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公开(公告)号：CN117940849A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202280059405.5
申请日：2022-09-01
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明提供在半导体装置的制造中能够以基于涂布的简便方法完全覆盖半导体制造用基板(晶片)的端部的保护膜、用于形成该保护膜的保护膜形成组合物、使用该保护膜制造的半导体制造用晶片、该半导体制造用晶片以及半导体装置的制造方法。一种半导体制造用晶片端部保护膜形成组合物，其包含具有交联性基团的聚合物或化合物、以及溶剂。优选地，所述组合物在25℃具有100cps以下的粘度，具有感光性。优选地，所述交联性基团选自环氧基、(甲基)丙烯酸基、乙烯基、羧酸基、硫醇基、硅烷醇基、肉桂酰基和羟基。
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公开(公告)号：CN111902774B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN201980020366.6
申请日：2019-03-18
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供可以用于制造半导体装置的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其是用于形成可以作为硬掩模使用的抗蚀剂下层膜的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含作为硅烷的水解性硅烷(a)的水解缩合物(c)、硝酸根离子和溶剂，该水解性硅烷(a)包含式(1)：R1aR2bSi(R3)4‑(a+b) 式(1)〔在式(1)中，R1为式(2)的有机基并且通过Si‑C键与硅原子结合。〕所示的水解性硅烷。还包含水解性硅烷(a)和/或其水解物(b)。在抗蚀剂下层膜形成用组合物中以1ppm～1000ppm的范围含有硝酸根离子。关于水解缩合物(c)，式(1)所示的水解性硅烷中的式(2)的官能团以(氢原子)/(氢原子+R5基)的摩尔比计为1％～100％。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN115398342A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202180026228.6
申请日：2021-03-31
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供获得能够作为具有对作为上层而形成的抗蚀剂膜用的组合物的溶剂的耐性、针对氟系气体的良好的蚀刻特性、进一步良好的光刻特性的抗蚀剂下层膜而良好地起作用的膜的组合物。解决手段是一种膜形成用组合物，其特征在于，包含使用2种以上酸性化合物进行水解性硅烷化合物的水解和缩合而获得的水解缩合物、和溶剂，上述水解性硅烷化合物包含下述式(1)所示的含有氨基的硅烷。(在式(1)中，R1为与硅原子结合的基团，彼此独立地表示包含氨基的有机基，R2为与硅原子结合的基团，表示可以被取代的烷基、可以被取代的芳基、可以被取代的芳烷基、可以被取代的卤代烷基、可以被取代的卤代芳基、可以被取代的卤代芳烷基、可以被取代的烷氧基烷基、可以被取代的烷氧基芳基、可以被取代的烷氧基芳烷基、或可以被取代的烯基，或表示包含环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基或氰基的有机基，R3为与硅原子结合的基团或原子，彼此独立地表示烷氧基、芳烷基氧基、酰氧基或卤原子，a为1～2的整数，b为0～1的整数，且满足a+b≤2。)R1aR2bSi(R3)4‑(a+b)(1)。
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公开(公告)号：CN112041746A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201980025380.5
申请日：2019-04-09
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 提供与抗蚀剂膜的密合性高，能够形成薄膜且形成良好的抗蚀剂图案的作为新的抗蚀剂图案用表面改性剂的半导体基板用底涂剂、在基板上依次叠层了表面改性剂和抗蚀剂图案的叠层基板、图案形成方法以及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂图案用表面改性剂，是在基板上形成0.10μm以下的抗蚀剂图案前涂布于基板来增强基板与抗蚀剂图案的密合的抗蚀剂图案用表面改性剂，其特征在于，其包含下述平均组成式(1)所示的化合物、其水解物和水解缩合物中的至少1种。R己1烯aR基2b(等O，Xn)为cS0iO～(44‑的a‑b整‑c)数/2 ，(R1)2为(式C中1～，R4的1为一‑价(C烃H2基)n，YX基为，氢Y为原环子或C1～4的一价烃基，a为1～2的数，b为0～1的数，c为0～2的数，a+b+c≤4。)。
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公开(公告)号：CN113785243B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202080032980.7
