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公开(公告)号：CN104376555B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410578458.5
申请日：2014-10-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种导航阵列匹配的方法及其装置。该方法包括：按照设定阵列放置信源并得到信源世界坐标；导航仪拍摄信源阵列图像，并对图像进行直方图统计；根据直方图统计结果，设定阈值，对图像滤波，并得到信源像点坐标；对于像点完整无缺失的情况，将信源像点坐标与世界坐标匹配；对于部分帧信源像点缺失的情况，利用前帧匹配信息进行补全并匹配；根据匹配结果进行导航。本发明中的信源匹配方法提高了匹配速度，使导航仪更具实时性；对于信源缺失情况的处理方案，很好地解决了信源像点丢失导致匹配导航失败的问题，大大增强了导航的鲁棒性。
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公开(公告)号：CN106059510A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610348942.8
申请日：2016-05-24
Applicant: 南京大学
IPC: H03F1/34
CPC classification number: H03F1/34
Abstract: 本发明提出了一种消除电容耦合放大电路输出直流漂移的装置及方法。该装置包括直流漂移获取单元和直流漂移处理单元，所述直流漂移获取单元连接在电容耦合放大电路的输出端，用来获得输出信号的直流漂移，并将获得的信号传输给直流漂移处理单元；所述直流漂移处理单元对信号进行处理，产生消除直流漂移所需的直流消除信号并接入到所述电容耦合放大电路输入端的接地点处，该接地点处不接地。本发明在电容耦合放大电路输入级通过改变地电平主动进行输出直流漂移的消除，避免开关使用，具有改善放大电路自身的工作状态，不受输入耦合电容影响，易于实现的优点。
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公开(公告)号：CN104091837B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201410263961.1
申请日：2014-06-13
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/02 , H01L31/112
CPC classification number: H01L31/02
Abstract: 一种基于光学天线的太赫兹探测器，包括多晶硅材料层制成的光学天线、晶体管或场效应管；光学天线分别置于晶体管的源极和漏极两端，天线边缘距离晶体管栅极边缘间距为100～500nm，光学天线与晶体管源端、漏端和栅端通过标准工艺中填充氧化物隔开；光学天线与晶体管栅极采用同一层多晶硅材料，但掺杂通过其他工艺来单独实现，其厚度为100～300nm；光学天线采用偶极子天线、领结形天线天线结构，多晶硅材料的掺杂浓度为1017～1020；光学天线的太赫兹探测器工作方案为，在晶体管栅极上加上直流偏置电压，源极接地，漏极浮空，信号电压从漏极输出。
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公开(公告)号：CN102436849B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201110393572.7
申请日：2011-12-02
Applicant: 南京大学
Abstract: 局部俘获型快闪存储器的多值/多位存储单元操作方法，对4位比特多值/多位存储单元的编程和擦除：对于存储单元左右物理存储位存储相同比特情况，先将存储单元置于擦除状态，则存储单元左右存储位同时实现“11”状态存储；若存储单元左右存储位同时实现“10”状态存储，则将处于擦除状态的单元均匀地编程到低位阈值电压编程状态；若存储单元左右存储位同时实现“01”状态存储，即次高位阈值电压编程状态，则将处于擦除状态的单元均匀编程到次高位阈值电压编程状态；若存储单元左右存储位同时实现“00”状态存储，则将处于擦除状态的单元均匀编程到最高位阈值电压编程状态；以上三种编程状态存储单元进行擦除作时使用均匀擦除操作方式。
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公开(公告)号：CN102298971B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201110250842.9
申请日：2011-08-29
Applicant: 南京大学
IPC: G11C16/34
Abstract: 非挥发性快闪存储器高密度多值存储的操作方法，对局部俘获型多值单元的存储操作采用下面的步骤：1）首先将局部俘获型存储单元擦除到阈值电压-2V～-1V的初始状态；擦除后使局部俘获型存储单元左右两边存储位的阈值电压相同；2）存储单元的阈值电压调整到预定值-2V～-1V，以这个预定值为多值存储的初始状态，对局部俘获存储单元进行多值存储的编程操作；3）通过改变栅极或漏极的编程电压，或者改变栅极或漏极编程时间，实现8种以上的编程状态。本发明有高的存储密度：多值存储单元总的编程窗口大。每个编程状态允许的阈值电压分布宽。不同编程状态所对应的阈值电压分布不会出现交叠及良好的编程/擦除的耐受力和保持性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103384343A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201310277116.5
