公开(公告)号：CN107527911A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710469526.8

申请日：2017-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐东灿 ,  朴起宽 ,  金东宇 ,  申东石

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L27/0924 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/092 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：包括第一区和第二区的衬底；鳍型有源区域，其在第一区和第二区的每个中在远离衬底的第一方向上延伸；平行于鳍型有源区域的上表面延伸并与鳍型有源区域的上表面间隔开的多个纳米片；栅极，其在交叉第一方向的第二方向上在鳍型有源区域之上延伸；栅极电介质层，其被插置在栅极与每个纳米片之间；第一区中包括的第一源极和漏极区以及第二区中包括的第二源极和漏极区；以及绝缘间隔物，其被插置在鳍型有源区域与纳米片之间，其中空气间隔物被插置在绝缘间隔物与第一源极和漏极区之间。