申请日：2020-03-27
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供一种组合物以及使用该组合物的抗蚀剂图案的金属化方法，其能够通过使抗蚀剂图案的抗蚀剂金属化来改善抗蚀剂图案的粗糙度或塌陷，并提高耐蚀刻性。本发明是一种用于抗蚀剂图案金属化工艺的组合物以及使用该组合物提供于抗蚀剂中渗透有前述组合物成分的抗蚀剂图案的抗蚀剂图案金属化方法，所述组合物含有(A)成分：选自金属氧化物(1)、水解性硅烷化合物(2)、前述水解性硅烷化合物的水解物(3)、及前述水解性硅烷化合物的水解缩合物(4)中的至少一种；(B)成分：不含有羧基(‑‑COOH)的酸化合物；及(C)成分：水性溶剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117940850A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202280059504.3
申请日：2022-09-02
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 为了使用Ru等不是Cu的新的金属，通过减成法来制造半导体元件，提供形成可以作为用于将Ru等选自元素周期表第6族、7族、8族、和9族中的金属的膜进行干蚀刻的蚀刻掩模而适合使用的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其形成含有硅的抗蚀剂下层膜，上述含有硅的抗蚀剂下层膜用于在将包含选自元素周期表第6族、7族、8族、和9族中的至少1种金属的金属膜进行干蚀刻时作为蚀刻掩模而使用。
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公开(公告)号：CN113227281B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN201980085619.8
申请日：2019-10-25
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C09D183/08 , C07F7/18 , C08G77/26 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供适合作为能够形成不仅具有良好的EUV抗蚀剂密合性，而且由于氟系蚀刻速率也高因此也具有良好的蚀刻加工性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物的膜形成用组合物。解决手段是一种膜形成用组合物，其包含例如式(E1)所示的聚合物、和溶剂。
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公开(公告)号：CN115362216A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202180024987.9
申请日：2021-03-31
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08L83/04 , C08G77/14 , C08K5/05 , C08K5/06 , C08K5/19 , C08K5/34 , C08K5/42 , C08K5/49 , C08K5/50 , G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供用于形成溶剂显影型抗蚀剂的抗蚀剂下层膜的膜形成用组合物，所述抗蚀剂下层膜能够形成良好的抗蚀剂图案。该膜形成用组合物的特征在于包含水解性硅烷化合物的水解缩合物、选自由氨基塑料交联剂及酚醛塑料交联剂组成的组中的至少1种交联剂和溶剂，且上述水解性硅烷化合物包含下述式(1)表示的水解性硅烷。R1aR2bSi(R3)4‑(a+b)(1)。
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公开(公告)号：CN113891906A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202080039710.9
申请日：2020-03-24
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G77/26 , G03F7/11 , C09D5/00 , C08L83/04 , C09D183/06 , C09D183/08
Abstract: 本发明的课题是提供适合作为可以形成兼具对EUV抗蚀剂的良好的密合性、与良好的蚀刻加工性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物的、膜形成用组合物。解决手段是一种膜形成用组合物，其特征在于，其包含选自水解性硅烷化合物、其水解物和其水解缩合物中的至少1种，以及溶剂，上述水解性硅烷化合物包含分子内具有氰基的下述式(1)所示的水解性硅烷。(在式(1)中，R1为与硅原子结合的基团，并且表示包含氰基的有机基，R2为通过Si‑C键而与硅原子结合的基团，并且彼此独立地表示可以被取代的烷基等，R3为与硅原子结合的基团或原子，并且彼此独立地表示羟基、烷氧基、芳烷基氧基、酰氧基或卤原子，a表示1的整数，b表示0～2的整数，a+b表示1～3的整数。)R1aR2bSi(R3)4‑(a+b)(1)。
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