公开(公告)号：CN117594101A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310798929.2

申请日：2023-06-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金大植

IPC: G11C16/34 ,  G11C8/10 ,  G11C7/18 ,  G11C5/14 ,  G11C8/14

Abstract: 公开了一种存储器件以及操作存储器件的方法，所述存储器件包括存储单元阵列以及读出电路，所述存储单元阵列包括多个存储单元，并且被划分为第一区域和第二区域；所述读出电路生成用于确定所述多个存储单元当中的属于所述第一区域的存储单元中存储的数据的第一读取电流，其中，所述第二区域被配置为存储基于用于将存储所述数据的存储单元的平行状态和反平行状态区分开的参考电阻的值确定的所述第一读取电流的值，以及施加到所述存储单元的初始读取电流的值。

公开(公告)号：CN108987427B

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN201810515747.9

申请日：2018-05-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金大植 ,  朴正宪 ,  高宽协

IPC: H10B61/00 ,  H10N50/01 ,  H10N50/10 ,  H01L21/77

Abstract: 在制造MRAM器件的方法中，第一下电极和第二下电极可以分别在衬底的第一区域和第二区域上形成。具有彼此不同的开关电流密度的第一MTJ结构和第二MTJ结构可以分别在第一下电极和第二下电极上形成。第一上电极和第二上电极可以分别在第一MTJ结构和第二MTJ结构上形成。

公开(公告)号：CN108665921B

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN201810228420.3

申请日：2018-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金大植 ,  高宽协

IPC: G11C11/34 ,  H01L27/10

Abstract: 一种半导体器件包括含第一基板的第一半导体芯片。第一磁隧道结在第一基板上。第二半导体芯片包括第二基板。第二磁隧道结在第二基板上。第二半导体芯片放置在第一半导体芯片上以形成芯片堆叠。第一磁隧道结的磁化翻转所需的第一临界电流密度不同于第二磁隧道结的磁化翻转所需的第二临界电流密度。

公开(公告)号：CN114078507A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110908515.1

申请日：2021-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金大植

IPC: G11C11/16

Abstract: 公开了一种包括磁性存储器元件的存储器设备。该存储器设备包括：存储器单元阵列，包括第一区域和第二区域，第二区域配置为存储写入电压的值，写入电压基于用于确定被编程的存储器单元处于平行状态还是反平行状态的参考电阻器的值；电压发生器，配置为基于写入电压的值生成代码值；以及写入驱动器，配置为基于代码值来驱动写入电流，写入电流是用于将数据存储在第一区域中的电流。

公开(公告)号：CN108987427A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810515747.9

申请日：2018-05-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金大植 ,  朴正宪 ,  高宽协

IPC: H01L27/22 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L43/12 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

Abstract: 在制造MRAM器件的方法中，第一下电极和第二下电极可以分别在衬底的第一区域和第二区域上形成。具有彼此不同的开关电流密度的第一MTJ结构和第二MTJ结构可以分别在第一下电极和第二下电极上形成。第一上电极和第二上电极可以分别在第一MTJ结构和第二MTJ结构上形成。

公开(公告)号：CN102522498B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201110441857.3

申请日：2005-01-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰完 ,  车国麟 ,  金大植

IPC: H01L43/12 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/16 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L43/12 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明提供磁存储器件及其制造方法、反应室。该磁存储器件包括开关装置和连接到该开关装置上的MTJ单元，其中MTJ单元包括连接到开关装置的下电极以及依次堆叠在该下电极上的下磁层、包含氟的隧穿膜、上磁层和盖帽层。

公开(公告)号：CN1247813C

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN02121850.1

申请日：2002-05-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  金大植 ,  闵约赛 ,  曹永真

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: C23C16/409 ,  C23C16/308 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45542

Abstract: 本发明提供一种包括多种组分的薄膜及形成该薄膜的方法。基底装入反应室中。单位材料层形成在基底上。该单位材料层为镶嵌的原子层(MAL)，由两种含有构成薄膜组分的前导粒子组成。清洗反应室的内部。通过化学方法改变MAL。