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公开(公告)号：CN101311806A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810127277.5
申请日：2004-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , H01L27/12 , H01L21/84 , G02F1/1335
Abstract: 本发明公开了一种用于液晶显示装置的下衬底，一种具有该下衬底的显示装置以及一种制造该下衬底的方法，下衬底包括像素区域和电路区域。图像在像素区域显示。第一信号电极设置在电路区域。第一绝缘层包括开口，第一信号电极通过该开口露出。第二信号电极设置在电路区域的第一绝缘层上，并与第一信号电极间隔开。第二绝缘层设置在第一绝缘层上，并包括接触孔，第一和第二信号电极通过该接触孔露出。导电层将第一信号电极电连接到第二信号电极并且包括透射电极和设置在该透射电极上的反射电极。因此，制造工序得以简化，从而使下衬底的生产率提高。
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公开(公告)号：CN101231432A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200810003845.0
申请日：2008-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 尹柱善
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1362 , H01L27/12 , H01L29/786 , G02F1/1333 , H01L21/84
CPC classification number: G02F1/133371 , G02F1/133555
Abstract: 一种透反式液晶显示器，包括：第一基板；多个像素电极，所述多个像素电极形成于第一基板上，并且包括多个透明电极和形成于部分透明电极上的多个反射电极；面对第一基板的第二基板；置于第一基板和第二基板之间的液晶层；以及形成于对应于反射电极的区域中的多个有机绝缘体图案。用于调节透射区和反射区中的液晶显示器的液晶胞间隙的有机绝缘体图案的平面形状可以调节为使得利用滴入注射形成的液晶可以快速和均匀地分散，以保持一致的液晶胞间隙并防止显示器出现瑕疵。
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公开(公告)号：CN100386675C
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN02828932.3
申请日：2002-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F2001/133388
Abstract: 为消除显示暗色图像时由于杂质离子在显示区域的一个角聚焦引起的角部明亮，本发明提供了一种液晶显示器，包括被当作屏幕且包括多个像素区域的显示区域和位于显示区域外部且设有虚拟像素区域的周缘区域的第一绝缘基片及设置在第一绝缘基片上的多条信号线。还包括多个像素电极，其与信号线电连接且位于像素区域及虚拟像素区域，各像素电极包含由透明导电材料组成的透明膜及由反射性导电材料组成的反射膜。此外，还包括与第一绝缘基片相对设置的第二绝缘基片以及设置在第二绝缘基片上的黑阵，该黑阵屏蔽虚拟像素区域中的像素电极。在虚拟像素区域中像素电极的反射膜具有比在像素区域中的反射膜大的面积。本发明可应用与液晶显示器制造领域。
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公开(公告)号：CN1668968A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN03816512.0
申请日：2003-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1337 , G02F1/1343 , G02F1/136
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/133784 , G02F1/136227
Abstract: 提供了一种反射－透射型液晶显示装置(500)以及该反射－透射型液晶显示装置的制造方法。该反射－透射型液晶显示装置(500)包括象素电极(240)，所述象素电极具有用于在光未充足提供的黑暗之处显示信息的透明电极(242)、用于在光充足提供之处显示信息的反射电极(244)、以及设置在象素电极上表面上的具有取向槽(252)的取向膜(250)，所述取向槽(252)的方向依据反射电极(244)的形状变化。该反射－透射型液晶显示装置能够防止当堆叠在反射电极(244)和透明电极(242)的边界处的杂质或离子造成的液晶响应速度降低时产生的余象，由此提高显示品质。
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公开(公告)号：CN1625711A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN02828932.3
申请日：2002-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F2001/133388
Abstract: 本发明提供了一种根据本发明实施例的液晶显示器，其被分为对于用户当作屏幕的显示区域及围绕该显示区域的周缘区域。将通过多条信号线的交叉限定的多个像素区域设置在显示区域，同时将多个虚拟像素区域设置在一部分的周缘区域上。像素区域通过沿横向延伸的多条栅极线和沿纵向延伸的多条数据线的交叉进行限定，同时将周缘区域中的像素区域通过栅极线和多条虚拟数据线的交叉进行限定。像素电极包含透明膜和反射膜。各虚拟像素区域中的反射膜具有比在各像素区域中的反射膜大的面积，以便其通过虚拟像素区域遮挡来自光源的光。优选地，在周缘区域中的反射膜没有可露出透明膜的孔并且覆盖虚拟像素区域的整个面积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1623117A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN02828594.8
