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公开(公告)号：CN112701061A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011101129.3
申请日：2020-10-15
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种烧结压机，用于在第一连接配对件和设置在其上方的第二连接配对件之间形成烧结连接，其具有用于固定第一连接配对件的抽吸固定装置和设置在抽吸固定装置上方的压紧件，当第一连接配对件和第二连接配对件设置在压紧件和抽吸固定装置之间时，使压紧件和抽吸固定装置相对于彼此会聚，并且用于相互地压紧第一连接配对件和第二连接配对件，抽吸固定装置在其面对压紧件的侧面上具有第一抽吸开口，当第一连接配对件设置于第一抽吸开口上方时，通过在第一抽吸开口处产生负压，抽吸固定装置构造成用于抽吸第一连接配对件并且用于相对于抽吸固定装置来固定第一连接配对件。本发明还涉及一种用于通过烧结压机来产生烧结连接的压力烧结方法。
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公开(公告)号：CN111987005A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010423273.2
申请日：2020-05-19
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
Inventor： 斯特凡·赫克斯霍尔德 , 斯特凡·厄尔林 , 迈克尔·尤努策尔 , 马库斯·迪泽尔
IPC: H01L21/56 , H01L21/60 , H01L25/07 , H01L23/485
Abstract: 本发明涉及一种用于生产功率半导体模块的方法和功率半导体模块，所述方法具有以下处理步骤：a)提供功率半导体布置，所述功率半导体布置具有基底和功率半导体部件，b)提供压花膜复合物，其中所述压花膜复合物被压花，使得在所述膜复合物的第一膜连接区域的法线方向上，所述第一膜连接区域被布置在第一高度水平处，第二膜连接区域被布置在高于所述第一高度水平的第二高度水平处，c)将导电粘合剂布置在所述压花膜复合物的所述第一膜连接区域和第二膜连接区域上，并且/或者布置在第一导体轨道和第二功率端子上，d)将所述压花膜复合物布置在所述基底上，使得粘合剂的第一部分与所述第一膜连接区域和第一导体轨道机械接触，并且粘合剂的第二部分与所述第二膜连接区域和第二功率端子机械接触，e)使粘合剂硬化。
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公开(公告)号：CN107294357B
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201710172077.0
申请日：2017-03-22
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
Inventor： I·拉布尔
IPC: H02M1/00
Abstract: 本发明涉及一种用于三电平转换器布置的相连布置，其包括：第一至第三连接轨，第一至第三连接轨每个都是成形的金属体的形式；第一至第三相连轨，第一至第三相连轨每个都是成形的金属体的形式。在这种情况下，各个连接轨具有线状段和连接段，该连接段本身具有连接装置。各个相连轨具有线状段和相连段，该相连段本身具有相关联的相连装置。相应的连接装置与相连装置一起形成相应地关联的连接段到相应地关联的相连段的导电连接，该导电连接优选地是力配合的。因此，连接轨以正确的极性连接到相连轨。
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公开(公告)号：CN106330152B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201610498142.4
申请日：2016-06-29
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
IPC: H03K17/687
Abstract: 包括场效应晶体管的功率半导体电路。本发明涉及功率半导体电路，其包括具有漏极(D)、源极(S)和栅极(G)作为端子的场效应晶体管(T1,T2)，并且包括具有驱动设备(2)和欠压检测电路(5)的控制设备(3)，其中驱动设备(2)被设计用于驱动场效应晶体管(T1,T2)并且电连接至场效应晶体管(T1,T2)的栅极(G)，其中欠压检测电路(5)被设计用于如果存在于场效应晶体管(T1,T2)的漏极(D)和源极(S)之间的功率半导体电压(U1,U2)降至低于特定电压值(Uw)则生成欠压检测信号(F)，其中驱动设备(2)被设计用于当存在用于导通场效应晶体管(T1,T2)的导通命令和欠压检测信号(F)时则导通场效应晶体管(T1,T2)。本发明提供了具有低能量损失的功率半导体电路(4,4’)。
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公开(公告)号：CN110798049A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201910628252.1
申请日：2019-07-12
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
Inventor： 马可·洪斯贝格
IPC: H02M1/00
Abstract: 本发明提供功率变换器布置及操作这种功率变换器布置的方法，该布置包括多个功率变换器模块，每个模块具有相关联的驱动器装置；和上级控制装置，其激励功率变换器布置，其中相应的驱动器装置具有第一参数存储器和发送装置，其中相关联的功率变换器模块的动态不可变的第一参数存储在第一存储器中，其中控制装置具有接收装置、处理装置和第二参数存储器，其中第二参数(至少一些第二参数与第一参数相同)存储在第二存储器中，且处理装置设计用以比较第一和第二参数，或者其中处理装置设计用以将接收在第二存储器中的第一参数存储为第二参数，其中相应的发送装置借助连接装置连接到接收装置，使得第一参数能从相应的驱动器装置发送到控制装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110690203A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910535717.9
