导体技术领域的激发表面等离子体的纳米光刻方法，首先利用电子束刻蚀方法将三角形Kretschmann棱镜结构制备成三角形光栅结构的石英模板，然后在石英模板的结构上沉积一层金属膜作为掩模板，最后在基片上甩涂一层光刻胶，并采用平行紫外光透过掩模板，在近场条件下对涂有光刻胶的基片曝光及显影。本发明利用金属膜在特定波长的光激发下可以产生表面等离子体波这一特性，将其作为曝光掩模板，采用光刻技术，得到光栅线宽为几十纳米的光刻结构，大大提高了光刻技术的分辨率。
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公开(公告)号：CN1159456C
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN00116541.0
申请日：2000-06-15
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明主要包括制备DNA片段、检测与蛋白质结合的DNA片段和鉴定基因变异的方法。检测蛋白质结合DNA片段的方法：基因组DNA用内切酶酶切或用引物进行的PCR扩增制备出片段，用基团修饰这些DNA片段的末端，使与相应的固相载体表面进行共价交联，用微阵列点样设备将各种DNA片段点样于固相载体表面并共价交联之，制备成DNA芯片，用这种DNA芯片筛选蛋白质结合的DNA片段的方法。
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