公开(公告)号：CN111788694A

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201880089095.5

申请日：2018-03-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉田基 ,  藤田淳 ,  佐藤祐司

IPC: H01L29/78

Abstract: 目的在于提供能够抑制第1电极以及第2电极的腐蚀的技术。半导体元件(101)具备半导体基板(1)、Al电极(2)、选择性地配设于Al电极(2)上的聚酰亚胺部件(3)以及Ni电极4。聚酰亚胺部件(3)在聚酰亚胺部件(3)的顶视时的周缘部的至少一部分中的剖面视时的与Al电极(2)相接的下部具有朝向Al电极(2)的上表面的面方向的突出部(3a)。Ni电极(4)配设于Al电极(2)以及突出部(3a)上。

公开(公告)号：CN108350596A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201580084388.0

申请日：2015-11-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 佐藤祐司 ,  藤田淳 ,  吉田基 ,  远藤加寿代

IPC: C25D7/12 ,  C25D5/02

Abstract: 本发明涉及Cu镀层的形成方法、带有Cu镀层的基板的制造方法及带有Cu镀层的基板。本发明的Cu镀层的形成方法包含：在基板的一表面以平均结晶粒径成为50nm以上且300nm以下的方式形成Cu种子层的第1工序；在氧气氛中在Cu种子层的表面形成氧化膜的第2工序；将氧化膜的一部分除去的第3工序；对Cu种子层给电、在Cu种子层的氧化膜的表面通过电解镀覆而形成Cu镀层的第4工序。