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公开(公告)号：CN104464193A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410759759.8
申请日：2014-12-12
Applicant: 清华大学苏州汽车研究院(吴江)
IPC: G08B21/06
CPC classification number: G08B21/06
Abstract: 本发明公开了一种驾驶员疲劳检测预警系统的控制盒，包括控制盒盒体，所述控制盒盒体内部设置有用于插入内部SD卡的SD卡槽，所述控制盒盒体的外部设置有用于插入外部SD卡的SD卡接口，所述控制盒盒体的接合处黏贴有防拆标签。控制盒为封闭设计，驾驶员一般无法打开，并贴有防拆标签，通过这一双SD卡的结构设计，能有效避免在单一外部SD卡存储视频的条件下，驾驶员私自删除疲劳驾驶视频证据而导致系统功能受限、事故取证困难、监管能力下降等情况的发生。
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公开(公告)号：CN103022109B
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201210559040.0
申请日：2012-12-20
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/73 , H01L29/08 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开一种局部氧化抬升外基区全自对准双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品和方法只适于制备本征集电区窗口和单晶发射区较窄的器件的缺陷而设计。本发明局部氧化抬升外基区全自对准双极晶体管包括衬底、硅埋层集电区、硅外延层、硅集电极引出区、场区介质层、选择注入集电区、本征基区外延层、发射区-基区隔离介质区、多晶发射区、单晶发射区、抬升外基区、以及氧化硅隔离介质层。本发明局部氧化抬升外基区全自对准双极晶体管及其制备方法有效缓解了对器件尺寸的限制，适于制备具有从窄到宽各种尺寸本征集电区窗口和单晶发射区的器件，在保持高性能的基础上进一步拓宽了技术的应用领域和范围。
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公开(公告)号：CN104134361A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410312259.X
申请日：2014-07-02
Applicant: 清华大学
IPC: G08G1/0962
Abstract: 本发明提供了一种驾驶状况反馈方法、系统及内置所述系统的车载装置，所述驾驶状况反馈方法及系统根据获取的车辆运行状态数据判断驾驶状况，之后根据所述驾驶状况播放相应的语音提示，因此本发明所述驾驶状况反馈方法及系统，当驾驶状况不好，比如驾驶员出现紧急刹车、车距过近、驾驶不平稳、疲劳驾驶等情况时，会对其进行相应的语音反馈提示，当驾驶员驾驶状况好时，会播放相应的语音反馈提示激励驾驶员继续保持，从而激励驾驶员形成平稳驾驶的习惯，纠正驾驶员的不良驾驶行为。所述车载装置，外观可爱别致，能够增加行车过程中的娱乐性，督促驾驶员平稳驾车，确保了行车安全。
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公开(公告)号：CN102683401B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201210160790.0
申请日：2012-05-22
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/10 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开一种自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管，为解决现有产品基极电阻RB大等缺陷而设计。本发明自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管主要包括Si集电区、局部介质区、单晶锗硅外延基区、多晶锗硅基区、基区低电阻金属硅化物层、重掺杂多晶硅抬升外基区、外基区低电阻金属硅化物层、重掺杂多晶硅发射区、发射区低电阻金属硅化物层、发射区-基区隔离介质区、重掺杂单晶发射区。基区低电阻金属硅化物层延伸至发射区-基区隔离介质区外侧。本发明公开一种自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管制备方法，用于制备上述双极晶体管。本发明自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法降低了基极电阻RB，工艺简单，成本低。
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公开(公告)号：CN103955695A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201310615993.9
申请日：2013-11-27
Applicant: 苏州清研微视电子科技有限公司 , 清华大学苏州汽车研究院(吴江)
Abstract: 本发明公开了一种采用灰度共生矩阵能量变化智能识别视频中人眼状态的方法，包括以下步骤：(1)从视频中获取若干幅人眼图像，计算得到各幅人眼图像的灰度共生矩阵；(2)计算每一帧人眼图像对应的灰度共生矩阵的角二阶矩值，得到每帧人眼图像所对应的能量值；构建一条帧数-能量值的原始数据曲线；(3)对每一帧人眼图像进行均值滤波处理获得一条与原始数据曲线相对应的基准曲线；将原始数据曲线和基准曲线上的对应值相减并取绝对值，就得到一条差值曲线；(4)将差值曲线上的差值与预设的能量阈值作比较。该方法具有很强的自适应性，能够有效克服不同人眼睛的差别带来的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103730356A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310753735.7
