知搜-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

32 records (took 0.028 seconds)

    半导体压力传感器及其制造方法
    22.
    发明授权
    半导体压力传感器及其制造方法 失效

    公开(公告)号：CN102121856B

    公开(公告)日：2013-10-16

    申请号：CN201010589550.3

    申请日：2010-12-13

    Applicant: 三菱电机株式会社

    Inventor： 佐藤公敏

    IPC: G01L1/22 ,  G01L9/06 ,  G01L9/04

    CPC classification number: G01L9/0042

    Abstract: 本发明涉及半导体压力传感器及其制造方法。硅衬底(10)具有贯通孔(12)。在硅衬底(10)上形成有多晶硅膜(20)。多晶硅膜(20)在贯通孔(12)的上方具有膜片(24)。在多晶硅膜(20)上形成有绝缘膜(22)。具有压电电阻效应的多晶硅应变计电阻(R1、R2、R3、R4)形成在绝缘膜(22)上。多晶硅布线(W1、W2、W3、W4)将多晶硅应变计电阻(R1、R2、R3、R4)连接成电桥状。多晶硅应变计电阻(R1、R2)配置在膜片(24)的中央部，并分别具有并联连接的多个电阻，并且结构以及朝向相同。

    半导体压力传感器及其制造方法
    23.
    发明公开
    半导体压力传感器及其制造方法 失效

    公开(公告)号：CN102564658A

    公开(公告)日：2012-07-11

    申请号：CN201110274113.7

    申请日：2011-09-05

    Applicant: 三菱电机株式会社

    Inventor： 佐藤公敏

    IPC: G01L1/22 ,  G01L9/04

    CPC classification number: G01L9/0054

    Abstract: 本发明的目的在于提供能抑制半导体压力传感器的小型化所伴随的性能偏差的技术。一种半导体压力传感器的制造方法，在牺牲层(16)上形成层叠构造，所述层叠构造包含：多晶硅隔膜(6)，形成于应成为其下方的真空室的空间(13)侧的多晶硅应变计电阻(4b)，内包它们并具有与牺牲层(16)相接的蚀刻液导入孔(15)的绝缘膜群(3、5、7)。而且，使蚀刻液通过所述蚀刻液导入孔(15)并蚀刻牺牲层(16)，从而将层叠构造形成为在真空室上起作用的隔膜体(11)，并且通过蚀刻硅基板(1)中的第1绝缘膜(2)的第1开口(2a)下的表面，形成应成为真空室的空间(13)以及配置于该空间(13)中并向隔膜体(11)的中央附近突出的隔膜制动器(12)。

    半导体压力传感器及其制造方法
    25.
    发明授权
    半导体压力传感器及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN113465809B

    公开(公告)日：2023-08-25

    申请号：CN202110320505.6

    申请日：2021-03-25

    Applicant: 三菱电机株式会社

    Inventor： 佐藤公敏

    IPC: G01L9/00 ,  G01L9/06

    Abstract: 得到一种能够降低制造成本的半导体压力传感器及其制造方法。绝缘膜(2)设置于第1半导体基板(1)之上，该绝缘膜(2)具有主开口(3)、导入开口(4)及将主开口(3)与导入开口(4)连接的传递开口(5)。第2半导体基板(6)经由绝缘膜(2)与第1半导体基板(1)接合，该第2半导体基板(6)具有在主开口(3)上方设置的隔膜(7)和与导入开口(4)连结的受压用压力导入口(8)。在隔膜(7)设置有将隔膜(7)的变形量转换为电气特性的变化的计量电阻(9)。

    半导体压力传感器及其制造方法
    26.
    发明授权
    半导体压力传感器及其制造方法 失效

    公开(公告)号：CN105987783B

    公开(公告)日：2019-03-01

    申请号：CN201610162031.6

    申请日：2016-03-21

    Applicant: 三菱电机株式会社

    Inventor： 佐藤公敏

    IPC: H01L29/84

    Abstract: 关于半导体压力传感器(10)，固定电极(23b)是作为与第1电极(23a)相同的层而形成的。空隙(51)是通过去除由与第2电极(30c)相同的膜构成的部分、即牺牲膜(30d)而形成的。可动电极(39)包含对牺牲膜(30d)至少局部地开设了开口的锚固部分，该锚固部分将可动电极(39)隔着空隙(51)相对于固定电极(23b)进行支撑。锚固部分中的第1锚固部(101)配置为，通过将可动电极(39)在俯视观察时划分为多个可动电极单体(102)，由此，划分出的多个可动电极单体(102)中的彼此相邻的1对可动电极单体(102)共用同一第1锚固部。

    半导体压力传感器
    27.
    发明公开
    半导体压力传感器 失效

    公开(公告)号：CN107449538A

    公开(公告)日：2017-12-08

    申请号：CN201710403836.X

    申请日：2017-06-01

    Applicant: 三菱电机株式会社

    Inventor： 佐藤公敏

    IPC: G01L9/00

    Abstract: 提供无需用于应力控制的热处理、且可靠性高的半导体压力传感器。半导体压力传感器(100A)具有：固定电极(18)，其位于半导体基板(11)的主面；以及隔膜(61)，其在半导体基板(11)的厚度方向上经由空隙(51)而至少在与固定电极(18)相对的位置处在厚度方向上是可动的。隔膜(61)具有：可动电极(39)；第1绝缘膜(39d)，其位于可动电极(39)的空隙(51)侧；第2绝缘膜(58)，其位于可动电极(39)的与空隙(51)相反侧，膜种类与第1绝缘膜(39d)相同；以及屏蔽膜(59)，其与可动电极(39)一起夹着第2绝缘膜(58)。

    半导体压力传感器及其制造方法
    29.
    发明公开
    半导体压力传感器及其制造方法 失效

    公开(公告)号：CN101846563A

    公开(公告)日：2010-09-29

    申请号：CN200910221046.5

    申请日：2009-11-09

    Applicant: 三菱电机株式会社

    Inventor： 佐藤公敏

    IPC: G01L1/22 ,  G01L9/04

    CPC classification number: G01L9/0055 ,  G01L9/0042

    Abstract: 本发明涉及半导体压力传感器及其制造方法。在硅基板(1)的第一主表面上形成由多晶硅膜(55)构成的膜片(5)，在该膜片(5)的上表面形成有4个应变计电阻(7)。在硅基板(1)形成有使膜片(5)的背面露出的贯通孔(30)。在膜片(5)和硅基板(1)之间，用于将膜片(5)安设到硅基板(1)的锚定部(20)，以从周向包围贯通孔(30)的第一主表面侧的开口端的方式形成。由此，能够得到具备厚度薄、且其厚度的不均少的膜片的半导体压力传感器。

Patent Agency Ranking