活性气体生成装置
    21.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111052873B

    公开(公告)日:2022-10-28

    申请号:CN201780093717.7

    申请日:2017-09-06

    Abstract: 本发明的目的是提供一种抑制异常放电的发生的活性气体生成装置的构造。并且,在本发明的活性气体生成装置中,供电体(23)设在高电压侧电极构成部(1)的金属电极(10A及10B)的上方,具有在俯视时将高电压侧电极构成部(1)的金属电极(10A及10B)的整体覆盖的形状。供电部(33A及33B)分别设在接地侧电极构成部(2)的金属电极(20A及20B)的下方,具有在俯视时将接地侧电极构成部(2)的金属电极(20A及20B)的整体覆盖的形状。

    活性气体生成装置
    22.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114982382A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202080091607.9

    申请日:2020-12-24

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种活性气体生成装置,不使活性气体的生成量降低地能够实现供电空间中的绝缘耐性的提高。本发明的活性气体生成装置(100)中的箱体(7)具有沿着中央底面区域(78)的外周设置且形成高度高于中央底面区域(78)的周边阶差区域(79)。通过设置在周边阶差区域(79)上的高压电极用介电膜(1)而设置对供电空间(8)与包含放电空间(3)的活性气体生成空间之间的气体流动进行分离的气体分离构造。设置在箱体(7)外部的真空泵(15)将供电空间(8)设定为真空状态。

    活性气体生成装置
    23.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114128408A

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN202080018521.3

    申请日:2020-02-27

    Abstract: 本发明的目的在于比较低价地提供具有防止电极用介电膜的破损现象的电极构造的活性气体生成装置。本发明在高压侧电极构成部(1)在电极用导电膜(10)的下表面上设置电极用主要介电膜(11),在电极用主要介电膜(11)的下方隔开上方主要·追加电介质间距离(d21)配置电极用追加介电膜(12)。电极用主要介电膜(11)俯视时具有将电极用导电膜(10)全部包含在内、比电极用导电膜(10)大的形成面积。电极用追加介电膜(12)俯视时具有将电极用导电膜(10)包含在内、比电极用导电膜(10)稍大且比电极用主要介电膜(11)小的形成面积。接地侧电极构成部(2)也具有与高压侧电极构成部(1)的上述特征同样的特征。

    活性气体生成装置
    24.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112166650A

    公开(公告)日:2021-01-01

    申请号:CN201880093516.1

    申请日:2018-05-30

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种活性气体生成装置,不变更孔板部的构造就能够有意图地减弱设置在孔板部下方的处理空间的电场强度。并且,在本发明中,高电压侧电极构成部(1)还具有与金属电极(10)相独立地形成在电介质电极(11)的上表面上的导电膜(12)。导电膜(12)在俯视时设置在至少一个气体喷出孔(9)与金属电极(10)之间,并且导电膜(12)被设定为接地电位。

    原子团气体产生系统
    25.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106797698B

    公开(公告)日:2019-11-15

    申请号:CN201480082514.4

    申请日:2014-10-29

    Abstract: 本发明的目的在于,在远程等离子体型成膜处理系统中,提供一种即便为例如大面积的被处理体、也能够均匀地实施使用原子团气体的处理的原子团气体产生系统。而且,在本发明的原子团气体产生系统(500)中,处理室装置(200)具有使被处理体(202)旋转的转台(201)。原子团气体生成装置(100)具有多个放电单元(70)。此外,放电单元(70)具有开口部(102),该开口部(102)与处理室装置(200)内连接,且与被处理体(202)相面对,并且输出原子团气体(G2)。而且,在俯视观察下,越是远离所述被处理体的旋转的中心位置而配设的放电单元(70),越增大第一电极构件(1)与第二电极构件(31)对置的区域即对置面积。

    氮化膜成膜方法
    26.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110352474A

    公开(公告)日:2019-10-18

    申请号:CN201780086342.1

    申请日:2017-02-14

    Abstract: 本发明的目的是提供能够在不对基板给予损害的情况下在基板上形成优质的氮化膜的氮化膜成膜方法。并且,本发明的氮化膜成膜方法包括:介由气体供给口(11)将硅烷系气体供给至处理室(10)内的步骤(a);从自由基产生器(20)介由自由基气体通过口(25)将氮自由基气体(7)供给至处理室(10)内的步骤(b);和在不使处理室(10)内产生等离子体现象的情况下,使上述步骤(a)中供给的硅烷系气体与上述步骤(b)中供给的氮自由基气体反应,在晶片(1)上形成氮化膜的步骤(c)。

    介质阻挡放电气体的生成装置

    公开(公告)号:CN101765902B

    公开(公告)日:2011-09-21

    申请号:CN200780100341.4

    申请日:2007-08-31

    CPC classification number: C23C16/505 H01J37/32009 H01J37/32348 H01J37/32724

    Abstract: 本发明提供能以高密度且高效率导出高能量的游离基气体、并提供给被处理物质的介质阻挡放电气体的生成装置。为此,将平板状的第一电极与第二电极配置在相对位置,在两个电极间配置介质。另外,在第一电极与介质之间设置放电空间部,在第一电极与介质的间隙内,形成三方被气体密封、且剩余一方在第一电极及介质的各端面侧开口的放电空间部。再有,包括冷却至少第一电极的冷却部、以及向上述放电空间部提供原料气体的气体提供部。然后,向第一电极及第二电极施加交流电压,在放电空间部产生介质阻挡放电。

    介质阻挡放电气体的生成装置

    公开(公告)号:CN101765902A

    公开(公告)日:2010-06-30

    申请号:CN200780100341.4

    申请日:2007-08-31

    CPC classification number: C23C16/505 H01J37/32009 H01J37/32348 H01J37/32724

    Abstract: 本发明提供能以高密度且高效率导出高能量的游离基气体、并提供给被处理物质的介质阻挡放电气体的生成装置。为此,将平板状的第一电极与第二电极配置在相对位置,在两个电极间配置介质。另外,在第一电极与介质之间设置放电空间部,在第一电极与介质的间隙内,形成三方被气体密封、且剩余一方在第一电极及介质的各端面侧开口的放电空间部。再有,包括冷却至少第一电极的冷却部、以及向上述放电空间部提供原料气体的气体提供部。然后,向第一电极及第二电极施加交流电压,在放电空间部产生介质阻挡放电。

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