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公开(公告)号:CN114258595B
公开(公告)日:2025-04-22
申请号:CN202080056742.X
申请日:2020-07-30
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明的课题是在由氧化物半导体形成的薄膜晶体管(TFT)中抑制阈值电压的变动ΔVth。用于解决这样的课题的本发明的代表手段如下所述。半导体器件,其具有由氧化物半导体形成的TFT,其特征在于,上述氧化物半导体具有沟道区域104、源极区域1042、漏极区域1043,和处于上述沟道区域与上述源极区域及上述漏极区域之间的LDD(Lightly Doped Drain)区域1041,上述LDD区域1041的电阻率比上述沟道区域的电阻率小、比上述源极区域或上述漏极区域的电阻率大,源电极108与上述源极区域1042重叠地形成,漏电极109与上述漏极区域1043重叠地形成,上述氧化物半导体的上述LDD区域1041的厚度大于上述沟道区域104的厚度。
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公开(公告)号:CN119855436A
公开(公告)日:2025-04-18
申请号:CN202411455093.7
申请日:2024-10-17
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明涉及显示装置及母基板。显示装置具备:有机绝缘层,遍及显示图像的显示区域及比显示区域靠外侧的周边区域而配置;下电极,在显示区域中配置在有机绝缘层之上;无机绝缘层,配置在有机绝缘层之上,覆盖下电极的周缘部;有机层,配置在下电极之上且包括发光层;上电极,配置在有机层之上;和配置在周边区域的多个周边隔壁。多个周边隔壁中的各自分别具有位于无机绝缘层之上的第1下部和位于第1下部之上并从第1下部的侧面突出的第1上部,有机绝缘层在周边区域中具有平坦的上表面和相对上表面凹陷的凹部,多个周边隔壁包括与凹部重叠的第1隔壁,从第1隔壁的第1上部至凹部的边缘部的距离为50μm以上。
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公开(公告)号:CN119855406A
公开(公告)日:2025-04-18
申请号:CN202411448188.6
申请日:2024-10-16
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H10K59/122 , H10K59/124 , H10K59/121
Abstract: 本发明涉及显示装置及显示装置用母基板。显示装置具备:具有显示区域及周边区域的基板;配置在基板上方的有机绝缘层;在显示区域中配置在有机绝缘层上方的下电极;覆盖有机绝缘层及下电极并且具有与下电极重叠的像素开口的肋层;在显示区域中配置在肋层上方的第1隔壁;通过像素开口而与下电极接触的有机层;覆盖有机层并与第1隔壁接触的上电极;和在周边区域中配置在肋层上方的第2隔壁。第1隔壁及第2隔壁中的各自分别包括配置在肋层上方的下部和具有从下部的侧面突出的端部的上部。第2隔壁包括相互分离的多个区段。此外,肋层具有狭缝,该狭缝包围多个区段中的至少1个。
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公开(公告)号:CN119817177A
公开(公告)日:2025-04-11
申请号:CN202380062827.2
申请日:2023-07-31
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H05B47/105 , F21V9/40 , G02F1/13 , G02F1/133 , H05B47/16 , F21Y115/10
Abstract: 提供能够更适当地控制光的配光形状的变化的照明装置。照明装置包括:光源部,射出光;配光形状设定部,用于设定来自所述光源部的光的配光形状;存储部,存储与所述配光形状相关的配光形状数据;以及控制部,基于所述配光形状数据控制所述配光形状设定部,所述配光形状设定部根据从所述控制部输入的信号电平来设定所述配光形状,所述控制部在使输入所述配光形状设定部的所述信号电平从第一电平变化为第二电平的情况下,使所述信号电平从所述第一电平变为第三电平,在将所述第三电平维持规定时间之后,从所述第三电平变化为所述第二电平,所述第三电平是所述第一电平与所述第二电平之间的电平。
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公开(公告)号:CN113366654B
公开(公告)日:2025-04-11
申请号:CN201980090991.8
申请日:2019-11-05
Applicant: 株式会社日本显示器
Inventor: 尾关芳孝
Abstract: 根据实施方式提供了一种显示装置,具备:显示面板,具有配置有多个像素的像素部和设置在该像素部的周边的周边部;驱动电路,设置在周边部,驱动像素。在像素部或周边部设置有晶体管,晶体管具备半导体层、与半导体层重叠的第一及第二栅极电极、源极电极、漏极电极。源极电极至少在俯视观察时覆盖作为第一栅极电极和半导体层的重叠区域的第一沟道区域而形成。漏极电极在俯视观察时至少覆盖作为第二栅极电极和半导体层的重叠区域的第二沟道区域而形成。
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公开(公告)号:CN114610185B