申请日：2013-07-02
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明的目的在于公开了一种填补图像空洞的方法及其装置，通过利用视频帧序列中的欲处理目标帧和其对应的一张深度图进行图像渲染，在渲染过程中对产生的大小空洞分别进行处理，先处理小的空洞，再利用从余下视频帧序列中，寻找与所要处理的大空洞最佳匹配的像素块的方法，对大空洞进行处理，大大增强了空洞的填补效果。
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公开(公告)号：CN103165726A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201110419288.2
申请日：2011-12-14
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: PN结薄膜晶体管非挥发光电探测器，探测器结构包括硅(Si)衬底(1)，衬底正上方为一层绝缘介质称为体绝缘层(2)，体绝缘层正上方为掺杂不同的半导体薄膜层形成P型源极(3)和N型漏极(4)，在源极漏极分界处源极一侧正上方从下到上依次为底层绝缘介质(5)、电荷存储层(6)、顶层绝缘介质(7)和控制栅极(8)；两层绝缘介质包围电荷存储层可以防止中间电荷的流失；底层绝缘介质将半导体层和电荷存储层隔离。其中控制栅和衬底至少有一种是透光的材料以便于光探测。该探测器利用PN结反偏来产生和收集光信号，通过测量PN结的带带隧穿(BTBT)电流来读取信号大小。
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公开(公告)号：CN103165630A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201110419788.6
申请日：2011-12-14
Applicant: 南京大学
IPC: H01L27/146 , H04N9/04
Abstract: 基于光敏复合介质栅MOSFET探测器的彩色成像方法，在栅极上加不同的电压脉冲，使MOSFET工作在深耗尽状态，根据所加栅极电压不同使耗尽区的深度不同，以此结合不同波长的光在硅中的穿透深度不同的原理，将入射光中的红、绿、蓝三中颜色的光子分开以分别进行收集与探测，实现在同一个像素中对红、绿、蓝三基色的探测，以进行彩色成像；具体操作方式为：在栅极加一个正向脉冲Vb，在P型硅半导体中形成一个深度一定的耗尽层，用来吸收蓝光光子，然后使栅极脉冲电压变化吸收红、绿光光子。本发明消除了传统彩色成像方法所遇到的色彩混淆现象，提高了量子效率，工艺流程简单，成本低，像素的可伸缩性极好。
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公开(公告)号：CN102437025B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201110393297.9
申请日：2011-12-02
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 消除PMOS器件中负偏压温度不稳定性影响的方法，采用如下步骤，1)降低环境温度，使得PMOS器件工作在低温的-30±5℃环境下，而PMOS器件本身正常工作，这种环境抑制了NBTI现象；2)对于低温下阈值电压漂移，通过直接对PMOS器件栅端加零偏压或正偏压，源、漏、衬底处于零偏压，环境条件仍为上述低温条件下，施加上述电压的时间为1-5min，器件阈值电压会很快恢复。本发明所述的通过低温减少NBTI现象并使得其能完全恢复的过程，不需要改变器件工艺，不会对其性能造成影响。不需要改变电路设计。能消除NBTI过程中除阈值电压漂移外的亚阈值斜率(St)的改变和载流子迁移率的降低。
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公开(公告)号：CN102496648A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110382697.X
申请日：2011-11-28
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/101 , G01J11/00 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种内置负反馈金属-半导体-金属紫外光单光子探测器，每个探测器从下至上包括衬底，衬底上可以生长缓冲层，衬底或缓冲层上是n型半导体，n型半导体上面是叉指状薄膜电阻，阳极电极淀积在薄膜电阻上形成阳极电极，最上层是叉指状电极，阴极电极与n型半导体形成肖特基结，阳极电极淀积在薄膜电阻上。本发明所述内置负反馈金属-半导体-金属结构紫外光单光子探测器克服了p-n和p-i-n结构紫外光单光子探测器复杂的工艺流程带来的工艺控制困难、成本昂贵的问题。
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