公开(公告)号：CN1750168A

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200510092762.X

申请日：2005-08-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢振瑞 ,  金泰完 ,  金洪奭 ,  金恩植

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/00 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供一种磁存储器件和操作该磁存储器件的方法，该磁存储器件具有一致翻转特性并且能够由低电流翻转。该磁存储器件包括具有圆柱形状和共轴形成的元件的MTJ(磁性隧道结)层。该MTJ层包括：被施加写电流的导电层、共轴形成在该导电层周围的绝缘层、以及形成在该绝缘层周围的材料层，该材料层与该导电层共轴并且具有多个磁层。该材料层至少包括沿该导电层顺序堆叠的下磁层、隧穿层和上磁层。