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公开(公告)号：CN115945754A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211694191.7
申请日：2022-12-28
Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 重庆华创星际科技有限责任公司
Abstract: 本发明涉及电子产品封装技术领域，公开了一种降低铅锡银焊接元器件空洞率的焊接工艺，将芯片、铅锡银焊片和管壳依次叠装到一起得到焊接结构；清洗焊接腔，将焊接腔腔室内温度升至100‑150℃；保持温度并抽真空30‑100s；将温度升至150‑200℃；保持温度并持续充入还原性气体100‑300s，再在温度下保温100‑150s；将温度从升到200‑250℃，在升温过程中填充保护气体；保持温度并抽真空30‑60s；将温度升到250‑300℃，并抽真空；将温度升到300‑350℃；保持温度，铅锡银焊片充分熔化，并与芯片背面金属、管壳内腔金属完成共晶反应，反应时间为20‑100s。本发明能够降低铅锡银焊接封装元器件空洞率的同时，可适用于多种封装形式，保证产品高质量并兼顾质量一致性和生产效率。
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公开(公告)号：CN115906449A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211405276.9
申请日：2022-11-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F111/10
Abstract: 本发明提供了一种器件与工艺仿真的异步调试方法、装置及存储介质，其中，器件与工艺仿真的异步调试方法包括：根据半导体器件的工艺仿真结果进行所述半导体器件的器件仿真过程；当所述器件仿真过程出现数据不收敛情况时，根据所述工艺仿真结果描述所述半导体器件的简化结构；根据所述简化结构重新进行所述器件仿真过程；根据重新进行的所述器件仿真过程进行评价。本方法能够实现器件、工艺联合仿真计算的诊断，以帮助用户定位直接将工艺仿真结果应用于器件物理特性仿真计算时出现数值计算不收敛的原因；且本方法能够利用提供的工具快速构建基于工艺仿真结果的器件结构并验证结构在器件仿真过程的数值计算收敛性，由此判定工艺仿真结果的合理性。
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公开(公告)号：CN115906447A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211404864.0
申请日：2022-11-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明提供了一种晶体管界面态模型的优化方法、计算设备及存储介质。本方法包括：构建晶体管界面态模型；若缺陷类型为受主型缺陷；根据受主型电离概率模型计算出被电离的受主型界面态缺陷浓度；将受主型界面态缺陷浓度加入到泊松方程中得到受主型泊松方程；利用受主型泊松方程替代泊松方程，得到受主型晶体管界面态优化模型；若缺陷类型为施主型缺陷；根据施主型电离概率模型计算出被电离的施主型界面态缺陷浓度；将施主型界面态缺陷浓度加入到泊松方程中得到施主型泊松方程；利用施主型泊松方程替代泊松方程，得到施主型晶体管界面态优化模型。本方案的有益效果是：优化了晶体管界面态模型，利用本优化模型得到的基极电流仿真结果更准确。
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公开(公告)号：CN115792551A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211404862.1
申请日：2022-11-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26 , G01R31/265
Abstract: 本发明提供一种双极晶体管氧化层电离‑位移协同效应分析方法及装置，方法包括：采用预设能量的氧离子对第一双极晶体管进行预辐照，获得预辐照后的第一双极晶体管；采用不同剂量的60Co‑γ射线对预辐照后的第一双极晶体管和第二双极晶体管进行辐照，获得第一损伤双极晶体管和第二损伤双极晶体管；分别确定第一损伤双极晶体管和第二损伤双极晶体管的Gummel特性曲线，根据Gummel特性曲线分别确定第一损伤双极晶体管和第二损伤双极晶体管的电流增益倒数与射线剂量之间的第一对应关系和第二对应关系；根据第一对应关系和第二对应关系确定双极晶体管氧化层的电离‑位移协同效应。本发明实现了双极晶体管电离位移协同效应深层研究。
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公开(公告)号：CN115712045A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211407657.0
申请日：2022-11-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供了一种晶体管氧化层不同深度处电离‑位移协同效应的试验方法，方法包括：采用不同能量的氦离子分别对多个第一双极晶体管进行预辐照，获得多个预辐照后的第一双极晶体管；采用60Co‑γ射线对各个预辐照后的第一双极晶体管和第二双极晶体管进行辐照，获得第一损伤双极晶体管和第二损伤双极晶体管；确定各个第一损伤双极晶体管和第二损伤双极晶体管的电流增益倒数，确定电流增益倒数与氦离子能量之间的对应关系；根据不同能量的氦离子的入射深度和电流增益倒数与氦离子能量之间的对应关系，确定双极晶体管氧化层中不同深度处电离‑位移协同效应之间的关系。本发明实现了晶体管氧化层不同深度处电离‑位移协同效应的研究。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115618450A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211410725.9
