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公开(公告)号：CN118348715A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410623891.X
申请日：2024-05-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G02F1/1506 , G02F1/1516 , G02F1/153 , G02F1/1523
Abstract: 一种准固态可逆金属电沉积电致变色器件的制备方法，它属于电致变色器件的制备方法。本发明的目的是要解决现有液态可逆金属电沉积电致变色器件使用寿命低、存在安全隐患，严重限制其发展的问题。方法：一、预处理；二、制备准固态凝胶聚合物电解质；三、组装器件。本发明针对现有技术存在的问题，发明了一种准固态可逆金属电沉积电致变色器件，将电解质盐和含羟基聚合物基质经凝胶化处理，得到准固态凝胶聚合物电解质；随后通过夹胶工艺，得到准固态可逆金属电沉积电致变色器件；本发明选用含羟基聚合物基质作为凝胶态电解质，因为其不仅能够形成准固态电解质，同时其分子链上的羟基还可加速金属沉积型电致变色器件电解质中的金属离子还原，有利于加速变色响应时间。
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公开(公告)号：CN117769233A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311795365.3
申请日：2023-12-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种具有温度响应特征的吸波复合材料，它属于吸波材料领域。本发明要解决现有智能吸波复合材料不能关闭整个频段，存在一些有效吸收的频段；VO2在基体中的填充率较高、吸波复合材料厚度大的问题。具有温度响应特征的吸波复合材料，它由VO2材料及基体材料制备而成；所述的VO2材料为三维花状、星状、空心球或纳米线。本发明用于具有温度响应特征的吸波复合材料。
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公开(公告)号：CN117331250A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311429164.1
申请日：2023-10-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 一种低太阳吸收比二氧化钒热致变色智能热控器件及其制备方法，它属于智能热控器件制备领域。本发明要解决现有基于VO2智能热控器件发射率变化小，太阳吸收比高的问题。低太阳吸收比二氧化钒热致变色智能热控器件，它自下而上依次由基底层、红外高反射金属层、介质层和W‑Mg共掺杂VO2层组成。制备方法：一、清洗基片；二、红外高反射金属层制备；三、介质层制备；四、W‑Mg共掺杂VO2层的制备。本发明低太阳吸收比二氧化钒热致变色智能热控器件及其制备。
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公开(公告)号：CN113943928B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202111210389.9
申请日：2021-10-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种有序结构可控的氧化钨电致变色薄膜的制备方法，它涉及一种电致变色薄膜的制备方法。本发明的目的是要解决现有氧化钨电致变色材料无法同时兼备大的透过率调制，快的响应速度和高的循环稳定性的技术问题。本发明电致变色薄膜是以透明导电基材为基底，采用磁控溅射技术，通过精确控制溅射功率：即功率连续可调,功率逐渐降低来制备有序结构可控的氧化钨电致变色薄膜；方法：一、超声清洗透明导电基底，烘干；二、采用磁控溅射的方法在透明导电基底上采用控制溅射功率的工艺制备有序结构可控的氧化钨薄膜。本发明用于制备有序结构可控的高透过率调制幅度、快速响应，高循环稳定性的氧化钨电致变色薄膜。
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公开(公告)号：CN116339029A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310227080.3
申请日：2023-03-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G02F1/153 , G02F1/155 , G02F1/163 , G02F1/1506 , G02F1/01 , G02F1/1524 , G02F1/1523
Abstract: 本发明涉及电光调控技术领域，特别涉及一种可见光红外光独立调控的调控结构。该调控结构包括红外调节结构和可见光调节结构，红外调节结构和可见光调节结构分别设置在可见光透过的基底的两侧，红外调节结构沿远离基底的方向依次包括反射层、绝缘层和调节层，可见光调节结构沿远离基底的方向依次包括第一电极层、第一变色层、电解质层、第二变色层、第二电极层；反射层的制备材料包括具有红外反射可见光透过的导体和半导体，调节层的制备材料包括红外半透明可见光透射的导体或半导体；第一变色层和第二变色层的制备材料为金属氧化物。本发明实施例提供了一种可见光红外光独立调控的调控结构，能够提供一种灵活控制红外波段和可见波段的调控结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116338987A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310234232.2
