公开(公告)号：CN110337725B

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN201880012296.5

申请日：2018-02-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 永久雄一 ,  日野史郎 ,  贞松康史 ,  八田英之 ,  川原洸太朗

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/872

Abstract: 在内置肖特基二极管的SiC‑MOSFET中，有时形成于终端部的第2阱区域双极性通电而耐压降低。在内置肖特基二极管的SiC‑MOSFET中，在形成于终端部的第2阱区域上，设置与第2阱区域肖特基连接的导电性层，使导电性层与MOSFET的源电极电连接。设置仅使导电性层和源电极连接的导电性层接触孔。

公开(公告)号：CN106256024B

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201480078514.7

申请日：2014-12-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 海老原洪平 ,  小山皓洋 ,  纐缬英典 ,  长江明美 ,  川原洸太朗 ,  渡边宽 ,  田口健介 ,  日野史郎

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78

Abstract: 其目的在于提供一种能够缓和开关时的电场来提高元件耐压的碳化硅半导体装置。碳化硅半导体装置(100)具备：场绝缘膜(3)，形成于碳化硅基板(1)的表面上；第一表面电极(4)，搭载于场绝缘膜(3)而形成；第二表面电极(5)，覆盖第一表面电极(4)并超过第一表面电极(4)的外周端而延伸到场绝缘膜(3)上；以及第二导电类型的终端阱区域(2)，在碳化硅基板(1)内延伸到比第二表面电极(5)的外周端更靠外周侧的位置，第二表面电极(5)的外周端和场绝缘膜(3)的内周端的距离小于对第二表面电极(5)的外周下端施加的电场强度与构成场绝缘膜(3)或者表面保护(6)的绝缘材料的绝缘破坏强度中的较小的绝缘破坏强度相等时的第二表面电极(5)的外周端和场绝缘膜(3)的内周端的距离。

公开(公告)号：CN108140676A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680062141.3

申请日：2016-10-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 川原洸太朗 ,  海老原洪平

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L29/8613 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0475 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/167 ,  H01L29/36 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/732 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

Abstract: 提供在高速切换时也具有高可靠性的台面侧pn结二极管碳化硅半导体器件。具备：第1导电类型的碳化硅半导体基板(1)；第1导电类型的漂移层(2)，形成于碳化硅半导体基板(1)上；第2导电类型的阳极层(3)，形成于漂移层(2)上；台面构造，外周部形成平坦的台面底面，具有从阳极层(3)到漂移层(2)的剖面的侧面相对阳极层(3)的表面倾斜地形成的台面侧面；第2导电类型的低掺杂区域(4)，以从阳极层(3)的端部至台面底面包括台面侧面的方式形成为使与漂移层(2)之间的界面的剖面相对阳极层(3)的表面倾斜；以及第2导电类型的高掺杂区域(5)，形成于与阳极层(3)的端部相接的低掺杂区域(4)内的台面侧面侧的区域及在台面侧面的下部与台面底面相连的部位，且第2导电类型杂质浓度比低掺杂区域(4)高。