申请日：2013-12-31
Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司 , 清华大学
IPC: H01L21/331 , H01L21/265
CPC classification number: H01L29/66325 , H01L21/26506 , H01L29/32
Abstract: 本发明涉及一种IGBT器件背面制造方法，至少包括下述步骤：a)将正面结构加工完毕的硅片背面减薄；b)在硅片背面用高能离子注入机注入质子H+；c)对硅片进行低温退火；d)在硅片背面用离子注入机注入磷和/或硼杂质；e)以激光退火工艺完成硅片背面表层的晶格修复，并激活杂质。其利用离子注入缺陷产生的复合中心形成少子控制区，有效降低少子寿命，且当IGBT正向关断时，其通过提高载流子的复合效率，有效降低IGBT的关断时间和功耗，该方法简单而有效、便于推广。
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公开(公告)号：CN103714660A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310731567.1
申请日：2013-12-26
Applicant: 苏州清研微视电子科技有限公司 , 清华大学苏州汽车研究院(吴江)
IPC: G08B21/06
Abstract: 本发明公开了一种基于图像处理融合心率特征与表情特征疲劳驾驶判别的系统，包括信息采集装置、信息处理装置和预警装置，其特征在于所述信息采集装置用于采集驾驶人面部图像序列，并提供给信息处理装置；所述信息处理装置用于对采集到的驾驶人面部图像序列进行处理分析，得到驾驶员的表情特征信息及心率特征信息，并将表情特征和心率特征进行信息融合，用以判别驾驶员是否处于疲劳状态；预警装置，用于当驾驶员出现疲劳驾驶时，根据预警策略和疲劳等级向预警提示器发送指令，向驾驶员提示预警。该系统通过图像处理的方法将心率特征和表情特征结合起来，实现疲劳驾驶判别的算法及车载装置，提高了疲劳驾驶判别系统的精确度、鲁棒性和可靠性。
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公开(公告)号：CN102496626B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201110453797.7
申请日：2011-12-30
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/737
Abstract: 本发明公开一种锗硅异质结双极晶体管结构，为解决现有结构基极和集电极之间高寄生电容的缺陷而设计。本发明锗硅异质结双极晶体管结构中在沿垂直于基片的方向上，外基区下方无集电区，且无与集电极相连的导电层。该结构的加工主要步骤包括：在P型衬底上制作两个沿中心线对称的N+埋层区，生长N-硅层；形成N+Sinker、P-区和隔离环；在集电区内注入N型杂质；淀积介质层和多晶硅；对应集电区开窗口并在其中生长单晶SiGe，窗口外生长多晶SiGe；发射极和集电极处开窗口并淀积N型多晶硅；淀积介质层并设电极。本发明锗硅异质结双极晶体管结构适用于射频性能要求高的器件中，尤其是击穿电压BVceo大于8V的功率器件中。
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公开(公告)号：CN102280482B
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201110220539.4
申请日：2011-08-02
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开一种射频侧向扩散金属氧化物半导体器件及制备方法，为解决现有结构中源区和漏区接触电阻较大的缺陷而设计。本发明射频侧向扩散金属氧化物半导体器件在源区和高掺杂低阻区之间或在漏区上设有硅化物层。在沿栅电极至漏区的方向上包括2层或3层的法拉第屏蔽结构层与侧向扩散区上表面的距离增加。一种射频侧向扩散金属氧化物半导体器件制备方法，淀积法拉第屏蔽结构层的同时淀积了连接源区和高掺杂低阻区的金属层和/或漏区金属层，退火后形成金属硅化物。本发明射频侧向扩散金属氧化物半导体器件降低了源区和/或漏区电阻，降低了器件的栅源电容。本发明射频侧向扩散金属氧化物半导体器件制备方法提高了性能，简化了工艺。
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公开(公告)号：CN102176085B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110056223.6
申请日：2011-03-09
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了属于半导体制造设备范围的使激光光束做大范围移动及扫描动作的机构。激光器、反射镜及处理激光光束的光路组件安装于光学腔中，其中激光器、处理激光束的光路组件分别安装在光学腔两个竖直腔内，光学腔安装于支撑座上，利用该机构，可以在较大范围内移动激光光束，使其对不同的工作站进行扫描或者步进扫描，并覆盖所要处理的全部晶圆片表面。该机构还可以对激光光束进行扩束、匀束、光斑整形、准直等光学处理。光路组件部分处于扫描机构的后面，并且随扫描过程也做同步的移动，通过这样的方式，使作用于工作站上的晶圆片表面不同区域的激光光束稳定一致，从而能够保证激光加工工艺质量的均匀性，稳定性，并实现激光光束利用的高效率。
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