公开(公告)号：CN110873911B

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN201910573222.5

申请日：2019-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白瓒郁 ,  赵庆相

IPC: G02B5/20 ,  G01J3/02 ,  G01J3/28

Abstract: 公开了一种光学滤波器，包括：第一反射器和第二反射器，第一反射器包括基于第一规则以第一周期二维布置并间隔开的多个第一亚波长结构，第二反射器被设置为与第一反射器分开，第二反射器包括基于第二规则以第二周期二维布置并间隔开的多个第二亚波长结构。

公开(公告)号：CN113224199A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202010804191.2

申请日：2020-08-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵庆相 ,  白瓒郁 ,  金镐正

IPC: H01L31/112 ,  H01L31/0352 ,  H01L27/146

Abstract: 提供了一种具有低暗噪声和高信噪比的光电子器件。该光电子器件可以包括：第一半导体层，被掺杂为具有第一导电类型；第二半导体层，设置在第一半导体层的上表面上并且被掺杂为具有与第一导电类型在电学上相反的第二导电类型；透明基质层，设置在第二半导体层的上表面上；多个量子点，布置成与透明基质层接触；以及第一电极和第二电极，第一电极设置在透明基质层的第一侧，第二电极设置在透明基质层的与第一侧相对的第二侧，其中，第一电极和第二电极电连接到第二半导体层。

公开(公告)号：CN110873911A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910573222.5

申请日：2019-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白瓒郁 ,  赵庆相

IPC: G02B5/20 ,  G01J3/02 ,  G01J3/28

Abstract: 公开了一种光学滤波器，包括：第一反射器和第二反射器，第一反射器包括基于第一规则以第一周期二维布置并间隔开的多个第一亚波长结构，第二反射器被设置为与第一反射器分开，第二反射器包括基于第二规则以第二周期二维布置并间隔开的多个第二亚波长结构。

公开(公告)号：CN107017312A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201610821200.2

申请日：2016-09-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵庆相 ,  白瓒郁 ,  郑熙静

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/113 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L31/02322 ,  B82Y20/00 ,  H01L27/14647 ,  H01L31/032 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/1126 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/954 ,  H01L27/14645 ,  H01L31/1136

Abstract: 本发明提供了光电器件和包括该光电器件的电子装置。光电器件可以包括光敏层，该光敏层可以包括配置为响应于光而产生电荷的纳米结构层和邻近于该纳米结构层的半导体层。纳米结构层可以包括一个或多个量子点。半导体层可以包括氧化物半导体。光电器件可以包括接触光敏层的不同区域的第一电极和第二电极。大量光电转换元件可以在水平方向上布置或者可以在竖直方向上层叠。光电转换元件可以吸收并由此探测在不同波长带中的光而不使用滤色器。

公开(公告)号：CN101834277B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201010171667.X

申请日：2010-02-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵庆相 ,  崔秉龙 ,  李银京 ,  金泰豪 ,  李相陈

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/502 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L33/14 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0007 ,  H01L51/5036 ,  H01L51/5048 ,  H01L51/5096

Abstract: 本发明提供一种量子点发光器件及其形成方法，所述量子点发光器件包括：衬底、设置在衬底上的第一电极、基本上与第一电极相对设置的第二电极、设置在第一电极和第二电极之间的第一电荷传输层、设置在第一电极和第二电极其中之一与第一电荷传输层之间的量子点发光层、以及设置在量子点发光层和第一电荷传输层之间的至少一个量子点包含层，其中所述至少一个量子点包含层的能级不同于量子点发光层的能级。

公开(公告)号：CN103059868A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201210397296.6

申请日：2012-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵庆相 ,  崔秉龙 ,  金泰豪

IPC: C09K11/88 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B19/002 ,  C01B19/007 ,  C01P2002/82 ,  C01P2006/40 ,  H01L29/127 ,  H01L29/20 ,  H01L29/22 ,  H01L29/7613

Abstract: 本发明提供颗粒、颗粒的溶液和制造纳米颗粒的方法。所述纳米颗粒的制造方法包括：提供金属硫属化物复合物(MCC)水合肼溶液；提供具有第一有机配体的纳米颗粒的第一有机溶液；通过混合MCC水合肼溶液和覆盖有第一有机配体的纳米颗粒的第一有机溶液形成混合溶液；和用MCC水合肼配体替换纳米颗粒的第一有机配体。

公开(公告)号：CN101162758B

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200710096084.3

申请日：2007-04-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申雄澈 ,  赵庆相 ,  崔在荣 ,  姜允善

IPC: H01L45/00 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L45/1683 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1616

Abstract: 提供一种包含相变层表面处理工艺的制备相变存储装置的方法，所述方法包含：在形成相变层之前，在其上欲形成相变层的底层表面上形成涂层，其中所述涂层具有有助于烷基容易地粘附到所述底层表面的化学结构。在形成涂层之后，采用原子层沉积(ALD)法形成相变层。