多层陶瓷电容器及其制造方法

    公开(公告)号:CN103903855A

    公开(公告)日:2014-07-02

    申请号:CN201310343900.1

    申请日:2013-08-08

    CPC classification number: H01G4/30 H01G4/232 Y10T29/43 Y10T29/435

    Abstract: 本发明提供一种多层陶瓷电容器,包括:陶瓷体,该陶瓷体中层叠有多个介电层;多个第一内部电极和第二内部电极,该多个第一内部电极和第二内部电极形成为交替暴露于所述陶瓷体的两个端面上,并且所述介电层插入在所述第一内部电极与第二内部电极之间;和第一外部电极和第二外部电极,该第一外部电极和第二外部电极形成在陶瓷体的两个端面上并且电连接所述第一内部电极和第二内部电极;其中,当所述第一外部电极和第二外部电极的带的厚度为T1且所述陶瓷体的厚度为T2时,所述第一外部电极或第二外部电极的带的厚度与所述陶瓷体的厚度之间的比率T1/T2等于或者小于0.18。

    多层陶瓷电容器以及用于安装该多层陶瓷电容器的板

    公开(公告)号:CN103871740A

    公开(公告)日:2014-06-18

    申请号:CN201310058016.3

    申请日:2013-02-25

    CPC classification number: H01G4/30 H01G2/065 H01G4/012 H01G4/12 H01G4/232

    Abstract: 本发明提供了一种多层陶瓷电容器,该多层陶瓷电容器包括:陶瓷本体;活性层,该活性层包括多个第一内电极和多个第二内电极,该第一内电极和该第二内电极形成为交替地暴露于所述陶瓷本体的两个端面,并且所述活性层垂直地布置在所述陶瓷本体的上表面和下表面上并且形成电容;所述活性层向上形成的上覆盖层;所述活性层向下形成的下覆盖层,该下覆盖层具有大于所述上覆盖层的厚度;以及第一外电极和第二外电极,该第一外电极和该第二外电极覆盖所述陶瓷本体的两个端面,其中,所述活性层包括第一块和第二块,在所述第一块中形成有第一区(I)和第二区(II),在所述第二块中形成有第三区(III)和第四区(IV)。

    片式层压电容器
    26.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102842427A

    公开(公告)日:2012-12-26

    申请号:CN201210212600.5

    申请日:2012-06-21

    CPC classification number: H01G4/01 H01G4/12 H01G4/232 H01G4/30

    Abstract: 本发明提供一种片式层压电容器,包括:陶瓷本体,该陶瓷本体包括介电层,该介电层的厚度为该介电层中所包括的晶粒的平均粒径的10倍或更多,并且介电层的厚度为3μm或更小;第一外电极和第二外电极,该第一外电极和第二外电极形成在陶瓷本体的长度方向的两端;第一带部和第二带部,该第一带部和第二带部分别形成为从第一外电极和第二外电极在陶瓷本体的长宽(L-W)平面上沿长度方向向内延伸,第一带部和第二带部具有不同的长度;以及第三带部和第四带部,该第三带部和第四带部分别形成为从第一外电极和第二外电极在陶瓷本体的长厚(L-T)平面上沿所述长度方向向内延伸,第三带部和第四带部具有不同的长度。

    片式层压电容器
    27.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102842424A

    公开(公告)日:2012-12-26

    申请号:CN201210212669.8

    申请日:2012-06-21

    Abstract: 本发明提供一种片式层压电容器,包括:陶瓷本体,该陶瓷本体由层压介电层而形成,该介电层的厚度为该介电层中所包括的晶粒的平均粒径的10倍或更多,并且介电层的厚度为3μm或更小;第一外电极和第二外电极;第一内电极,该第一内电极的一端与陶瓷本体的一个端面共同形成第一边缘,第二外电极形成在陶瓷本体的一个端面上,并且第一内电极的另一端引导至第一外电极;以及第二内电极,该第二内电极的一端与陶瓷本体的另一个端面共同形成第二边缘,第一外电极形成在陶瓷本体的另一个端面上,并且第二内电极的另一端引导至第二外电极,在第一边缘的宽度和第二边缘的宽度为200μm或更小的条件下,第一边缘的宽度和第二边缘的宽度不同。

    多层芯片电容器
    28.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1967750B

    公开(公告)日:2011-04-13

    申请号:CN200610145204.X

    申请日:2006-11-17

    Abstract: 多层芯片电容器包括:具有介电层的电容器本体、以及在电容器本体中通过介电层彼此分离的内部电极层。每个内部电极层均具有一条或两条导线且包括至少一个共面电极板。外部电极通过导线电连接至内部电极层。内部电极层组成多个重复堆叠的块。每个块包括顺序堆叠的多个内部电极层。延伸至电容器本体的表面的导线沿着堆叠方向以之字形排列。具有相反极性的垂直邻近的电极板的导线排列为彼此水平邻近。

    多层芯片电容器
    29.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1747086B

    公开(公告)日:2010-11-17

    申请号:CN200510001614.2

    申请日:2005-01-24

    CPC classification number: H01G4/232 H01G4/30

    Abstract: 本发明公开了一种多层芯片电容器,包括:电容器主体,包含多个介质层,将多个介质层进行层压;至少一对第一内电极和第二内电极,其中每个均形成在多个介质层的对应的一个介质层上并且包括至少一条延伸到对应介质层一端的导线;多个外接线端,形成在电容器主体的外表面,并且通过这些导线分别与第一内电极和第二内电极连接;以及至少一个开口区域,通过第一内电极和第二内电极各自的内部区域而形成,用于分流电流,从而增加第一内电极和第二内电极之间的寄生电感的抵消量。

    分层平衡-不平衡变换器
    30.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1753244B

    公开(公告)日:2010-09-29

    申请号:CN200510055724.7

    申请日:2005-03-18

    CPC classification number: H01P5/10

    Abstract: 本发明提供了一种超小型分层平衡-不平衡变换器,其中传输线长度被减小到低于λ/4,而没有任何特性的改变。该分层平衡-不平衡变换器包括:第一带状线,其有一端被输入不平衡信号;第二带状线,将其与第一带状线连接;第三带状线,将其与第一带状线平行设置并连接到地线和连接到用于第一平衡信号的外部电极;第四带状线,将其与第二带状线平行设置并连接到用于接地的外部电极和用于第二平衡信号的外部电极;以及电容形成电极,将其与第二带状线的开端的一部分平行设置并连接到用于不平衡信号的外部电极。

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