公开(公告)号：CN109565159A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780045632.1

申请日：2017-05-26

Applicant: 学校法人中部大学

Inventor： 山口作太郎

IPC: H02G1/06 ,  H01B12/16

Abstract: 本发明提供一种以升温时的螺旋变形在超导电缆的长度方向上均匀的方式进行敷设的超导电缆的敷设方法及骨架。使在冷却时呈直线状并在升温时变形为螺旋状的超导电缆在升温时遍及超导电缆整体地均匀升温。捻线构造的骨架构成为，将最外层和接下来的一层的捻线方向设为相同方向，能够使包括所述骨架的超导电缆的升温时的螺旋变形稳定化。

公开(公告)号：CN103648978B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201280032880.X

申请日：2012-06-26

Applicant: 学校法人中部大学 ,  国立大学法人北海道大学 ,  国立大学法人大阪大学 ,  日新电机株式会社

Inventor： 河原敏男 ,  冈本一将 ,  松本和彦 ,  宇都宫里佐 ,  松叶晃明 ,  松本均

IPC: C01B31/02

CPC classification number: C01B31/0293 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/18 ,  Y10T428/24612

Abstract: 碳纳米墙排列体(10)具备基板(1)及碳纳米墙(2～9)。基板(1)包含硅。并且，基板(1)包含凸部(11)及凹部(12)。凸部(11)以及凹部(12)沿着方向DR1而形成在基板1的一个表面。凸部(11)以及凹部(12)是在垂直于方向DR1的方向DR2上交替地形成。凸部(11)在方向DR2上具有0.1μm～0.5μm的长度，凹部(12)在方向DR2上具有0.6μm～1.5μm的长度。而且，凸部(11)的高度为0.3μm～0.6μm。碳纳米墙(2～9)各自沿着基板(1)的凸部(11)的长度方向(＝方向DR1)而形成在凸部(11)上。

公开(公告)号：CN112020492B

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN201980028194.7

申请日：2019-04-25

Applicant: 学校法人中部大学

Inventor： 山本尚 ,  村松涉 ,  服部伦弘

IPC: C07C231/02 ,  C07K1/00

Abstract: 本发明提供一种新的制造方法，其可在多个氨基酸和/或肽之间高立体选择性且有效地发生酰胺化，来制造酰胺化合物。具体地，通过在路易斯酸催化剂和甲硅烷基化剂的存在下，在通式(1)的化合物的式中右侧的羧基与通式(2)的化合物的式中左侧的氨基之间形成酰胺键，来合成通式(3)的化合物(其中，上述式(1)、(2)和(3)中的各符号表示权利要求书中所述的含义)。

公开(公告)号：CN109565159B

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN201780045632.1

申请日：2017-05-26

Applicant: 学校法人中部大学

Inventor： 山口作太郎

IPC: H02G1/06 ,  H01B12/16

Abstract: 一种超导电缆的敷设方法及骨架，使在冷却时呈直线状并在升温时变形为螺旋状的超导电缆在升温时遍及超导电缆整体地均匀升温。捻线构造的骨架构成为，将最外层和接下来的一层的捻线方向设为相同方向，能够使包括所述骨架的超导电缆的升温时的螺旋变形稳定化。

公开(公告)号：CN110662736A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201880027384.2

申请日：2018-04-25

Applicant: 学校法人中部大学

Inventor： 山本尚 ,  村松涉 ,  服部伦弘 ,  下田康嗣

IPC: C07C231/02 ,  C07C237/12 ,  C07C269/06 ,  C07C271/22 ,  C07B61/00

Abstract: 本发明提供高立体化学选择性地制造酰胺化合物的新的方法。本发明的酰胺化合物的制造方法包括：在含有金属化合物的催化剂的存在下，使下述通式(1)表示的氨基酯化合物与氨基化合物反应，将上述氨基酯化合物的酯基进行酰胺化的酰胺化工序。

公开(公告)号：CN109415300A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201780031343.6

