公开(公告)号：CN101409107A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200810148926.X

申请日：2008-09-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴珠姬 ,  金英文 ,  朴允童 ,  李承勋 ,  赵庆来 ,  边成宰 ,  宋承桓

IPC: G11C16/12 ,  G11C16/34

CPC classification number: G11C11/5628 ,  G11C2211/5621 ,  G11C2211/5648

Abstract: 提供了一种对非易失性存储单元编程的方法，所述方法包括：通过将非易失性存储单元的阈值电压设置为第一电压电平来对多位数据的第一位编程，所述第一电压电平在多个阈值电压分布中的第一阈值电压分布内。通过基于第二位的值将阈值电压设置为第二电压电平来对多位数据的第二位编程。如果第二位是第一值，则第二电压电平与第一电压电平相同，如果第二位是第二值，则第二电压电平在所述多个阈值电压分布中的第二阈值电压分布内。通过基于第三位的值将阈值电压设置为第三电压电平来对多位数据的第三位编程。

公开(公告)号：CN101207136A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200710199197.6

申请日：2007-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 玄在雄 ,  朴奎灿 ,  朴允童 ,  金元柱 ,  陈暎究 ,  金锡必 ,  赵庆来 ,  李政勋 ,  宋承桓

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/522 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26 ,  G11C16/14

CPC classification number: H01L27/115 ,  B82Y10/00 ,  G11C16/0483 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/1203

Abstract: 本发明提供了一种高度集成的非易失性存储器装置和一种操作该非易失性存储器装置的方法。该非易失性存储器装置包括半导体层。多个上控制栅电极布置在半导体层的上方。多个下控制栅电极布置在半导体层的下方，多个上控制栅电极和多个下控制栅电极交替地设置。多个上电荷存储层置于半导体层和上控制栅电极之间。多个下电荷存储层置于半导体层和下控制栅电极之间。