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公开(公告)号:CN100378522C
公开(公告)日:2008-04-02
申请号:CN02828594.8
申请日:2002-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/133553 , G02F1/133555 , G02F1/136227 , G02F2001/136236
Abstract: 公开了一种用于显示装置的薄膜晶体管阵列板的制造方法。该阵列板在ITO薄膜和有机绝缘薄膜之间具有良好的粘附性,并可减少ITO薄膜通过接触与导线电连接时在接触处的接触电阻。该方法包括以下步骤。在形成于基底上的薄膜晶体管上沉积保护层。有机绝缘层形成在保护层上并被构图,以形成露出保护层并与薄膜晶体管的漏极相对的第一接触孔。使用惰性气体通过等离子体工艺对该有机绝缘层进行表面处理,以在它的表面形成不同的图形。对该保护层构图,以形成露出漏极并位于第一接触孔内部的第二接触孔。形成经由第一和第二接触孔电连接到漏极的像素电极。
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公开(公告)号:CN100386675C
公开(公告)日:2008-05-07
申请号:CN02828932.3
申请日:2002-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F2001/133388
Abstract: 为消除显示暗色图像时由于杂质离子在显示区域的一个角聚焦引起的角部明亮,本发明提供了一种液晶显示器,包括被当作屏幕且包括多个像素区域的显示区域和位于显示区域外部且设有虚拟像素区域的周缘区域的第一绝缘基片及设置在第一绝缘基片上的多条信号线。还包括多个像素电极,其与信号线电连接且位于像素区域及虚拟像素区域,各像素电极包含由透明导电材料组成的透明膜及由反射性导电材料组成的反射膜。此外,还包括与第一绝缘基片相对设置的第二绝缘基片以及设置在第二绝缘基片上的黑阵,该黑阵屏蔽虚拟像素区域中的像素电极。在虚拟像素区域中像素电极的反射膜具有比在像素区域中的反射膜大的面积。本发明可应用与液晶显示器制造领域。
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公开(公告)号:CN1625711A
公开(公告)日:2005-06-08
申请号:CN02828932.3
申请日:2002-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F2001/133388
Abstract: 本发明提供了一种根据本发明实施例的液晶显示器,其被分为对于用户当作屏幕的显示区域及围绕该显示区域的周缘区域。将通过多条信号线的交叉限定的多个像素区域设置在显示区域,同时将多个虚拟像素区域设置在一部分的周缘区域上。像素区域通过沿横向延伸的多条栅极线和沿纵向延伸的多条数据线的交叉进行限定,同时将周缘区域中的像素区域通过栅极线和多条虚拟数据线的交叉进行限定。像素电极包含透明膜和反射膜。各虚拟像素区域中的反射膜具有比在各像素区域中的反射膜大的面积,以便其通过虚拟像素区域遮挡来自光源的光。优选地,在周缘区域中的反射膜没有可露出透明膜的孔并且覆盖虚拟像素区域的整个面积。
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公开(公告)号:CN1623117A
公开(公告)日:2005-06-01
申请号:CN02828594.8
申请日:2002-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/133553 , G02F1/133555 , G02F1/136227 , G02F2001/136236
Abstract: 在基底上形成包括栅极布线、栅电极,以及栅极焊盘并横向延伸的栅极线。随后形成栅极绝缘层,并在其上顺序形成半导体层和欧姆接触层。沉积导电材料并对其构图,从而形成包括与栅极布线相交的数据布线、源电极、漏极以及数据焊盘的数据线。在基底上沉积由氮硅化合物构成的保护层,在所述保护层上覆盖由光敏有机绝缘材料构成的有机绝缘层。对所述有机绝缘层构图,以在其表面形成不平的图形,并形成暴露保护层并与漏极相对的第一接触孔。随后,用如氩之类的惰性气体对有机绝缘层的表面进行处理,然后利用光致抗蚀剂图形通过光蚀刻随所述栅极绝缘层一道对所述保护层构图,以形成分别暴露漏极、栅极焊盘和数据焊盘的接触孔。接着,沉积铟锡氧化物或铟锌氧化物并对其构图,以形成分别连接到漏极、栅极焊盘和数据焊盘的透明电极、辅助栅极焊盘、以及辅助数据焊盘。最后,沉积反射型导电材料并对其构图,从而在透明电极上形成在像素区域中具有相应小孔的反射薄膜。
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