-
公开(公告)号：CN1819025A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200510092500.3
申请日：2005-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B5/31
CPC classification number: G11B5/3116 , G11B5/3143
Abstract: 本发明提供一种磁头，其具有减少杂散场的影响并且高速产生磁化反转的磁薄膜结构。所述磁头包括第一磁极、与所述第一磁极间隔开的第二磁极以及在第一和第二磁极内感应磁场的感应线圈，其中所述第一和第二磁极包括其中产生用于记录的漏磁通的磁极尖、引导磁通在磁极内流通的头轭、以及用于控制磁畴的至少一植入物，所述植入物形成在所述第一和第二磁极的至少一个中。所述磁薄膜能够有效地减少从外部进入的杂散场的影响，并且能够控制畴壁运动，使得高速磁记录通过对应于感应线圈施加的磁场产生高速磁化反转而成为可能。
-
公开(公告)号：CN1262996C
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN01116266.X
申请日：2001-04-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B5/23
CPC classification number: G11B5/02 , G11B5/012 , G11B5/09 , G11B5/1278 , G11B5/1871 , G11B5/3116 , G11B5/313 , G11B5/596 , G11B2005/0029
Abstract: 本发明包括一种用于磁化盘片表面的方法和装置。具体地说，该装置包括利用垂直记录方法向磁盘表面写入的写入磁头。该磁头包括前磁极和后磁极，在此，后磁极沿其后边缘具有凹陷部分。该凹陷部分改善了穿过写入磁头的磁场梯度，从而在写入过程中能够产生较高的位密度。
-
-
公开(公告)号：CN1222928C
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN03103392.X
申请日：2003-01-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金庸洙
IPC: G11B5/39
CPC classification number: G11B5/3903 , G11B5/00 , G11B5/1278 , G11B5/3116 , G11B5/313 , G11B2005/0016 , G11B2005/0029
Abstract: 本发明提供了一种磁读取头。该磁读取头读取记录在具有柔性底层和叠置在该柔性底层上的磁性层的记录媒质上的信息，并包括一磁阻元件和一对屏蔽层。该磁阻元件位于该磁性层之上，与该柔性底层保持一预定距离(G)。该对屏蔽层平行于磁阻元件设置，与该磁阻元件的两侧保持预定距离。此处，该屏蔽层具有比预定距离(G)的两倍小的宽度。在此结构中，通过适当调节该屏蔽层的宽度，使得由屏蔽层下方的记录媒质的磁化形成的磁场不影响该磁阻元件。结果，磁读取头的灵敏度可提高。
-
公开(公告)号：CN1222927C
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN01139417.X
申请日：2001-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B5/127
CPC classification number: G11B5/1278 , G11B5/1871 , G11B5/4886
Abstract: 本发明涉及一种竖直写入型磁头，它包括一个基底、一个设在基底上的底极、以及一个顶极，顶极与底极对正并与底极分开一段预定的距离布置，其中，底极比顶极的宽度小。写入磁头被构造成得使底极的宽度比顶极小，以此减少在顶极侧面的磁场的延伸，以有效地阻止当在硬盘驱动器上有一个构造上的斜交角时由于底极覆盖相邻的磁道造成的对相邻的磁道上的信息的擦除。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1356690A
公开(公告)日：2002-07-03
申请号：CN01139417.X
申请日：2001-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B5/127
CPC classification number: G11B5/1278 , G11B5/1871 , G11B5/4886
Abstract: 本发明涉及一种竖直写入型磁头,它包括一个基底、一个设在基底上的底极、以及一个顶极,顶极与底极对正并与底极分开一段预定的距离布置,其中,底极比顶极的宽度小。写入磁头被构造成得使底极的宽度比顶极小,以此减少在顶极侧面的磁场的延伸,以有效地阻止当在硬盘驱动器上有一个构造上的斜交角时由于底极覆盖相邻的磁道造成的对相邻的磁道上的信息的擦除。
-
公开(公告)号：CN101490750B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200780026478.X
申请日：2007-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B5/127
CPC classification number: G11B9/02
Abstract: 本发明提供了用于从信息存储介质的表面电荷读取信息的电场信息读头，该电场信息读头包括：半导体衬底，具有在面向记录介质的表面的一端的中部中形成的电阻区域，该电阻区域用杂质轻掺杂；以及源极区域和漏极区域，在电阻区域的两侧上形成，该源极区域和漏极区域与电阻区域相比用杂质更重地掺杂。源极区域和漏极区域沿半导体衬底的面向记录介质的表面延伸，电极分别与源极区域和漏极区域电连接。此外，本发明提供了电场信息读头的制造方法以及在晶片上批量制造电场信息读头的方法。
-
公开(公告)号：CN100557702C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200310118841.4
申请日：2003-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种高密度磁阻存储器及其制造方法。该磁阻存储器包括：存储信息的存储单元；导线，与该存储单元接触，以通过产生磁场来改变存储单元的磁化方向；以及至少一个磁通量聚集岛(FCI)，位于该导线与存储单元之间，以将磁通量聚集到该存储单元上。磁通量被聚集到该存储单元上，以减少所需的电流并提高了选择率，从而形成一个高密度且高度集成化的存储单元。
-
公开(公告)号：CN100456359C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200610007314.X
申请日：2006-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B5/127
CPC classification number: G11B5/3116 , G11B5/1278 , G11B5/1871
Abstract: 本发明提供了一种不对称的垂直磁记录头及其制造方法。该垂直磁记录头包括用于从磁记录层读取数据的读头和用于将数据写在磁记录层上的写头。主磁极具有：第一表面，面向磁记录层的内侧；第二表面，与磁记录层的数据记录表面相对；第三表面，面向磁记录层的外侧，并且第一表面与第三表面不对称。第一表面和第三表面中的一个表面与第二表面可成大于90度的角度。
-
公开(公告)号：CN100440318C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200610001962.4
申请日：2006-01-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B5/127
CPC classification number: G11B5/3163 , G11B5/1278
Abstract: 本发明提供了一种磁记录头及制造该磁记录头的方法。所述方法包括：在第一绝缘层上依次形成第一磁层和绝缘帽层；在绝缘帽层上形成期望宽度的掩模图案，蚀刻第一磁层和绝缘帽层，直到暴露第一绝缘层，从而形成梯形分层部分；在第一绝缘层上沉积绝缘材料形成第二绝缘层以掩盖梯形分层部分的外围；在所述第二绝缘层上形成第二磁层。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
53
records
(took 0.021 seconds)