申请日：2002-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/133553 , G02F1/133555 , G02F1/136227 , G02F2001/136236
Abstract: 在基底上形成包括栅极布线、栅电极，以及栅极焊盘并横向延伸的栅极线。随后形成栅极绝缘层，并在其上顺序形成半导体层和欧姆接触层。沉积导电材料并对其构图，从而形成包括与栅极布线相交的数据布线、源电极、漏极以及数据焊盘的数据线。在基底上沉积由氮硅化合物构成的保护层，在所述保护层上覆盖由光敏有机绝缘材料构成的有机绝缘层。对所述有机绝缘层构图，以在其表面形成不平的图形，并形成暴露保护层并与漏极相对的第一接触孔。随后，用如氩之类的惰性气体对有机绝缘层的表面进行处理，然后利用光致抗蚀剂图形通过光蚀刻随所述栅极绝缘层一道对所述保护层构图，以形成分别暴露漏极、栅极焊盘和数据焊盘的接触孔。接着，沉积铟锡氧化物或铟锌氧化物并对其构图，以形成分别连接到漏极、栅极焊盘和数据焊盘的透明电极、辅助栅极焊盘、以及辅助数据焊盘。最后，沉积反射型导电材料并对其构图，从而在透明电极上形成在像素区域中具有相应小孔的反射薄膜。
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公开(公告)号：CN1517751A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN200310124293.6
申请日：2003-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/133 , G02F1/1343 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/13454 , G02F2001/133388 , G02F2202/42
Abstract: 本发明公开了一种液晶显示装置，包括下基底、上基底和液晶层。下基底包括用于显示图像的显示部分和用于向显示部分提供驱动信号的驱动部分。上基底包括公共电极和使公共电极与驱动部分电绝缘的绝缘件。绝缘件具有小于液晶层的介电常数。驱动部分和公共电极之间的寄生电容被减小，防止了驱动部分出现故障，提高了显示质量。
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公开(公告)号：CN101071245B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200710126697.7
申请日：2007-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , G09G3/36
Abstract: 根据本发明的示例性实施例中的液晶显示器，包括一基板，按照矩阵的形式排列在基板上的多个像素，其中每个像素包括一开关元件，连接到开关元件并且在行方向上延伸的多条栅极线，以及连接到栅极线并且作为集成电路形成在基板上的栅极驱动器。在液晶显示器内，栅极驱动器包括第一区域和不和该第一区域对齐的第二区域。
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公开(公告)号：CN101311806B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200810127277.5
申请日：2004-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , H01L27/12 , H01L21/84 , G02F1/1335
Abstract: 本发明公开了一种用于液晶显示装置的下衬底，一种具有该下衬底的显示装置以及一种制造该下衬底的方法，下衬底包括像素区域和电路区域。图像在像素区域显示。第一信号电极设置在电路区域。第一绝缘层包括开口，第一信号电极通过该开口露出。第二信号电极设置在电路区域的第一绝缘层上，并与第一信号电极间隔开。第二绝缘层设置在第一绝缘层上，并包括接触孔，第一和第二信号电极通过该接触孔露出。导电层将第一信号电极电连接到第二信号电极并且包括透射电极和设置在该透射电极上的反射电极。因此，制造工序得以简化，从而使下衬底的生产率提高。
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公开(公告)号：CN100587927C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200610094112.3
申请日：2006-06-22
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 尹柱善
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/84 , H01L21/768 , H01L27/12 , H01L23/522 , H01L29/786 , H01L29/40
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 提供了一种具有改进的栅极线结构的薄膜晶体管基板及其制造方法，其中在形成具有双层结构的栅极线的过程中不会产生底切现象，该方法包括：形成第一金属层，第一金属层由从下述集合中选出的至少一种低电阻材料构成：Al、AlNd、Cu和Ag；在第一金属层上形成第二金属层，第二金属层由从下述集合中选出的至少一种耐热、耐蚀刻材料构成：Cr、CrNx、Ti、Mo和MoW；在第二金属层上形成蚀刻掩模，采用蚀刻掩模依次对第二金属层和第一金属层进行蚀刻，分别形成第二金属层图案和第一金属层图案；以及利用蚀刻掩模对第二金属层图案进行有选择地再次蚀刻，从而使第二金属层图案的宽度小于或者基本等于第一金属层图案的宽度，并最终完成栅极线的制作。
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