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公开(公告)号：CN103972324B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310039892.1
申请日：2013-02-01
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米压印的硅薄膜太阳电池表面陷光结构制备方法。首先制备压印玻璃模板，将压印玻璃模板浸泡在含氟硅氧烷基的甲苯溶液中修饰，清洗氮气吹干备用。同时对硅基薄膜太阳能电池的表面玻璃进行清洗，并用氮气吹干悬挂且仅使硅基薄膜电池的表面玻璃的表面部分浸泡在含烯酸酯硅氧烷基修饰液中修饰，之后清洗氮气吹干，再在硅基薄膜太阳能电池的表面玻璃旋涂一层透明压印胶，通过压印技术将图形转移到硅基薄膜太阳能电池的表面玻璃上的压印胶体上。本发明既降低反射又能陷光且不改变硅基薄膜太阳能电池制备工艺，可以有效避免薄膜电池缺陷的产生，且不需要复杂设备，高温高压等条件，有利于提高太阳能电池光电转换效率。
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公开(公告)号：CN103972324A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201310039892.1
申请日：2013-02-01
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/0236 , G03F7/0002
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米压印的硅薄膜太阳电池表面陷光结构制备方法。首先制备压印玻璃模板，将压印玻璃模板浸泡在含氟硅氧烷基的甲苯溶液中修饰，清洗氮气吹干备用。同时对硅基薄膜太阳能电池的表面玻璃进行清洗，并用氮气吹干悬挂且仅使硅基薄膜电池的表面玻璃的表面部分浸泡在含烯酸酯硅氧烷基修饰液中修饰，之后清洗氮气吹干，再在硅基薄膜太阳能电池的表面玻璃旋涂一层透明压印胶，通过压印技术将图形转移到硅基薄膜太阳能电池的表面玻璃上的压印胶体上。本发明既降低反射又能陷光且不改变硅基薄膜太阳能电池制备工艺，可以有效避免薄膜电池缺陷的产生，且不需要复杂设备，高温高压等条件，有利于提高太阳能电池光电转换效率。
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公开(公告)号：CN102120821B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201010618357.8
申请日：2010-12-30
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种高分子燃料技术领域的一种刺激响应型含PDMS-接枝聚醚胺及其制备和分离染料的方法，其化学结构为：通过将PPO-DE、Jeffamine L100和聚二甲基硅氧烷二缩水甘油醚溶解于乙醇中经回流后经透析后得到。本发明通过外界的温度、pH值和/或离子强度刺激来进行控制，而且能在极短的时间内达到较好的分离效果。
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公开(公告)号：CN101560061B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200910052149.3
申请日：2009-05-27
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种图型化聚合物刷的制备方法，属于微纳米材料制备技术领域。通过共价键自组装技术将含有共引发剂胺的硫杂蒽酮光引发剂固定在基体材料表面，通过掩模版光刻对引发剂进行图型化的光漂白，然后光引发单体聚合，得到微米级图型的聚合物刷。本发明方法简单有效，适合大规模制备各种图型化聚合物刷子，并以此方法可以制备出功能性图型化聚合物刷，为聚合物刷的潜在应用拓展方向。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101957559A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010266692.6
申请日：2010-08-30
Applicant: 上海交通大学 , 日立化成工业株式会社
IPC: G03F7/027 , C07D311/18 , G03F7/00 , H01L21/027
Abstract: 一种半导体制造技术领域的光可逆的纳米压印光刻胶及其制备和应用方法，其光刻胶的组分及质量百分比含量为：光可逆交联剂5～50％、光聚合性化合物5～80％以及为光聚合引发剂或光产酸剂0.1％～15％，其中光可逆交联剂的结构式为：本发明制备得到光刻胶的黏度低，便于旋涂涂覆与压印工艺操作，光可逆且抗刻蚀好。
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公开(公告)号：CN101293951A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200810039196.X
申请日：2008-06-19
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了下式所示的高分子型米嗤酮光引发剂的制备方法，先以4，4’－二氟二苯甲酮和哌嗪为原料合成含有两个甲基叔胺的米嗤酮，再将米嗤酮和双环氧单体溶于有机溶剂中，升温聚合几小时，得到高分子型米嗤酮光引发剂。该光引发剂主链上同时含有米嗤酮和助引发剂胺，具有较高的光引发性能。相对于小分子光引发体系，此类高分子光引发体系具有迁移率低、毒性小等特点，在涂料、微电子及光学领域有着广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN101157520A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710046152.5
申请日：2007-09-20
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种同时具有微米纳米结构的复合图形的构建方法，通过将光刻技术及反应性相分离技术相结合，制备同时具有微米及纳米结构的图形，用于集成线路板、信息贮存装置、生物芯片和微机电系统中。首先用浓硫酸和丙酮处理玻璃基片或硅基片表面，再将交联剂、线性共聚物、光引发剂配制成一定浓度的溶液在基片表面旋涂成膜，将制备出的膜在模版下进行光刻、显影，制得微米级的图形，再将微米级图形进行淬火，从而在微米级的图形表面生成纳米级的图形，得到同时具有微米级和纳米级结构的复合图形。本发明方法简单易行，可同时制备具有微米、纳米级的图形，可以节约大量的设备和仪器。
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公开(公告)号：CN1320032C
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200510110435.2
申请日：2005-11-17
Applicant: 上海交通大学
IPC: C08G73/10
Abstract: 本发明公开了下式所示的一类负性聚酰亚胺光敏材料及其制备方法。该聚酰亚胺光敏材料以2，4-二羟基间苯二胺盐酸盐，二胺单体和二酸酐为原料进行聚合，得到分子链上含羟基的聚酰亚胺，然后使羟基与丙烯酸及其衍生物的酰氯发生酯化反应，得到具有负性感光性能的聚酰亚胺光敏材料。这类负性聚酰亚胺光敏材料具有高的光敏性和分辨率，良好的热性能和有机溶解性，在航空、微电子等领域有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN1847286A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200610025666.8
申请日：2006-04-13
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了下式所示的一类高分子型六芳基二咪唑光引发剂及其制备方法。这类光引发剂是以4－氟苯偶酰为原料，经取代反应、环化反应和氧化偶合反应得到高分子型六芳基二咪唑光引发剂。此类光引发剂含有供电子的叔胺侧基，有利于改善六芳基二咪唑类光引发剂的紫外－可见光吸收性能和光引发活性，同时其高分子结构有利于降低光固化后残留的六芳基二咪唑向材料表面的迁移，在光致抗蚀剂、印刷线路版等微电子领域有着广泛的应用前景。式中，n＝5～200，R1、R2、R3、R4和R5分别独立选自氢、卤素、硝基、氰基、含1～3个碳原子的烷基或者含1～3个碳原子的烷氧基，X为二元叔胺基团。
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