一种POSS改性水性纳米透明隔热涂料及其制备方法

    公开(公告)号:CN102241937A

    公开(公告)日:2011-11-16

    申请号:CN201110140952.X

    申请日:2011-05-27

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 一种POSS改性水性纳米透明隔热涂料及其制备方法,涉及一种隔热涂料,所述涂料的组分为:硅丙乳液40%~60%,纳米ATO浆料5%~15%,去离子水20%~30%,成膜助剂2%~6%,消泡剂0.1%~0.5%,流平剂0.1%~0.5%,多面体低聚倍半硅氧烷改性剂5%~15%。制备方法为:按各组分配比,在硅丙乳液中加入消泡剂分散均匀,然后加入到纳米ATO浆料中并搅拌,再依次加入去离子水、流平剂、成膜助剂和多面体低聚倍半硅氧烷改性剂,混合后即得POSS改性水性纳米透明隔热涂料。改性后的涂料涂层硬度最高达到铅笔硬度4H,同时具有高红外线阻隔率和可见光透过率及很好的抗紫外线的老化能力和耐候性等特点。

    一种多面体齐聚倍半硅氧烷基嵌段共聚物及制备方法

    公开(公告)号:CN102206315A

    公开(公告)日:2011-10-05

    申请号:CN201110092433.0

    申请日:2011-04-12

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 一种多面体齐聚倍半硅氧烷基嵌段共聚物及制备方法,涉及一种共聚物。以聚甲基丙烯酰氧丙基POSS作为第一嵌段、聚(甲基)丙烯酸酯类作为第二嵌段的共聚物。将POSS单体、链转移剂及引发剂的溶液置于反应容器中冷冻脱气后密封,反应,液氮冷冻停止反应,加入四氢呋喃稀释后以甲醇沉淀,反复溶解沉淀至核磁检测不到POSS单体存在为止,干燥得到粉色的聚甲基丙烯酰氧丙基POSS;在聚甲基丙烯酰氧丙基POSS中加入引发剂、第二单体和溶剂,氩气置换后密封,反应,液氮冷冻停止反应,加入苯稀释后以甲醇沉淀,干燥,得多面体齐聚倍半硅氧烷基嵌段共聚物。

    一维介孔晶的ZnO基稀磁半导体及其制备方法

    公开(公告)号:CN101913646A

    公开(公告)日:2010-12-15

    申请号:CN201010258311.X

    申请日:2010-08-20

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 一维介孔晶的ZnO基稀磁半导体及其制备方法,涉及一种半导体。提供一种一维介孔晶的ZnO基稀磁半导体及其制备方法。一维介孔晶的ZnO基稀磁半导体为过渡金属掺杂ZnO基DMSs一维介孔晶纳米材料,分子式为Zn1-xTMxO,TM为过渡金属,x为掺杂成分的百分比,x=0.01~0.10。将锌盐溶解在离子液体中,加热至溶液透明;往溶液中加入过渡金属盐至全部溶解,得混合溶液;将混合溶液加热回流,自然冷却至室温,将所得到沉淀依次用水和乙醇洗涤,得到的粉末干燥,即得具有室温铁磁性的一维介孔晶的ZnO基稀磁半导体。晶体生长的温度低,设备要求简单,反应条件温和,溶剂非挥发,整个反应过程绿色环保,原料廉价。

    一种二维材料的去溶剂无损精准转移方法

    公开(公告)号:CN119650414A

    公开(公告)日:2025-03-18

    申请号:CN202411824168.4

    申请日:2024-12-12

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明公开了一种二维材料的去溶剂无损精准转移方法,包括:将硅片用HMDS进行表面功能化;采用PMMA苯甲醚溶液对功能化的硅片进行旋涂并烘干形成PMMA支撑膜;采用热释放胶PDMS拾取PMMA支撑膜;将PDMS/PMMA转移至需转移的二维材料/第一衬底的表面,加热后PDMS与PMMA分离,PMMA覆盖在二维材料表面;通过蚀刻溶液的蚀刻,使PMMA/二维材料脱离第一衬底;用PDMS将脱离第一衬底的PMMA/二维材料捞起;将PMMA/二维材料转移至第二衬底;采用丙酮清洗掉PMMA并用氮气吹干,即成。本发明能够实现洁净、高效、精准地转移二维材料,能够避免二维材料对有机溶剂的不耐受性及有机溶剂的污染。

    一种有机无机异质结材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN119639003A

    公开(公告)日:2025-03-18

    申请号:CN202411824165.0

    申请日:2024-12-12

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明公开了一种有机无机异质结材料及其制备方法和应用,包括一位于衬底上的2D TMDs及在该2D TMDs表面形成的硼酸酯聚合物层,硼酸酯聚合物层中的硼酸酯聚合物的结构式为#imgabs0#本发明能够通过改变单体的浓度从而调控硼酸酯聚合物层的厚度,进而调控硼酸酯聚合物‑TMDs异质结的光电特性,以其作为沟道材料制备的场效应晶体管具有多个电流层级,制备的光电器件具有提升的光响应动力学,有效抑制TMDs光电器件的持久光电导效应,使得光电器件具有长时间的环境稳定性。

    一种乙烯-乙烯醇共聚物膜的制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN118005969A

    公开(公告)日:2024-05-10

    申请号:CN202410250822.9

    申请日:2024-03-05

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明公开了一种乙烯‑乙烯醇共聚物膜的制备方法及其应用,包括如下步骤:(1)将乙烯‑乙烯醇共聚物溶于由水和正丙醇以1∶1的体积比组成的混合溶剂中,85‑90℃加热搅拌至澄清透明;(2)将硼酸、邻苯二酚类化合物、氢氧化钾溶于上述混合溶剂中,常温搅拌直至完全溶解;(3)将步骤(2)所得的物料倒入步骤(1)所得的物料中,充分搅拌后倒入PTFE模具中,依次经流平和烘干,制得乙烯‑乙烯醇共聚物膜。本发明所制备得到的乙烯‑乙烯醇共聚物膜表面平整,结构紧密,透明度高,机械性能好;利用上述乙烯‑乙烯醇共聚物膜进行仿生矿化后,乙烯‑乙烯醇共聚物膜乙烯‑乙烯醇共聚物膜其结构依旧紧密,拉伸强度、杨氏模量、韧性均有较大提升,扩大了乙烯‑乙烯醇共聚物膜的适用范围,同时,其热稳定性也有较大提升,拓宽了乙烯‑乙烯醇共聚物膜在高温环境下的应用。

Patent Agency Ranking