申请日：2023-03-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明涉及电致变发射率结构技术领域，特别涉及一种电致变发射率结构。本发明实施例提供了一种电致变发射率结构，沿厚度方向依次包括反射层、绝缘层和调节层，反射层用于反射红外光，反射层的制备材料包括导体和半导体，调节层的制备材料包括具有红外半透明性质的导体或半导体，反射层和调节层分别连接电源的两个电极，电极电压可调节；调节层和反射层之间形成光学谐振腔结构，光学谐振腔用于调控红外光的吸收，通过调节电源的电压改变调节层的红外透过率和吸收率，以调节进入光学谐振腔结构的红外光的多少，进而调节电致变发射率结构的红外光发射率。本发明实施例提供了一种电致变发射率结构，能够提供一种针对红外波段发射率可调节的结构。
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公开(公告)号：CN113204146B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202110497882.7
申请日：2021-05-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G02F1/1506 , G02F1/153 , G02F1/1523 , G02F1/1524
Abstract: 一种以水蒸气为电解质的可修复无机全薄膜电致变色器件及其制备方法，它涉及一种电致变色器件及其制备方法。本发明的目的是要解决现有方法制备的无机全薄膜电致变色器件生产成本高、易受环境湿度影响以及存在安全隐患，难以连续制造和沉积速度慢的问题。一种以水蒸气为电解质的可修复无机全薄膜电致变色器件包括水、基底、底透明导电层、离子存储层、离子导电层、电致变色层和顶透明导电层。方法：采用真空镀膜法、磁控溅射法、真空热蒸镀法或电子束蒸镀法在基底上制备底透明导电层、离子存储层、离子导电层、电致变色层和顶透明导电层。本发明可获得一种以水蒸气为电解质的可修复无机全薄膜电致变色器件。
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公开(公告)号：CN111045268B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN201911424325.1
申请日：2019-12-31
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 珠海航湾科技有限公司
IPC: G02F1/15 , G02F1/1523
Abstract: 一种以氟化物为电解质层的全固态电致变色器件及其制备方法，它涉及一种全固态电致变色器件及其制备方法。本发明的目的是要解决现有全固态电致变色器件的电解质层的离子电导率低，沉积的速率较慢，制备过程安全性差和透过率低的问题。一种以氟化物为电解质层的全固态电致变色器件包括基底、底透明导电层、电致变色层、氟化物电解质层、离子储存层和顶透明导电层。方法：一、在基底上依次沉积底透明导电层、电致变色层；二、以氟化物为蒸发材料，在电致变色层上沉积出氟化物电解质层；三、在氟化物电解质层上依次沉积离子储存层和顶透明导电层。本发明可获得一种以氟化物为电解质层的全固态电致变色器件。
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公开(公告)号：CN112957038B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202110137686.9
申请日：2021-02-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: A61B5/1455 , C09D125/04 , C09D5/22
Abstract: 一种基于光子晶体荧光增强的高灵敏度自清洁型血氧传感器的制备方法，涉及荧光氧传感器领域，尤其涉及一种基于光子晶体荧光增强的血氧传感器的制备方法。是要解决现有方法制备的光学氧传感器用于血氧检测时存在指示剂泄露，荧光信号减弱的问题。方法：一、将聚苯乙烯微球乳液置于避光容器中，并加入荧光染料，超声处理，置于室温暗箱中溶胀，离心，用纯水将沉淀重新分散，得到分散完成的微球乳液；二、将聚山梨醇酯溶液加入微球乳液中，超声处理，置于平底玻璃管中；将石英片斜放入平底玻璃管内，并一起置于隔水培养箱中，至乳液蒸发完全，得到光子晶体器件；在制备得到的光子晶体器件表面旋涂一层PDMS，固化，得到血氧传感器。本发明应用于传感器领域。
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公开(公告)号：CN114836022A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210427748.4
申请日：2022-04-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种热驱动多谱段动态调控器件的制备方法，它涉及一种器件的制备方法。本发明的目的是要解决现有器件结构复杂、能耗高，发射率变化幅度小，不具备热管理和电磁管理的问题。方法：一、制备PANI@Fe3O4；二、制备MXene/PANI@Fe3O4复合材料；三、制备多谱段动态调控器件。本发明制备的热驱动多谱段动态调控器件的栅格阵列处于倒伏状态的时候，器件为黄色、红外与电磁波高反射，当施加温度之后，该器件的栅格阵列恢复直立状态，实现黑色、红外与电磁波高吸收，最终实现可见‑红外‑微波多谱段管理。本发明可获得一种热驱动多谱段动态调控器件。
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