公开(公告)号：CN107221560A

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201710170062.0

申请日：2017-03-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许然喆 ,  M.坎托罗

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L28/00 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66666

Abstract: 一种半导体器件包括：半导体基板，其包括形成在半导体基板的上部分中的第一源极/漏极区；覆盖第一源极/漏极区的顶表面的金属硅化物层；以及穿透金属硅化物层并连接到半导体基板的半导体柱。半导体柱包括形成在半导体柱的上部分中的第二源极/漏极区，栅电极在金属硅化物层上，并且栅电极在平面图中围绕半导体柱。接触连接到金属硅化物层。