公开(公告)日:2025-04-08
申请号:CN202210285081.9
申请日:2017-07-24
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明提供显示装置及其驱动方法,包括:像素阵列(18);多个共用电极(22),配置在像素阵列(18)上,用于静电电容式的触摸检测;共用电极驱动器(126),在显示期间将用于显示的电压供给到多个共用电极(22),在触摸检测期间将用于触摸检测的驱动信号供给到多个共用电极(22);多个源极线(44),连接像素阵列的各列;源极放大器(118),对多个源极线(44)供给图像信号;多个栅极线(46),连接像素阵列的各行;栅极驱动器(102),在显示期间对多个栅极线依次供给扫描信号,在触摸检测期间将与驱动信号为相同相位的信号供给到多个栅极线;以及开关(148),连接于多个源极线和多个共用电极之间,在触摸检测期间将源极线与共用电极导通。
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公开(公告)号:CN115148745B
公开(公告)日:2025-04-04
申请号:CN202210275162.0
申请日:2022-03-18
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H10D86/60 , G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 一种显示装置,包括:第一晶体管,具备氧化物半导体层、与氧化物半导体层相对的栅极布线、以及氧化物半导体层与栅极布线之间的栅极绝缘层;第一透明导电层,设置在第一晶体管上的至少一层的第一绝缘层上,包括与栅极布线重叠的区域,在栅极布线的外侧的第一接触区域与氧化物半导体层接触;第二透明导电层,设置在第一透明导电层上的第二绝缘层上,在与栅极布线重叠的第二接触区域与第一透明导电层接触;第三透明导电层,设置于第二透明导电层与至少一层的第二绝缘层之间;第四透明导电层,设置在第二透明导电层上;第二透明导电层与第三透明导电层之间的第三绝缘层;以及第二透明导电层与第四透明导电层之间的第四绝缘层。
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公开(公告)号:CN119744087A
公开(公告)日:2025-04-01
申请号:CN202411322598.6
申请日:2024-09-23
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H10K59/121 , H10K59/131
Abstract: 本发明提供一种显示装置。提高显示装置的可靠性。显示装置包括发光元件、第1晶体管和第2晶体管,第1晶体管包括:第1栅电极,其设置在基板上;第1绝缘膜,其设置在第1栅电极上;第1氧化物半导体层,其设置在第1绝缘膜上,并具有与第1栅电极重叠的区域;第2绝缘膜,其设置在第1氧化物半导体层上;和第1导电层,其设置在第2绝缘膜上,第2晶体管包括:第1绝缘膜,其设置在基板上;第2氧化物半导体层,其设置在第1绝缘膜上;第2绝缘膜,其设置在第1氧化物半导体层及第2氧化物半导体层上,并具有比第1绝缘膜的膜厚小的膜厚;和第2栅电极,其设置在第2绝缘膜上,并具有与第2氧化物半导体层重叠的区域。
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公开(公告)号:CN116224645B
公开(公告)日:2025-03-28
申请号:CN202211522875.9
申请日:2022-11-30
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1337 , G02F1/1343 , G02F1/1368
Abstract: 本发明提供一种显示装置,该显示装置能够提高在明亮的外部环境下耗电量很少、且在没有确保足够亮度的外部环境下的显示的品质。显示装置具备阵列基板、对置基板、以及背光源。阵列基板包括在第1方向以及第2方向上呈矩阵状排列的多个像素,各像素包括反射电极、以及在从与第1方向以及第2方向正交的第3方向观察时至少一部分与反射电极重叠的透光性导电层。对置基板包括在从第3方向观察时与反射电极重叠的共用电极、以及包含多种颜色的彩色滤光片。不同颜色的彩色滤光片在第1方向上相邻配置,相同颜色的彩色滤光片在第2方向上延伸。透光性导电层的一部分向在第2方向上相邻的两个反射电极层之间伸出。
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公开(公告)号:CN119677342A
公开(公告)日:2025-03-21
申请号:CN202411304844.5
申请日:2024-09-19
Applicant: 株式会社日本显示器
Inventor: 井手达也
IPC: H10K59/131 , H10K59/124 , H10K77/10 , G09F9/30 , G09F9/33
Abstract: 本发明涉及显示装置。显示装置为具备挠性的基材、设置于前述基材上的第1绝缘层、设置于前述第1绝缘层上的布线、覆盖前述布线及前述第1绝缘层的第2绝缘层、和设置于前述第2绝缘层上的保护带的显示装置,前述显示装置包括显示区域、和具有弯折区域的端部区域,前述保护带与前述弯折区域重叠,前述基材、前述第1绝缘层、前述布线、前述第2绝缘层、及前述保护带的层叠结构的中立面产生于前述布线中。
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