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公开(公告)号：CN1578551A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410007734.9
申请日：2004-03-05
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L27/3262
Abstract: 本发明提供包括薄膜晶体管的场致发光装置及制造场致发光装置的方法。一种场致发光装置包括：一场致发光元件和一与该场致发光元件电连接薄膜晶体管。该薄膜晶体管包括：一栅极电极，形成在一衬底上方；一绝缘层，形成在该栅极电极上方；一第一半导体图形，形成在该绝缘层上方。一蚀刻停止层形成在该第一半导体层上方。一第二半导体图形在该蚀刻停止层一侧形成在该蚀刻停止层上方，而一第三半导体图形在该蚀刻停止层另一侧形成在该蚀刻停止层上方。一源极电极形成在该第二半导体图形上方，而一漏极电极形成在该第三半导体图形上方。
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公开(公告)号：CN1510652A
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：CN03165011.2
申请日：2003-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G2300/0417 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2320/0223 , G09G2320/043 , H01L27/1296
Abstract: 一种有机发光显示设备，包括：在提供驱动信号到有机发光二极管的顺序进程中分别传送前一级和当前栅极信号的栅极线；传送在图像显示装置上显示图像的数据信号的数据线；响应当前栅极信号传送来自数据线的数据信号的导电通路的第一开关晶体管；响应前一级栅极信号传送外部提供的基准信号的导电通路的第二开关晶体管；响应第二开关晶体管的状态传送从第一开关晶体管提供的数据信号的导电通路的第三开关晶体管；以及响应来自第二开关晶体管的基准信号和第三开关晶体管的数据信号之一接收偏压和产生到有机发光二极管的驱动信号的导电通路的第四开关晶体管。第三和第四开关晶体管具有彼此基本上相同的开关性能。
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公开(公告)号：CN1507614A
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN02809637.1
申请日：2002-05-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G09G3/30
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G2300/0452 , G09G2300/0842 , G09G2310/0218 , G09G2320/0242 , G09G2330/02
Abstract: 本发明提供了一种有机电致发光器件及其制造这类器件的方法。每个阳极电极包括安置在其上的有机发光层，以及分别安置在每个有机发光层上的阴极电极。每个阴极电极接收适合于每一个有机发光层的操作特性的电源。因此，可用全色显示来显示已改善的图像。
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公开(公告)号：CN1440224A
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN03105436.6
申请日：2003-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/5284 , H01L27/3244
Abstract: 本发明公开了一种有源矩阵型有机电致发光显示器及其制造方法。低反射图案基本形成在衬底中其上形成象素电极区域之外的表面上。该衬底包括用于驱动薄膜晶体管的金属互连、与薄膜晶体管相连接的象素电极以及形成在象素电极上的有机电致发光层。通过上述结构，外界光线从象素电极之外的不发光区域的反射被最小化，从而获得高对比度。
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公开(公告)号：CN1956210B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200610150355.4
申请日：2006-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/3276 , H01L51/5203
Abstract: 提供了一种显示装置及其制造方法。该显示装置包括：基板；驱动电压线，设置在基板上；驱动电压线焊盘，用于将驱动电压传输给驱动电压线；驱动晶体管，连接至驱动电压线；像素电极，连接至驱动晶体管；共电极，与像素电极相对；发光元件，设置在像素电极和共电极之间；以及共电极焊盘，设置在基板上，以便将共电压传输给共电极。在基板的侧面露出共电极焊盘和驱动电压线焊盘。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1657181B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200510064035.2
申请日：2005-02-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B05C11/1034 , B05C5/027 , H01L51/0004 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开一种装置，其包括滴落单元、传输单元和位置调整单元。该滴落单元滴落有机材料滴。该传输单元沿着第一方向传输滴落单元。该位置调整单元插入在滴落单元和传输单元之间，以调整滴落单元的位置。因此，滴落该有机材料的装置具有小尺寸，并能将该有机材料滴滴落在精确的位置上。而且，该传输单元迅速移动滴落单元，并且位置调整单元精确地调整滴落单元的位置。因此，减小了用于烘干注入到空穴中的有机材料的时差。
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公开(公告)号：CN101789441A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010003216.5
申请日：2004-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/5259 , H01L27/3211 , H01L51/5256
Abstract: 本发明提供一种用于显示图像的显示装置，包括：衬底；显示元件，设置于该衬底上以产生用于显示图像的红光、绿光和蓝光；多个第一阻挡层，形成在该发光元件上以防止氧或湿气渗透进所述第一阻挡层；以及多个吸收层，与显示元件上的第一阻挡层交替设置以吸收通过所述第一阻挡层的一部分氧或湿气。
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公开(公告)号：CN100568522C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN03105436.6
申请日：2003-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/5284 , H01L27/3244
Abstract: 本发明公开了一种有源矩阵型有机电致发光显示器及其制造方法。低反射图案基本形成在衬底中其上形成象素电极区域之外的表面上。该衬底包括用于驱动薄膜晶体管的金属互连、与薄膜晶体管相连接的象素电极以及形成在象素电极上的有机电致发光层。通过上述结构，外界光线从象素电极之外的不发光区域的反射被最小化，从而获得高对比度。
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公开(公告)号：CN100495743C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200380106054.6
申请日：2003-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/115 , H01L27/146 , G01T1/16 , G01T1/24
CPC classification number: H01L27/1214 , H01L27/14658 , H01L27/14659 , H01L27/14692
Abstract: 一种用于X射线检测器的薄膜晶体管阵列面板包括用于检测漏电流的伪像素，该伪像素包括有光电二极管以及TFT。该光电二极管包括相互面对的第一和第二电极(178、195)以及设置于第一电极和第二电极之间的光电导层(800)。TFT包括半导体层(150)、栅电极(123)、连接到数据线的源电极(173)、连接到光电二极管的漏电极(175)。伪像素还包括用于阻挡入射到光电二极管上光的光阻挡层(196)。或者，半导体层在源电极和漏电极之间断开。
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公开(公告)号：CN100470875C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200410007734.9
申请日：2004-03-05
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L27/3262
Abstract: 本发明提供包括薄膜晶体管的场致发光装置及制造场致发光装置的方法。一种场致发光装置包括：一场致发光元件和一与该场致发光元件电连接薄膜晶体管。该薄膜晶体管包括：一栅极电极，形成在一衬底上方；一绝缘层，形成在该栅极电极上方；一第一半导体图形，形成在该绝缘层上方。一蚀刻停止层形成在该第一半导体层上方。一第二半导体图形在该蚀刻停止层一侧形成在该蚀刻停止层上方，而一第三半导体图形在该蚀刻停止层另一侧形成在该蚀刻停止层上方。一源极电极形成在该第二半导体图形上方，而一漏极电极形成在该第三半导体图形上方。
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