申请日：2022-11-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/12 , G06F30/20 , G06F111/20
Abstract: 本发明提供了一种器件结构模型的建立方法、装置、系统及存储介质，涉及仿真技术领域。本发明所述的器件结构模型的建立方法包括：采用拖拽方式构建二维结构框图，根据属性参数设置器件材料，利用仿真模拟技术，通过所述器件材料和所述二维结构框图构建器件结构模型；本发明所构建的器件结构模型，操作简便、易用性强，能够在复杂结构的器件建模时，实现快速且精准的建模，对复杂结构建模具有指导性建议。
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公开(公告)号：CN115600434A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211410928.8
申请日：2022-11-11
Applicant: 哈尔滨工业大学(CN)
IPC: G06F30/20 , G06F17/10 , G06F111/10
Abstract: 本发明提出了一种单粒子烧毁模拟方法，包括：获取预设的粒子入射的碰撞电离系数、晶格温度、电场强度和电流密度参数；根据所述碰撞电离系数和所述晶格温度确定碰撞电离参数；根据所述碰撞电离参数和所述电场强度确定电子电离参数和空穴电离参数；根据所述电子电离参数、所述空穴电离参数、所述电流密度参数和预设电子‑空穴对局域生成率模型模拟电子‑空穴对局域生成率。本发明的有益效果：通过模拟单粒子入射时的电子‑空穴对生成率，实现了在模拟仿真器件发生单粒子效应时产生的碰撞电离，进而仿真由于单个高能粒子入射到半导体器件发生单粒子烧毁。
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公开(公告)号：CN115588472A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211410954.0
申请日：2022-11-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供一种基于器件离子注入和扩散的云图显示方法及系统，涉及半导体工艺制造技术领域。本发明所述的方法包括，构建器件结构模型，获取工艺过程中的离子注入参数和扩散参数，将所述离子注入参数和所述扩散参数输入所述器件结构模型，对所述工艺过程进行仿真，得到离子注入云图和扩散云图，采用真实器件工艺对所述离子注入云图和所述扩散云图进行建模仿真并显示；本发明所述的技术方案，通过建模仿真及显示，准确模拟和预估离子注入和扩散步骤，达到了直观精确显示掺杂情况的效果。
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公开(公告)号：CN115495903A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211144200.5
申请日：2022-09-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F30/10 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供了一种聚合物建模仿真方法及应用，涉及高分子材料仿真技术领域，具体而言，方法包括如下步骤：步骤S1：获取单体的全原子结构模型，建立单体的粗粒化结构模型，并获取粗粒化结构模型的力场；步骤S2：利用聚合反应模型描述粗粒化结构模型的聚合反应过程，结合蒙特卡洛随机反应方法计算并调控聚合反应程度，待聚合反应结束后，进行结构松弛，得到聚合物粗粒化的交联网络模型；步骤S3：对聚合物粗粒化的交联网络模型进行反向映射，结构松弛后得到聚合物的全原子交联网络结构模型。本发明降低了仿真难度，简化了仿真过程，突破了传统的聚合物建模的局限性，实现大尺度、无定形、接近真实链构象的聚合物全原子的交联网络结构建模。
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公开(公告)号：CN111856238B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202010735731.6
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供了一种基于载流子流向的晶体管辐射损伤分析方法及装置，方法包括：选择入射粒子；根据入射粒子分别对不同的晶体管进行辐照试验，获得多个辐照后的晶体管；分析各个辐照后的晶体管，确定各个晶体管的载流子流向和性能参数；根据载流子流向确定各个晶体管的敏感区域，和各个敏感区域在试验过程中的位移吸收剂量；确定位移吸收剂量平均值和性能参数平均值，建立性能参数平均值和位移吸收剂量平均值之间的对应关系；重复多次，获得多个对应关系，结合所有的对应关系确定晶体管性能变化与位移吸收剂量的关系，对晶体管的位移损伤进行等效分析。本发明能够对不同入射粒子在不同结构的晶体管中造成的位移损伤进行分析，步骤简单，易于操作。
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