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公开(公告)号：CN101630713A
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200910101385.X
申请日：2009-08-03
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种基于二氧化钛薄膜的紫外电致发光器件，在硅衬底的正面自下而上依次形成SiO 2 薄膜、TiO 2 薄膜和透明ITO电极，在硅衬底背面沉积欧姆接触电极。本发明同时公开了该紫外电致发光器件的制备方法。本发明的器件可以在偏压下产生来自于TiO 2 薄膜的紫外电致发光，并且可以通过调节SiO 2 薄膜的厚度和致密度来调节紫外电致发光的强度。器件的结构和实现方式简单，并且，该器件的制备方法所用的设备与现行成熟的硅器件平面工艺兼容。
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公开(公告)号：CN101591807A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200910099989.5
申请日：2009-06-24
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种掺氮的定向凝固铸造单晶硅，含有浓度为1×1015～1×1017/cm3的硼、镓和磷，还含有浓度为1×1013～5×1015/cm3的氮。本发明还公开了其制备方法，利用便宜的氮气取代昂贵的氩气作为保护气体，以未融化的部分无位错的单晶硅块作为籽晶，定向凝固铸造单晶硅，减少单晶硅的生产成本，并提高单晶硅的机械强度。这种方法得到的铸造单晶硅产物机械强度高，可用于高效率的薄片太阳能电池的制备，生产成本大大降低。
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公开(公告)号：CN101588021A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200910099487.2
申请日：2009-06-10
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种硅基氧化锌纳米棒阵列电抽运随机激光器，在硅衬底的正面自下而上依次生长ZnO薄膜、ZnO纳米棒阵列、SiO 2 薄膜和半透明电极，在硅衬底背面沉积欧姆接触电极。本发明还公开了该电抽运随机激光器的制备方法：用磁控溅射法在清洗后的n型硅片上生长ZnO薄膜；采用化学水浴沉积法在ZnO薄膜上生长ZnO纳米棒阵列并在空气气氛下进行热处理；用溶胶-凝胶法在ZnO纳米棒阵列上生长SiO 2 薄膜；在SiO 2 薄膜上溅射半透明电极，在硅衬底背面溅射欧姆接触电极。本发明的硅基氧化锌纳米棒阵列电抽运随机激光器结构简单，在足够的正向偏压(Si接负极)下可以获得来自于ZnO纳米棒阵列的紫外电抽运随机激光。
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公开(公告)号：CN100449810C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200610155670.6
申请日：2006-12-30
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种硅基MgxZn1-xO紫外电致发光器件及其制备方法。该器件在硅衬底的正面自下而上依次沉积MgxZn1-xO薄膜层、0.1＜x＜0.3，SiO2或Al2O3薄膜层和电极，在硅衬底背面沉积欧姆接触电极。其制备步骤如下：先将硅衬底清洗后放入直流反应磁控溅射装置的反应室中，进行溅射生长，得到MgxZn1-xO薄膜层；然后用化学气相沉积法或蒸发法或溅射法或溶胶-凝胶方法在MgxZn1-xO薄膜上沉积SiO2或Al2O3薄膜；再在SiO2薄膜上溅射电极，在硅衬底背面溅射欧姆接触电极。本发明器件通过调整Mg和Zn的相对含量，可以调节紫外电致发光的波长，且结构和实现方式简单。
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公开(公告)号：CN101310851A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810059885.7
申请日：2008-02-26
Applicant: 浙江大学
IPC: B01J13/02 , B01J2/00 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 本发明涉及制备金属氧化物空心球的方法，该方法以二氧化硅球为模板，结合正负电荷层层自组装及后续热处理获得金属氧化物空心球。本发明的有益效果在于：1)该方法利用正负电荷层层自组装的普遍性原理，从而可以制备多种金属氧化物的空心球；2)该方法以二氧化硅球为模板，因此具有大小厚度可控，产量大，及模板易去除等优点。
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公开(公告)号：CN101235475A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810059799.6
申请日：2008-02-29
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明涉及铜铟硫化合物薄膜的制备方法，将含硫、含铟和含铜离子的化合物配置成混合水溶液，利用超声喷雾装置使溶液雾化，在加热的衬底上进行一次性超声喷雾成膜，然后在通载气的条件下经原位热处理，自然冷却即可。本发明工艺、设备简单，成本低，产率高，生长的薄膜较为均匀，可用于CIS型薄膜太阳电池的大规模生产。
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公开(公告)号：CN101097980A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710070054.5
申请日：2007-07-17
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开的硅基二氧化钛电致发光器件，在硅衬底的正面自下而上依次沉积有TiO2薄膜和透明ITO电极，在硅衬底背面沉积有欧姆接触电极。其制备步骤如下：先将P型或N型硅片清洗后放入直流反应磁控溅射装置的反应室中，反应室抽真空，以纯钛金属为靶材，以O2和Ar作为溅射气氛，进行溅射沉积，得到TiO2薄膜；然后在TiO2薄膜上溅射ITO电极，在硅衬底背面沉积欧姆接触电极。本发明的器件结构和实现方式简单，制得的硅基二氧化钛电致发光器件的电致发光峰位在370nm和600nm左右，并且该器件的制备方法所用的设备与现行成熟的硅器件平面工艺兼容，易实现大规模、低成本制造的优点。
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公开(公告)号：CN1995487A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610154949.2
申请日：2006-11-30
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开的掺杂锗的定向凝固铸造多晶硅，含有浓度为1×1015～1×1017/cm3的磷或硼，其特征是还含有浓度为1×1016～1×1019/cm3的锗。本发明利用锗能够钉杂硅中位错提高机械强度的性质，在原来掺磷或硼铸造多晶硅的基础上掺入一定量的锗，既不影响铸造多晶硅的电学性能，而且可以增强铸造多晶硅的机械强度，这种硅片用于太阳能电池，可采用更薄的硅片，从而大幅降低成本。
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公开(公告)号：CN1305773C
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200410084351.1
申请日：2004-11-16
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明涉及制备氧化锌纳米材料的方法，步骤如下：(1)将0.5～100克醋酸锌放入高压釜中，加入100～1000毫升饱和的十六烷基三甲基溴化氨水溶液；(2)加入2摩尔/升的氢氧化钠溶液10～1000毫升；(3)把高压釜放置在100～120℃的温度下处理1～200小时；(4)把经过上述处理的溶液离心、干燥，得到长度为500纳米到10微米，粗细为60到200纳米的花状氧化锌纳米材料。本发明利用十六烷基三甲基溴化氨辅助水热法在低温下制备氧化锌纳米材料，工艺简单，制备成本低，利于氧化锌纳米材料得到大规模应用。
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公开(公告)号：CN1837965A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200610049580.9
申请日：2006-02-24
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开的在氧化锌薄膜上绘制亚微米级紫外发光图案的方法，其步骤如下：将醋酸锌、柠檬酸钠和醇胺溶解于去离子水溶液中，调节pH值到10－11，然后将干净的衬底浸入到该溶液中去，于60℃～90℃温度下超声振荡，在衬底上沉积得到氧化锌薄膜；清洗氧化锌薄膜，去除表面反应残余物，在低于400℃的空气气氛中烘干；将氧化锌薄膜置于扫描电镜中，用聚焦电子束在氧化锌薄膜上根据所需图案进行照射。该方法简单廉价，操作方便，易于大规模制备。所得发光图案精度高，能在空气中长期保持不变。本发明可应用于高分辨率的场发射显示和高密度信息存储等领域。另外，由于发光图案不能直观地从形貌上识别，该方法可用来记录秘密文字信息。
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