公开(公告)号：CN101827653B

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN200880108776.8

申请日：2008-09-22

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 堀内伸彦 ,  杉本贤一 ,  村上雅美 ,  岩田健二

IPC: B01J23/78 ,  B01J35/10 ,  B01J37/08 ,  C01B7/04

CPC classification number: B01J23/83 ,  B01J21/08 ,  B01J35/10 ,  B01J35/1019 ,  B01J35/1038 ,  B01J35/1042 ,  B01J35/1047 ,  B01J35/1061 ,  B01J35/108 ,  B01J37/0201 ,  B01J37/0236 ,  C01B7/04

Abstract: 本发明的目的在于提供一种活性优异的催化剂，所述催化剂可以用于在催化剂的存在下通过氧来氧化氯化氢以制造氯的方法等，含有铜元素、碱金属元素及稀土类元素。本发明的催化剂是含有铜元素、碱金属元素及稀土类元素的催化剂，其特征在于，所述催化剂的细孔直径为5～15nm的范围内具有0.4～2.0ml/g的细孔容积。

公开(公告)号：CN102316983A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201080007274.3

申请日：2010-02-15

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 村上雅美 ,  前田宪 ,  后藤友哉

IPC: B01J37/06 ,  B01J23/80 ,  B01J37/00 ,  B01J37/03 ,  C07C29/154 ,  C07C31/04 ,  C07B61/00

CPC classification number: C07C29/154 ,  B01J23/002 ,  B01J23/72 ,  B01J23/80 ,  B01J35/002 ,  B01J35/1014 ,  B01J37/0009 ,  B01J37/031 ,  B01J37/06 ,  B01J37/18 ,  B01J2523/00 ,  Y02P20/52 ,  C07C31/04 ,  B01J2523/17 ,  B01J2523/27 ,  B01J2523/31 ,  B01J2523/41 ,  B01J2523/48

Abstract: 本发明提供一种铜基催化剂的制造方法，所述铜基催化剂的催化活性良好、且耐久性显著优异、重现性良好。所述铜基催化剂的制造方法是由以氧化铜作为必需成分的金属氧化物构成的催化剂的制造方法，特征在于包括下述工序：工序(1)使含有铜的酸性金属盐溶液与沉淀剂溶液接触，得到含有催化剂前体的沉淀物的浆料溶液；工序(2)使浆料溶液与洗涤液连续地接触，实质上保持悬浮状态，洗涤沉淀物。

公开(公告)号：CN101827653A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200880108776.8

申请日：2008-09-22

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 堀内伸彦 ,  杉本贤一 ,  村上雅美 ,  岩田健二

IPC: B01J23/78 ,  B01J35/10 ,  B01J37/08 ,  C01B7/04

CPC classification number: B01J23/83 ,  B01J21/08 ,  B01J35/10 ,  B01J35/1019 ,  B01J35/1038 ,  B01J35/1042 ,  B01J35/1047 ,  B01J35/1061 ,  B01J35/108 ,  B01J37/0201 ,  B01J37/0236 ,  C01B7/04

Abstract: 本发明的目的在于提供一种活性优异的催化剂，所述催化剂可以用于在催化剂的存在下通过氧来氧化氯化氢以制造氯的方法等，含有铜元素、碱金属元素及稀土类元素。本发明的催化剂是含有铜元素、碱金属元素及稀土类元素的催化剂，其特征在于，所述催化剂的细孔直径为5～15nm的范围内具有0.4～2.0ml/g的细孔容积。

公开(公告)号：CN101238556A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200680028669.5

申请日：2006-08-10

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 村上雅美 ,  大池俊辅 ,  藏野义人 ,  在塚真 ,  和知浩子

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: 本发明提供兼有低介电常数和高机械强度、可适用于光机能材料、电子机能材料等的多孔质二氧化硅和多孔质二氧化硅薄膜的制造方法、使用该多孔质二氧化硅薄膜的层间绝缘膜、半导体用材料、半导体装置的制造方法以及用于制造这些的制造装置。将包含烷氧基硅烷类的水解缩合物和表面活性剂的溶液进行干燥获得复合体，依次对该复合体进行紫外线照射处理以及用含有烷基的有机硅化合物进行疏水化处理。如果将上述溶液在基板上干燥形成复合体，则可得到多孔质二氧化硅薄膜。

公开(公告)号：CN1331745C

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN03821314.1

申请日：2003-09-08

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 高村一夫 ,  大池俊辅 ,  洼田武司 ,  村上雅美 ,  藏野义人

IPC: C01B33/12 ,  H01L21/316 ,  C09D183/02 ,  C09D183/04

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明为一种主要由Si-O结合构成的多孔质薄膜的改质方法，其将具有1个或1个以上的Si-X-Si结合单元(X表示O、NR、CnH2n或C6H4、R表示CmH2m+1或C6H5、m为1～6的整数、n为1或2)、和2个或2个以上的Si-A结合单元(A表示H、OH、OCeH2e+1或卤原子、e为1～6的整数)(同一分子内的A相同或相异均可)的有机硅化合物与该多孔质薄膜接触，并进行不使用金属催化剂的热处理。由该方法取得的多孔质薄膜，其疏水性和机械强度均相当优异，故可以使用于光机能材料、电子机能材料。尤其是非常适用于半导体用材料，可以适用作为半导体装置的层间绝缘膜。