一种抗总剂量辐照的电源管理芯片及其制造方法

    公开(公告)号:CN113878115B

    公开(公告)日:2022-08-19

    申请号:CN202111165027.2

    申请日:2021-09-30

    Abstract: 本发明公开了一种抗总剂量辐照的电源管理芯片及其制造方法,属于特种功能涂层制备技术领域。本发明解决了现有高Z重金属材料与低Z材料在混合的过程中彼此相对分散的均匀性较差,导致相应的复合材料的屏蔽效果无法达到预期的应用效果的问题。本发明利用原子层沉积技术在高Z重金属材料金属表面沉积低Z金属氧化物薄膜,具有沉积温度低,厚度均匀可控的优点,利用其良好的三维保型性和包裹性性能,可有效改善涂覆膜层与基底间的界面结合强度,并采用超声辅助热喷涂工艺将稀释液喷涂于电源管理芯片表面,有效提高涂层抗辐照性能的同时,实现电源管理芯片的空间抗辐射加固,为长寿命高可靠航天器的选材和设计提供技术支持。

    一种钢材表面高耐腐蚀性能的四元高熵合金涂层的制备方法

    公开(公告)号:CN114892160A

    公开(公告)日:2022-08-12

    申请号:CN202210382751.9

    申请日:2022-04-13

    Abstract: 本发明公开了一种钢材表面高耐腐蚀性能的四元高熵合金涂层的制备方法,属于金属材料腐蚀与防护领域。本发明要解决使用过程中易发生碎裂的问题。本发明方法:将四元FeCrCoAlx高熵合金粉末涂敷在钢材表面;然后在惰性气体保护下激光熔覆,即得到四元高熵合金涂层。本发明有利于增加钢材在腐蚀环境中的服役寿命,通过提高其耐腐蚀性能;高熵合金自身独特的理化性能提供优异的耐腐蚀性,改变钢材表面性能进而提高耐腐蚀性能。

    一种新型FeCrMnVSix高熵合金涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN114774754A

    公开(公告)日:2022-07-22

    申请号:CN202210378240.X

    申请日:2022-04-12

    Abstract: 本发明公开了一种新型FeCrMnVSix高熵合金涂层及其制备方法,属于表面改性与激光熔覆制备高熵合金涂层技术领域。本发明选用激光熔覆技术制备质量优异的高熵合金涂层,该涂层的相结构为单一的体心立方(BCC)固溶体结构,具有硬度高和高温抗氧化性好的特性。本发明提供的制备流程简单,易操作,重复性强,粉末成本较低,易形成高熵合金,为激光熔覆技术制备高熵合金涂层在表面改性领域拓宽应用方向。

    一种硼基材料改性的稀土氧化物空间n-γ混合场辐射屏蔽的复合涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN113969078B

    公开(公告)日:2022-07-12

    申请号:CN202111139058.0

    申请日:2021-09-27

    Abstract: 本发明公开了一种硼基材料改性的稀土氧化物空间n‑γ混合场辐射屏蔽的复合涂层及其制备方法,属于功能材料制备技术领域。本发明解决了现有稀土金属氧化物受到辐射会产生二次辐射,以及稀土金属氧化物纳米颗粒易团聚,在树脂中浸润性差,与树脂基底形成复合涂层材料时强度差,对中子辐射屏蔽性能差等问题。本发明通过化学气相沉积法在稀土氧化物纳米颗粒外表面沉积一层致密且厚度可控的BN或BC膜层,形成核壳结构粉体,再将其与树脂基体复合,制备成防辐射涂层。本发明制备的核壳结构极大增强了稀土氧化物纳米粒子在树脂基体中的浸润性和分散均匀度,对树脂基体的强度起到增强作用的同时,有效屏蔽γ射线和中子,并减少二次辐射。

    一种用于空间带电粒子辐射防护的稀土氧化物纳米颗粒掺杂Mxene材料及复合涂层以及制备方法

    公开(公告)号:CN113956846B

    公开(公告)日:2022-06-17

    申请号:CN202111142392.1

    申请日:2021-09-28

    Abstract: 一种用于空间带电粒子辐射防护的稀土氧化物纳米颗粒掺杂Mxene材料及复合涂层以及制备方法,属于防辐射技术领域。本发明旨在解决现有防辐射材料对空间带电粒子屏蔽性能差且防护单一的缺点。本发明稀土氧化物纳米颗粒掺杂Mxene材料是将过量的带负电荷的Mxene悬液加入APTES‑Gd2O3分散体中,在Ar流下超声,然后,离心,冷冻干燥后得到。本发明通过利用Mxene的二维层状结构和稀土氧化物高Z及高中子吸收截面,将稀土氧化物掺杂到Mxene的层中,实现高低Z层状复合,通过高Z屏蔽γ射线,低Z屏蔽中子,高低Z搭配,进行充分防护。本发明适用于航天器、核反应堆、核防护,医疗等领域,具有十分广泛的应用前景。

