在无线终端中控制图像的方法和设备

    公开(公告)号:CN1893534A

    公开(公告)日:2007-01-10

    申请号:CN200610101790.8

    申请日:2006-07-10

    CPC classification number: G06T11/00

    Abstract: 提供了一种在消息发送/接收模式和视频呼叫模式下发送/接收面部表情照片的在无线终端中控制图像的方法和设备。如果在消息发送模式下选择了面部表情照片附加选项,则显示面部表情类型。待被发送的照片的面部表情被改变为从面部表情类型中选择的面部表情,并且选择的面部表情作为面部表情照片附加。随后发送附加有面部表情照片的消息。

    快闪存储器及其控制方法
    23.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1256732C

    公开(公告)日:2006-05-17

    申请号:CN00126378.1

    申请日:2000-09-12

    Inventor: 金范洙

    CPC classification number: G06F12/0246 G06F2212/7201 G11C8/12 G11C16/102

    Abstract: 一种快闪存储器及其控制方法。该存储器包括多个单元,每个单元包括:多个数据块,用于写入数据;多个备用块,这些块被腾空以写入数据块更新数据;映射块,指定数据写入的实际位置;首部块,记录快闪存储器信息和单元信息。该方法在更新数据块数据时,将更新数据写到相同单元中腾空的备用块中,更新映射块的映射信息、先前块的状态信息,使用户能用相同地址访问数据,不需在每次更新块时删除单元。本发明提高了写入和更新数据效率。

    对控制信息编程的方法和装置

    公开(公告)号:CN1697086A

    公开(公告)日:2005-11-16

    申请号:CN200510068919.5

    申请日:2005-04-27

    CPC classification number: G11C16/10 G11C16/0483 G11C16/30 G11C16/3454

    Abstract: 本发明公开了一种对控制信息比如标志、控制标志、标记、控制标记进行编程的方法和装置。该方法和装置可以在存储器阵列的第一区域中执行指定的单元类型的低速编程,确认在存储器阵列的第一区域中指定单元类型的低速编程的结果和在确认了低速编程的结果之后在存储器阵列的第二区域中执行指定单元类型的闪速编程,其中闪速编程的初始编程电压不同于低速编程的初始编程电压。第一和第二编程可以不相同,例如第一编程可以是低速操作,比如写数据,第二编程可以是闪速操作,比如写控制信息。第一和第二编程方法也可以不相同,例如第一编程方法可以是不允许重复编程的编程方法,而第二编程方法可以是允许重复编程的编程方法。

    快闪文件系统
    25.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1293404A

    公开(公告)日:2001-05-02

    申请号:CN00128430.4

    申请日:2000-10-14

    Inventor: 金范洙

    Abstract: 一种快闪文件系统,能够在没有单独快闪驱动器或存储设备的情况下独立运转,并以文件为单位在快闪存储器上处理数据(产生、写入、修改、搜索、抹去及恢复)。该系统包括:文件信息块,它包括一个状态,一个引导记录以及一个或多个文件信息项;自由擦除块,当文件信息块被再现时,存储在文件信息块中检测到的有效文件信息项;和至少一个或多个数据块,写入具有连续地址的数据。即使该系统难以使用单独快闪驱动器或存储设备,也能容易地以文件为单位在快闪存储器中存取数据。

    计算机信号传输装置
    27.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1226693A

    公开(公告)日:1999-08-25

    申请号:CN98127169.3

    申请日:1998-12-10

    CPC classification number: G09G5/006 G06F3/1431

    Abstract: 一种计算机信号传输装置,包括:衬底,安装于计算机主系统机架上;驱动器,安装于衬底上,用于将视频信号转换为电流信号;半导体激光器组,用于发射与驱动器电流信号相对应的光;光纤束,用于向显示器传输半导体激光器组发射出的光;光接收器组,用于将通过光纤束传输的光转换为电流信号;转换器,用于将光接收器组输出的电流信号转换为视频信号。

    用于制造半导体存储器装置的方法

    公开(公告)号:CN116322030A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202211597676.4

    申请日:2022-12-12

    Abstract: 提供了一种用于制造半导体存储器装置的方法。所述方法包括:提供基底;蚀刻基底的在其中形成沟槽的部分;形成元件隔离膜,元件隔离膜填充沟槽并限定有源区域,其中,元件隔离膜包括覆盖沟槽的内侧壁和底表面的第一衬层,其中,第一衬层凹陷并暴露基底的角部;将氮掺杂到基底中;以及形成预栅极绝缘膜,预栅极绝缘膜沿着基底的暴露的角部和基底的上表面并在基底的暴露的角部和基底的上表面上延伸。预栅极绝缘膜包括:第一部分,位于基底的上表面上;以及第二部分,位于基底的角部上。第一部分的厚度小于第二部分的厚度。

    触摸控制器、包括其的触摸感测设备及其操作方法

    公开(公告)号:CN114721539A

    公开(公告)日:2022-07-08

    申请号:CN202111559677.5

    申请日:2021-12-20

    Abstract: 一种触摸感测设备可以包括:触摸传感器阵列,该触摸传感器阵列包括至少一个信标驱动部分和至少一个补偿部分,该至少一个信标驱动部分包括多个第一触摸电极,该至少一个补偿部分包括多个第二触摸电极;以及触摸控制器,通过至少一个第一驱动信道和至少一个第二驱动信道连接到触摸传感器阵列,触摸控制器被配置为在用于与有源笔通信的第一上行链路时段期间,向至少一个第一驱动信道提供至少一个信标信号,以及向至少一个第二驱动信道提供至少一个补偿信号,该至少一个补偿信号是该至少一个信标信号的反相信号。

    制造半导体装置的方法
    30.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114361162A

    公开(公告)日:2022-04-15

    申请号:CN202111158839.4

    申请日:2021-09-30

    Inventor: 安皓均 金范洙

    Abstract: 提供了一种制造半导体装置的方法。该方法包括:提供包括单元区域和围绕单元区域的核心/外围区域的衬底;在单元区域的衬底上形成下电极;在核心/外围区域的衬底上形成栅极绝缘膜;在栅极绝缘膜上形成第一导电类型的第一导电膜;在第一导电膜内部形成扩散阻挡膜,扩散阻挡膜在竖直方向上与栅极绝缘膜间隔开;在形成扩散阻挡膜之后,在第一导电膜内部形成包括杂质的杂质图案;通过热处理工艺扩散杂质以形成与第一导电类型不同的第二导电类型的第二导电膜;以及在第二导电膜上形成金属栅电极,其中,扩散阻挡膜包括氦(He)和氩(Ar)中的至少一种。

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