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公开(公告)号：CN103869554B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201310672761.7
申请日：2013-12-12
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/134309 , G02F1/133512 , G02F1/133707 , G02F1/136209 , G02F1/136286 , G02F2001/133757 , G02F2001/134372 , G02F2201/40
Abstract: 本发明提供能兼顾开口率的提高和高显示品位的FFS模式的液晶显示装置。具备覆盖信号线（103）、扫描线（104）及共同布线（105）的平坦化膜（6），像素电极（91）的图案端缘部配置为在信号线（103）及扫描线（104）的端缘部的上方重叠，另外，在像素电极（91）形成的开口部即狭缝91sa及91sb），相对于成为以横切像素部的中央部的方式配置的共同布线（105）的延伸方向的基准线，互相轴对称地形成。
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公开(公告)号：CN103869554A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310672761.7
申请日：2013-12-12
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/134309 , G02F1/133512 , G02F1/133707 , G02F1/136209 , G02F1/136286 , G02F2001/133757 , G02F2001/134372 , G02F2201/40
Abstract: 本发明提供能兼顾开口率的提高和高显示品位的FFS模式的液晶显示装置。具备覆盖信号线（103）、扫描线（104）及共同布线（105）的平坦化膜（6），像素电极（91）的图案端缘部配置为在信号线（103）及扫描线（104）的端缘部的上方重叠，另外，在像素电极（91）形成的开口部即狭缝（91sa及91sb），相对于成为以横切像素部的中央部的方式配置的共同布线（105）的延伸方向的基准线，互相轴对称地形成。
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公开(公告)号：CN103105711A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201210446168.6
申请日：2012-11-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L27/02 , H01L27/12
CPC classification number: G02F1/1345 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及布线构造和具备其的薄膜晶体管阵列基板以及显示装置。提供一种能抑制在透明导电膜上的绝缘膜的膜浮动的发生并且能得到透明导电膜和金属膜的良好的电连接性的布线构造。在分别作为布线发挥作用的第一导电膜（2）和第二导电膜（5）连接的布线变换部（45）中，在第二导电膜（5）的内侧形成挖通部（13）。设置在第二导电膜（5）之上的第一透明导电膜（6）以覆盖第二导电膜（5）的上表面以及露出到挖通部（13）中的端面并且不覆盖第二导电膜（5）的外周端面的方式形成。通过第一透明导电膜（6）的上层的第二透明导电膜（7）与第二导电膜（5）和第一导电膜（2）连接，从而第一导电膜（2）和第二导电膜（5）电连接。
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公开(公告)号：CN101788738A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010109263.8
申请日：2010-01-22
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1333 , H01L21/84 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/136286 , G02F2001/134372 , H01L27/1288 , H01L29/458
Abstract: 本发明提供一种在FFS模式的液晶显示装置中，不使用半透过掩模而能够削减光刻工序数的薄膜晶体管阵列基板、其制造方法、及液晶显示装置。本发明的薄膜晶体管阵列基板具备：源极布线(44)，在覆盖栅极布线(43)的栅极绝缘膜(11)上形成；半导体层(2)，在栅极绝缘膜(11)上形成，配置在漏极电极(5)下的大致整个面、源极电极(4)下的大致整个面、源极布线(44)下的大致整个面、栅极电极的对面；像素电极(6)，在漏极电极(5)上直接重叠形成；透明导电图案(6a)，在源极电极(4)和源极布线(44)上，通过与像素电极(6)相同的层直接重叠形成；对置电极(8)，在覆盖像素电极(6)和透明导电图案(6a)的层间绝缘膜(12)上形成，在与像素电极(6)之间使边缘电场产生。
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公开(公告)号：CN100481469C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200610144555.9
申请日：2006-11-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768 , G02F1/1343 , G02F1/1362 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/136227
Abstract: 提供抑制了起因于栅绝缘膜的绝缘破坏的像素电极与辅助电容电极的短路之发生的薄膜晶体管阵列基板。本发明的一个形态的TFT阵列基板(100)设有：在反射像素电极(65)下方隔着栅绝缘膜(30)设置的辅助电容电极(23)；设置在反射像素电极(65)上方的层间绝缘膜(70)；在未设置辅助电容电极(23)的区域中设于层间绝缘膜(70)上的接触孔(80)；通过接触孔(80)与反射像素电极(65)连接的透射像素电极(90)；在设有接触孔(80)的区域中设于反射像素电极(65)下方的厚度校正图案(24)，厚度校正图案(24)与辅助电容电极(23)之间被绝缘。
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公开(公告)号：CN1881014A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610059473.4
申请日：2006-03-13
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/133 , G02F1/136 , G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/133553 , G02F1/136213 , G02F2203/09
Abstract: 本发明提供一种半透射型液晶显示装置，在规定的位置备有反射对比度降低防止电极的半透射型液晶显示装置中，可维持防止反射对比度降低，并且能够防止亮点缺陷。在与源极配线(3)同一层内的像素区域的反射区域(S)上，备有与源极配线(3)仅隔开规定区域形成的反射电极(9)。而且，反射对比度降低防止电极(13)形成在规定区域的上方，具有经由绝缘膜(10)在俯视时与反射电极(9)重叠的区域。而且，反射对比度降低防止电极(13)为电浮置状态。
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公开(公告)号：CN1862349A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200610081917.4
申请日：2006-05-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F2001/136218
Abstract: 在源极布线(2)下层隔着栅极绝缘膜(8)，沿源极布线(2)配置第一电极图案(11)，在源极布线(2)上层隔着层间绝缘膜(9)，沿源极布线(2)，且在基本不与所述源极布线(2)重叠的位置配置第二电极图案(12)，通过配置在上下层的电极图案(11、12)有效屏蔽来自源极布线(2)的泄漏电场。另外，第一电极图案(11)与栅极布线(1)以及第二电极图案(12)与对置电极(6)，由同一层导电膜形成。从而，得到减少来自源极布线(2)的泄漏电场导致液晶(300)取向的散乱，同时增大开口率且不增加制造工序而使源极布线(2)与对置电极(6)之间不易发生短路的液晶显示装置及其制造方法。
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公开(公告)号：CN1760739A
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200510099912.X
申请日：2005-09-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1333 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F2001/136218
Abstract: 本发明的目的在于在将源极布线和反射像素电极设置于同一层上的半透射型液晶显示装置中，提供一种即使在保持源极布线和反射像素电极两者之间的间隔的情况下形成，反射对比度也不会降低的半透射型液晶显示装置。在反射像素电极(65)与源极布线(63)之间的间隔(L)处的、重叠于第一辅助电容电极(23)的位置上，形成用于防止反射对比度降低的、防止对比度降低的电极(95)。
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