    一种亚铁氰化物的制备方法及其在液流电池中的应用

    公开(公告)号:CN113415811B

    公开(公告)日:2022-03-25

    申请号:CN202110551822.9

    申请日:2021-05-20

    Abstract: 本发明公开了一种亚铁氰化物的制备方法及其在液流电池中的应用,属于液流电池技术领域。本发明提供的制备方法反应条件温和,且得到的亚铁氰化物纯度高、产率高。本发明通过首先将含有目标产物阳离子的水溶液洗脱阳离子交换树脂制备阳离子交换柱,再将亚铁氰化钾或亚铁氰化钠的水溶液冲洗阳离子交换柱,得到含有亚铁氰根离子的溶液。除去水后,定量获得制备的亚铁氰化物。上述方法制备亚铁氰化物用于制备液流电池用阴极电解液。本发明制备的亚铁氰化物的方法反应条件温和,反应产率高,而且所得到的亚铁氰化物的纯度高,本发明提供的制备方法生产产率均为100%,所制备的亚铁氰化盐的纯度为100%。

    一种抗总剂量辐照的SOI器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN113990846A

    公开(公告)日:2022-01-28

    申请号:CN202111142394.0

    申请日:2021-09-28

    Abstract: 一种抗总剂量辐照的SOI器件及其制备方法,属于辐射防护材料领域。本发明解决目前的高低Z交替叠层的涂层工艺复杂,需要进行多次涂覆并干燥,耗时较长且防护能力有限的问题;也无法实现具有柔性的技术问题。本发明由MAX相陶瓷基体,经过刻蚀后,得到层状结构的Ti3C2Tx材料,然后通过原子层沉积技术将高Z金属沉积到Mxene层状结构中得到复合材料,再将复合材料与树脂基体进行混合后涂覆于SOI器件表面,即得到辐射防护涂层。本发明的材料可用于生活中的防辐射服、医疗方面及核反应中所需的和防护领域。

    一种抗总剂量辐照的电源管理芯片及其制造方法

    公开(公告)号:CN113878115A

    公开(公告)日:2022-01-04

    申请号:CN202111165027.2

    申请日:2021-09-30

    Abstract: 本发明公开了一种抗总剂量辐照的电源管理芯片及其制造方法,属于特种功能涂层制备技术领域。本发明解决了现有高Z重金属材料与低Z材料在混合的过程中彼此相对分散的均匀性较差,导致相应的复合材料的屏蔽效果无法达到预期的应用效果的问题。本发明利用原子层沉积技术在高Z重金属材料金属表面沉积低Z金属氧化物薄膜,具有沉积温度低,厚度均匀可控的优点,利用其良好的三维保型性和包裹性性能,可有效改善涂覆膜层与基底间的界面结合强度,并采用超声辅助热喷涂工艺将稀释液喷涂于电源管理芯片表面,有效提高涂层抗辐照性能的同时,实现电源管理芯片的空间抗辐射加固,为长寿命高可靠航天器的选材和设计提供技术支持。

    一种基于无尘纸的柔性水处理材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113521882A

    公开(公告)日:2021-10-22

    申请号:CN202110762937.2

    申请日:2021-07-06

    Abstract: 本发明公开了一种基于无尘纸的柔性水处理材料及其制备方法,属于精细化工分离领域。本发明提供一种制备简单、基材柔性优异、可随身携带、重复使用率高、对油性物质低粘附性的无尘纸上制备油水分离涂层的方法。本发明方法如下:将纳米氧化锌、异丙醇、两性离子氟碳表面活性剂混合,磁力搅拌,得到乳液;将无尘纸浸渍在乳液中,待完全浸润后,取出后干燥,即完成。本发明方法制备的油水分离无尘纸涂层单次分离效率可达99%,且对油性物质对无尘纸涂层不粘附,对产生的二次污染几乎为0。

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