申请日：2017-05-22

Applicant: 学校法人中部大学

Inventor： 山本尚 ,  辻裕章 ,  儿玉英彦 ,  铃间喜教

IPC: C07C231/02 ,  B01J27/10 ,  B01J27/12 ,  B01J31/02 ,  C07C235/06 ,  C07C235/08 ,  C07C235/16 ,  C07C235/46 ,  C07C259/06 ,  C07C269/06 ,  C07C271/22 ,  C07D209/40 ,  C07D213/40 ,  C07D215/40 ,  C07D295/185 ,  C07D307/54 ,  C07D317/66 ,  C07D333/24 ,  C07B61/00

Abstract: 本发明提供将羟基酯化合物高化学选择性地酰胺化的方法。具体地，本发明为羟基酯化合物的酰胺化反应法，其中，在含有元素周期表第4族或第5族的过渡金属化合物的催化剂的存在下，使选自α-羟基酯化合物、β-羟基酯化合物、γ-羟基酯化合物和δ-羟基酯化合物中的至少1种羟基酯化合物与氨基化合物反应，将在上述羟基酯化合物的α位、β位、γ位或δ位具有羟基的酯基进行酰胺化。

公开(公告)号：CN105846392A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610344227.7

申请日：2011-09-05

Applicant: 学校法人中部大学

Inventor： 山口作太郎 ,  渡边裕文

IPC: H02G15/34

CPC classification number: F25J1/0022 ,  H01B12/00 ,  H01B12/16 ,  H02G15/34 ,  Y02E40/648

Abstract: 提供一种在绝热双层管中避免内管由于热收缩而从外管大幅度偏移的结构。该结构具有：绝热双层管，其具备在管内设置超导电缆的内管101和将所述内管收置在管内的外管103；和对所述内管进行支承的内管支承部件104，所述内管支承部件104被固定在所述内管和所述外管上。

公开(公告)号：CN104584228A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201280075389.5

申请日：2012-08-23

Applicant: 学校法人中部大学 ,  国立大学法人北海道大学 ,  国立大学法人大阪大学 ,  日新电机株式会社

Inventor： 河原敏男 ,  冈本一将 ,  松本和彦 ,  宇都宫里佐 ,  松叶晃明 ,  松本均

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78687 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7789 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

Abstract: 薄膜晶体管10具备硅基板1、沟道层2、源极电极3及漏极电极4。沟道层2、源极电极3及漏极电极4配置在硅基板1的一主面上。沟道层2包含多个碳纳米墙薄膜21～25，多个碳纳米墙薄膜21～25并列配置在源极电极3与漏极电极4之间，多个碳纳米墙薄膜21～25的其中一端接触源极电极3，多个碳纳米墙薄膜21～25的另一端接触漏极电极4。绝缘膜及栅极电极配置在硅基板1的背面侧。

公开(公告)号：CN103648978A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201280032880.X

申请日：2012-06-26

Applicant: 学校法人中部大学 ,  国立大学法人北海道大学 ,  国立大学法人大阪大学 ,  日新电机株式会社

Inventor： 河原敏男 ,  冈本一将 ,  松本和彦 ,  宇都宫里佐 ,  松叶晃明 ,  松本均

IPC: C01B31/02

CPC classification number: C01B31/0293 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/18 ,  Y10T428/24612

Abstract: 碳纳米墙排列体(10)具备基板(1)及碳纳米墙(2～9)。基板(1)包含硅。并且，基板(1)包含凸部(11)及凹部(12)。凸部(11)以及凹部(12)沿着方向DR1而形成在基板1的一个表面。凸部(11)以及凹部(12)是在垂直于方向DR1的方向DR2上交替地形成。凸部(11)在方向DR2上具有0.1μm～0.5μm的长度，凹部(12)在方向DR2上具有0.6μm～1.5μm的长度。而且，凸部(11)的高度为0.3μm～0.6μm。碳纳米墙(2～9)各自沿着基板(1)的凸部(11)的长度方向(＝方向DR1)而形成在凸部(11)上。