公开(公告)号：CN114446960A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111221518.4

申请日：2021-10-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张志熏 ,  韩正勋 ,  洪智硕 ,  朴桐湜

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 本公开提供了一种能够改善可靠性和性能的半导体存储器装置。半导体存储器装置包括：衬底，其包括单元区域和单元区域周围的外围区域；单元区域隔离膜，其限定单元区域；位线结构，其位于单元区域中；第一外围栅极结构，其位于衬底的外围区域上，第一外围栅极结构包括第一外围栅极导电膜和第一外围栅极导电膜上的第一外围封盖膜；外围层间绝缘膜，其位于第一外围栅极结构周围；以及插入层间绝缘膜，其位于外围层间绝缘膜和第一外围栅极结构上，并且包括与外围层间绝缘膜的材料不同的材料。外围层间绝缘膜的上表面低于第一外围封盖膜的上表面。

公开(公告)号：CN113451265A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110325155.2

申请日：2021-03-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔慜贞 ,  韩正勳 ,  金知浩 ,  边永镛 ,  李瑌真 ,  张志熏

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L27/02

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括芯片区域和边缘区域；集成电路元件，位于芯片区域上；层间绝缘层，覆盖集成电路元件；互连结构，位于层间绝缘层上并且具有位于边缘区域上的侧表面；第一导电图案和第二导电图案，位于互连结构上，第一导电图案和第二导电图案电连接到互连结构；第一钝化层，覆盖第一导电图案和第二导电图案以及互连结构的侧表面；以及第二钝化层，位于第一钝化层上，其中，第二钝化层包括不同于第一钝化层的绝缘材料，并且在第一导电图案与第二导电图案之间，第二钝化层具有定位在比第一导电图案的顶表面的竖直水平低的竖直水平处的底表面。

公开(公告)号：CN113451202A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110256957.2

申请日：2021-03-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张志熏 ,  崔智旻 ,  李瑌真 ,  张贤禹 ,  韩正勋

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/538 ,  H01L27/088

Abstract: 提供了半导体装置及其制造方法。所述方法包括：在衬底上形成第一电介质层；在所述第一电介质层中形成通路；在所述第一电介质层上顺序地形成第一金属图案、第一金属氧化物图案、第二金属图案和抗反射图案；和执行退火工艺以使所述第一金属氧化物图案和所述第二金属图案彼此反应以形成第二金属氧化物图案。形成所述第二金属氧化物图案包括通过所述第二金属图案的金属元素与所述第一金属氧化物图案的氧元素之间的反应来形成所述第二金属氧化物图案。