申请日：2019-06-20
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
Abstract: 本发明涉及包括功率半导体部件和壳体的功率半导体装置，包括：穿过壳体开口的销元件、支撑装置、在支撑装置上布置的弹性密封装置、在密封装置上布置的压力装置和导电套筒，其中压力装置的第一压力元件被设计以使密封装置的第一密封元件沿销元件的轴向方向压靠于支撑装置的第一支撑元件，并以此方式引起第一元件变形，即，使得第一元件沿相对于销元件的轴向方向的垂直方向压靠于壳体开口壁并压靠于套筒，其中压力装置的第二压力元件被设计以使密封装置的第二密封元件沿销元件的轴向方向压靠于支撑装置的第二支撑元件，并以此方式引起第二元件变形，即，使得第二元件沿相对于销元件的轴向方向的垂直方向压靠于套筒并压靠于销元件。
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公开(公告)号：CN106469611B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201610686091.8
申请日：2016-08-18
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种具有电容器装置的功率电子组件，其构造有壳体和布置在壳体内的电容器装置，壳体具有布置在内部的散热面，其被构造成用于借助集成在壳体内的或者外部的散热装置进行散热，电容器装置具有电容器和电容器母线，电容器分别具有第一和第二极性的接触装置。该电容器母线具有面式的第一金属成形体和面式的第二金属成形体，面式的第一金属成形体与第一极性的第一接触装置导电连接，而面式的第二金属成形体与第二极性的第二接触装置导电连接。此外，第一金属成形体的第一部段具有第一子部段和第二子部段，第一子部段平行于散热面且与散热面间隔开地布置，而第二子部段与散热面处于热接触中，其中，两个子部段通过中间部段相互连接。
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公开(公告)号：CN104979182B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201510166088.9
申请日：2015-04-09
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
IPC: H01L21/288 , C25D7/12
Abstract: 用于将接触金属层电沉积到多个半导体部件的接触区域上的方法及相关设备，其中半导体部件存在于晶片组合件内且以矩阵状方式布置，该方法包括以下步骤：a)提供具有半导体部件的晶片，半导体部件具有至少一个PN结；b)相对于晶片的第一表面、从而相对于半导体部件的第一表面布置非导电的均匀化装置，及在晶片的第二表面处布置电接触装置；c)将晶片连同所布置的接触装置引入到具有电极的电镀浴内，其中电极的表面至少部分包括第一接触金属，且半导体部件的第一表面与电镀浴接触；d)将电压施加到电极和接触装置上，结果是电流通过电镀浴在电极、半导体部件和接触装置之间流动，从而接触金属均匀沉积在半导体部件的第一接触区域处。
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公开(公告)号：CN110098132A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910073517.6
申请日：2019-01-25
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
Abstract: 本发明涉及生产功率半导体模块的方法和功率半导体模块，所述方法包括以下方法步骤：a)提供布置有功率半导体元件的基板、接触弹簧和弹簧引导元件，该弹簧引导元件由塑料材料构成并具有管道；b)将基板和弹簧引导元件以如下方式布置，即：使得在该布置之后，管道的第二开口被布置成面向基板；c)通过管道的第一开口将接触弹簧的至少一部分引入管道中；d)使弹簧引导元件的、被布置在它的与管道的第一开口毗连的区域中的材料以如下方式塑性变形，即：使得弹簧引导元件的、至少在它的与第一开口毗连的那一区域中的一个位置处的材料变形到第一开口中，其中由于已经变形到第一开口中的材料，所以接触弹簧在从第二开口到第一开口的方向上的移动被限定。
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公开(公告)号：CN109980608A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201811406128.2
申请日：2018-11-23
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
Abstract: 一种三电平功率转换器半桥的操作方法及其控制装置。控制装置具有：第一和第二启动装置，其生成用于启动第一和第二功率半导体开关的启动电压；第一过流检测装置，其当在第一功率半导体开关的接通状态下在第一功率半导体开关处施加的第一主要功率半导体开关电压超过第一电压值时生成第一过流信号。在存在第一过流信号时第一启动装置生成断开第一功率半导体开关的第一启动电压。控制装置具有在第一主要功率半导体开关电压超过第二电压值时以第一功率半导体开关被操作于其线性操作中的方式启动第一功率半导体开关的第一线性操作启动装置。控制装置具有在接收到第一过流信号时使得第二启动装置生成断开第二功率半导体开关的第二启动电压的信号电路。
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